SEARCH:
Main > Personal Pages > Конусов Федор Валерьевич > eng > publications

Конусов Федор Валерьевич
Кандидат физико-математических наук

Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Ведущий инженер

Тел.: 8 (3822) 60-61-57
Вн. телефон: 2529
написать сообщение
  
    New Tab     
  1. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma. J. Surf. Invest. 2014. V. 8, 1. P. 158-163.
  2. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Electrical and Photoelectric Properties of Polycrystalline Silicon after High-Intensity Short-Pulse Ion Implantation. Russian Physics Journal. 2013. V. 56, iss. 6. P. 607-611.
  3. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation. Proc. of Univ. Physics. 2012. V. 55, № 12-2. P. 128-132.
  4. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. High Intensive Short Pulsed Ions Implantation Effect on Electrical and Photoelectrical Properties of Polycrystalline Silicon. Proc. of Univ. Physics. 2012. V. 55, № 12-3. P. 58-61.
  5. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Optical properties of GaAs films deposited via pulsed ion ablation. J. Surf. Invest. 2011. V. 5, 2. P. 228-235.
  6. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effect of coimplantation of iron and chromium ions on the optical properties of aluminum oxide. J. Surf. Invest. 2010. V. 4, 2. P. 327-334.
  7. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Peculiarities Of Electrophysical Properties Of Arsenide Gallium Films Deposited Under Nonequilibrium Conditions. Eur. Phys. Techn. Journ. 2010. № 2 (14). P. 53-59.
  8. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Optical properties of aluminum oxide after irradiation with cobalt ions. J. Surf. Invest. 2009. V. 3, 2. P. 304-312.
  9. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effect of titanium ion implantation and the gas atmosphere on the electrophysical properties of alumina. Techn.Phys. 2007. V. 52, 6. P. 734-738.
  10. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov Optical properties of polycrystalline alumina after irradiation with iron ions and annealing. J. Surf. Invest. 2007. V. 1, 2. P. 229-234.
  11. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effects of Fe-ion irradiation and annealing on the optical absorption in sapphire. Inorg. Mat. 2006. V. 42, 7. P. 756-762.
  12. S. N. Grinyaev, F. V. Konusov, V.V. Lopatin, L.N. Shiyan. Optical absorption of hexagonal boron nitride involving nitrogen vacancies and their complexes Phys. Solid State. 2004. V. 46, 3. P. 435-441.
  13. S. N. Grinyaev, F. V. Konusov, V.V. Lopatin. Deep levels of nitrogen vacancy complexes in graphite-like boron nitride. Phys. Solid State. 2002. V. 44, 2. P. 286-293.
  14. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Properties of oxide and nitride ceramics after ion-heat modification. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2000. V. 166-167. P. 92-97.
  15. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. The influence of air on the characteristics of the trapping and recombination centers of boron nitride irradiated with ions. Surface Investigation. 2001. Vol.16, No.5. P.723-729.
  16. V.S. Dedkov, A.V. Kabyshev, V.V. Lopatin, B.N. Sharupin. Properties of rhombohedral pyrolytic boron nitride. Inorg. Mater. 1996. Vol.32, №6. Р.609–614.
  17. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Mechanism of the semiconductor-insulator transition during ion-thermal treatment. Tech. Phys. –1995. –Vpl.40, №8. –Р.860–862.
  18. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Localized states of defects in ion-irradiated dielectrics. Phys. Solid State. 1995. Vol.37, №7. Р.1079–1083.с
  19. F. V. Konusov, V.V. Lopatin. Energetic states in the boron nitride band gap. J. of Phys. and Chem.of Sol. 1992. Т. 53. № 6. С. 847–854.

Список публикаций

Количество записей: 215

  1. Свойства оксидной и нитридной керамики после ионно-термической модификации / А. В. Кабышев [и др.] // Перспективные материалы : научный журнал. — 2001. — № 1. — С. 70-81

  2. Кабышев, А. В. Стимулированный ионно-термической обработкой переход термостойкий диэлектрик-полупроводник / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // IV Всероссийская Конференция по модификации свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц, 13-17 мая 1996 года, г. Томск : тезисы докладов. — 1996. — IV Всероссийская Конференция по модификации свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц, 13-17 мая 1996 года, г. Томск. — С. 247-249

  3. Трансформация свойств и состояний радиационных дефектов после ионно-термической модификации диэлектриков / А. В. Кабышев [и др.] // Радиационные гетерогенные процессы : шестая международная конференция, 29 мая - 1июня 1995 г. : тезисы доклалов. — 1995. — Ч. 1. — С. 176-177

  4. Диэлектрические и пироэлектрические свойства ромбоэдрического нитрида бора / В. С. Дедков [и др.] // 14 Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков, Иваново 19-23 сентября 1995 : тезисы докладов. — 1995. — 14 Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков, Иваново 19-23 сентября 1995. — С. 296

