SEARCH:
Main > Personal Pages > Конусов Федор Валерьевич > eng > publications

Конусов Федор Валерьевич
Кандидат физико-математических наук

Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Ведущий инженер

Тел.: 8 (3822) 60-61-57
Вн. телефон: 2529
написать сообщение
  
    New Tab     
  1. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma. J. Surf. Invest. 2014. V. 8, 1. P. 158-163.
  2. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Electrical and Photoelectric Properties of Polycrystalline Silicon after High-Intensity Short-Pulse Ion Implantation. Russian Physics Journal. 2013. V. 56, iss. 6. P. 607-611.
  3. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation. Proc. of Univ. Physics. 2012. V. 55, № 12-2. P. 128-132.
  4. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. High Intensive Short Pulsed Ions Implantation Effect on Electrical and Photoelectrical Properties of Polycrystalline Silicon. Proc. of Univ. Physics. 2012. V. 55, № 12-3. P. 58-61.
  5. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Optical properties of GaAs films deposited via pulsed ion ablation. J. Surf. Invest. 2011. V. 5, 2. P. 228-235.
  6. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effect of coimplantation of iron and chromium ions on the optical properties of aluminum oxide. J. Surf. Invest. 2010. V. 4, 2. P. 327-334.
  7. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Peculiarities Of Electrophysical Properties Of Arsenide Gallium Films Deposited Under Nonequilibrium Conditions. Eur. Phys. Techn. Journ. 2010. № 2 (14). P. 53-59.
  8. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Optical properties of aluminum oxide after irradiation with cobalt ions. J. Surf. Invest. 2009. V. 3, 2. P. 304-312.
  9. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effect of titanium ion implantation and the gas atmosphere on the electrophysical properties of alumina. Techn.Phys. 2007. V. 52, 6. P. 734-738.
  10. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov Optical properties of polycrystalline alumina after irradiation with iron ions and annealing. J. Surf. Invest. 2007. V. 1, 2. P. 229-234.
  11. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effects of Fe-ion irradiation and annealing on the optical absorption in sapphire. Inorg. Mat. 2006. V. 42, 7. P. 756-762.
  12. S. N. Grinyaev, F. V. Konusov, V.V. Lopatin, L.N. Shiyan. Optical absorption of hexagonal boron nitride involving nitrogen vacancies and their complexes Phys. Solid State. 2004. V. 46, 3. P. 435-441.
  13. S. N. Grinyaev, F. V. Konusov, V.V. Lopatin. Deep levels of nitrogen vacancy complexes in graphite-like boron nitride. Phys. Solid State. 2002. V. 44, 2. P. 286-293.
  14. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Properties of oxide and nitride ceramics after ion-heat modification. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2000. V. 166-167. P. 92-97.
  15. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. The influence of air on the characteristics of the trapping and recombination centers of boron nitride irradiated with ions. Surface Investigation. 2001. Vol.16, No.5. P.723-729.
  16. V.S. Dedkov, A.V. Kabyshev, V.V. Lopatin, B.N. Sharupin. Properties of rhombohedral pyrolytic boron nitride. Inorg. Mater. 1996. Vol.32, №6. Р.609–614.
  17. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Mechanism of the semiconductor-insulator transition during ion-thermal treatment. Tech. Phys. –1995. –Vpl.40, №8. –Р.860–862.
  18. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Localized states of defects in ion-irradiated dielectrics. Phys. Solid State. 1995. Vol.37, №7. Р.1079–1083.с
  19. F. V. Konusov, V.V. Lopatin. Energetic states in the boron nitride band gap. J. of Phys. and Chem.of Sol. 1992. Т. 53. № 6. С. 847–854.

Список публикаций

Количество записей: 215

  1. Electrical and photoelectric properties of polycrystalline diamond films deposited from an abnormal glow discharge / F. V. Konusov [et al.] // Journal of Physics: Conference Series. — 2014. — Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia. — [012046, 5 p.]. — URL: http://iopscience.iop.org/1742-6596/552/1/012046

  2. Кабышев, А. В. Влияние совместной имплантации ионов железа и хрома на электрические и фотоэлектрические свойства оксида алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Радиационная физика твердого тела : труды XXIV Международной конференции, Севастополь, 7-12июля 2014 г. — 2014. — Радиационная физика твердого тела. — С. 671-680

  3. Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией / А. В. Кабышев [и др.] // URL: http://danp.sinp.msu.ru/pci2014/ProgramFull_pci2014.pdf#page=175

  4. Transport Charge of Gallium Arsenide Films Synthesized on Polycrystalline Silicon by Ionics Ablation / A. V. Kabyshev [et al.] // URL: http://www.hcei.tsc.ru/congress2014/images/Abstracts.pdf#page=329

  5. Electrical and Photoelectric Properties of Polycrystalline Diamond Films, Deposited by Abnormal Glow Discharge / A. V. Gaydaychuk [et al.] // URL: http://www.hcei.tsc.ru/congress2014/images/Abstracts.pdf#page=512

  6. Kabyshev, A. V. Electrical and Photoelectric Properties of Polycrystalline Silicon after High-Intensity Short-Pulse Ion Implantation / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev // Russian Physics Journal. — 2013. — Vol. 56, iss. 6. — [P. 607-611]. — URL: http://dx.doi.org/10.1007/s11182-013-0075-8

  7. Кабышев, А. В. Электрические и фотоэлектрические свойства пленок, осажденных на нитриде бора из электроразрядной титансодержащей плазмы / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, А. А. Сивков // URL: http://elib.bsu.by/handle/123456789/48460

  8. Кабышев, А. В. Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, С. К. Павлов // URL: http://elib.bsu.by/handle/123456789/49057

  9. Кабышев, А. В. Влияние высокоинтенсивной короткоимпульсной имплантации ионов на свойства поликристаллического кремния / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // URL: http://danp.sinp.msu.ru/pci2013/program2013.pdf#page=146

  10. Кабышев, А. В. Эволюция дефектного состояния облученного ионами хрома и отожженного на воздухе оксида алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Труды XXIII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 8 июля - 13 июля 2013 г.). — 2013. — Труды XXIII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 8 июля - 13 июля 2013 г.). — С. 519-527

  11. Кабышев, А. В. Перспективные полупроводниковые материалы и технологии для солнечной фотоэнергетики / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Электроэнергия: от получения и распределения до эффективного использования : материалы V Всероссийской научно-технической конференции, г. Томск, 17-18 мая 2012 г. / Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. Б. И. Кудрина ; Б. В. Лукутина ; А. С. Сайгаш. — 2012. — Электроэнергия: от получения и распределения до эффективного использования. — [С. 109-112]. — URL: http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2012/C29/047.pdf

  12. Кабышев, А. В. Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // URL: http://danp.sinp.msu.ru/pci2012/Program_2012_full.pdf#page=187

  13. Кабышев, А. В. Влияние высокоинтенсивной короткоимпульсной имплантации ионов на электрические и фотоэлектрические свойства поликристаллического кремния / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // труды ХXII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 9-14 июля 2012 г.). — 2012. — труды ХXII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 9-14 июля 2012 г.). — С. 469-477

  14. Кабышев, А. В. Релаксация неравновесного состояния приповерхностного слоя кремния после имплантации ионов / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // Хаос и структуры в нелинейных системах. Теория и эксперимент : материалы 8-й Международной научной конференции, посвященной 40-летию КарГУ имени академика Е. А. Букетова, Караганда, 18-20 июня 2012 г. — 2012. — Хаос и структуры в нелинейных системах. Теория и эксперимент. — С. 343-349

  15. Kabyshev, A. V. Optical properties of GaAs films deposited via pulsed ion ablation / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques : Scientific Journal. — 2011. — Vol. 5, iss. 2. — [P. 228-235]. — URL: http://link.springer.com/article/10.1134/S1027451011030116

  16. Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства / А. В. Кабышев [и др.] // (Пучковые методы формирования наноматериалов и наноструктур). — URL: http://www.elib.bsu.by/handle/123456789/28063

  17. Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация / А. В. Кабышев [и др.] // URL: http://danp.sinp.msu.ru/pci2011/Proceedings2011.pdf#page=172

  18. Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлиия на кремниевой подложке / А. В. Кабышев [и др.] // труды ХXI Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 22-27 августа 2011 г.) : [в 2 т. ]. — 2011. — Т. 2. — С. 592-602

  19. Kabyshev, A. V. Effect of coimplantation of iron and chromium ions on the optical properties of aluminum oxide / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques : Scientific Journal. — 2010. — Vol. 4, iss. 2. — [P. 327-334]. — URL: http://link.springer.com/article/10.1134/S1027451010020266

  20. Peculiarities Of Electrophysical Properties Of Arsenide Gallium Films Deposited Under Nonequilibrium Conditions / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev [et al.] // Eurasian Physical Technical Journal. — 2010. — № 2 (14). — [P. 53-59]. — URL: http://www.ksu.kz/files/Faculties/Physical/Eurasian_Journal/2010_14/11.pdf

Страницы: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

GENERAL CONTACT DETAILS:
Tomsk Polytechnic University
30, Lenin Avenue, Tomsk, 634050, Russia
UNIVERSITY OFFICE:
Office 127, 30, Lenin Avenue, Tomsk, 634050, Russia
Telephone: +7(3822) 56-34-70, Fax: +7(3822) 56-38-65
E-mail: tpu@tpu.ru
PORTAL SOLUTIONS DEPARTMENT:
Office 125, 4a, Usov Str., Tomsk, 634050, Russia
Tel./fax: +7(3822) 70-50-85
E-mail: webmaster@tpu.ru
2016 © Tomsk Polytechnic University