  5. Кабышев, А. В. Оптические свойства оксида алюминия после облучения ионами кобальта / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. — 2009. — № 4. — [С. 54-62]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=11770472

  6. Кабышев, А. В. Влияние ионного облучения на критерии правила Урбаха в оксиде алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. — 2008. — № 4. — [C.103-109]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=9934708&

  7. Кабышев, А. В. Влияние совместной имплантации ионов железа и хрома на оптические свойства оксида алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. — 2010. — № 4. — [С. 64-71]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=13726271

  8. Кабышев, А. В. Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. — 2011. — № 3. — [С. 27-34]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=15639163

  9. Кабышев, А. В. Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. — 2014. — № 2. — [С. 65-68]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=21124954

  10. Кабышев, А. В. Оптические свойства поликристаллического оксида алюминия после облучения ионами железа и отжига / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. — 2007. — № 4. — [C.90-96]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=9534633

  11. Влияние высокоинтенсивной короткоимпульсной имплантации ионов на свойства поликристаллического кремния / А. В. Кабышев [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. — 2014. — № 11. — [С. 86-92]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=22403851

  12. Кабышев, А. В. Распределение локализованных в запрещенной зоне состояний и модель электронных переходов в облученных ионами диэлектриках / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Тезисы докладов XXV Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, 29-31 мая 1995 г. — 1995. — Тезисы докладов XXV Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, 29-31 мая 1995 г. — С. 93

  13. Кабышев, А. В. Локализованные состояния дефектов и свойства облученных ионами диэлектриков / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Радиационная физика твердого тела : тезисы докладов V Межнационального совещания, (Севастополь, 26 июня - 2 июля 1995 г.). — 1995. — Радиационная физика твердого тела. — С. 70

  14. Кабышев, А. В. Механизм перехода диэлектриков в полупроводящее состояние при ионно-термической обработке / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Вакуумная наука и техника : Вторая научно-техническая конференция, Гурзуф, 2-9 октября : материалы конференции. — 1995. — Вакуумная наука и техника. — С. 192

  15. Кабышев, А. В. Физико-химическое состояние, свойства и электроперенос неорганических диэлектриков после ионно-пучковой обработки / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Proceedings of 1st International Symposium Beam Technologies, BT' 95, Dubna, Russia, February 28 - March 4, 1995. — 1995. — Proceedings of 1st International Symposium Beam Technologies, BT' 95, Dubna, Russia, February 28 - March 4, 1995. — С. 28

  16. Конусов, Ф. В. Центры захвата и рекомбинации носителей заряда в керамике на основе нитрида бора : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Ф. В. Конусов ; Томский политехнический университет (ТПУ), Научно-исследовательский институт высоких напряжений (НИИВН) ; науч. рук. В. В. ЛопатинТомск : [Б. и.], 1993. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=15730674

  17. Лопатин, В. В. Дефектообразование и электроперенос в имплантированных керамических диэлектриках / В. В. Лопатин, Ф. В. Конусов, А. В. Кабышев // Взаимодействие ионов с поверхностью : материалы XI Международной конференции, 7-11 сентября 1993 г., Москва. — 1993. — Т. 3. — С. 84-86

  18. Лопатин, В. В. Электронная структура запрещенной зоны облученного нейтронами нитрида бора / В. В. Лопатин, Ф. В. Конусов // 8-я конференция по радиационной физике и химии неорганических материалов РФХ-8 : сборник тезисов докладов, 10-12 ноября 1993 г., Томск / Томский политехнический университет (ТПУ). — 1993. — Т. 2. — С. 48

  19. Лопатин, В. В. Исследование дефектов в BN после нейтронного облучения методом термоактивационной спектроскопии / В. В. Лопатин, Ф. В. Конусов // Радиационная физика твердого тела : тезисы докладов межотраслевого совещания, Севастополь, 1-6 июня 1992. — 1992. — Радиационная физика твердого тела. — С. 66-67

  20. Lopatin, V. V. Energetic states in the boron nitride band gap / V. V. Lopatin, F. V. Konusov // Journal of Physics and Chemistry of Solids : Scientific Journal. — 1992. — Vol. 53, iss. 6. — [P. 847–854]. — URL: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/002236979290199N

Страницы: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

GENERAL CONTACT DETAILS:
Tomsk Polytechnic University
30, Lenin Avenue, Tomsk, 634050, Russia
UNIVERSITY OFFICE:
Office 127, 30, Lenin Avenue, Tomsk, 634050, Russia
Telephone: +7(3822) 56-34-70, Fax: +7(3822) 56-38-65
E-mail: tpu@tpu.ru
PORTAL SOLUTIONS DEPARTMENT:
Office 125, 4a, Usov Str., Tomsk, 634050, Russia
Tel./fax: +7(3822) 70-50-85
E-mail: webmaster@tpu.ru
2016 © Tomsk Polytechnic University