SEARCH:
Main > Personal Pages > Конусов Федор Валерьевич > eng > publications

Конусов Федор Валерьевич
Кандидат физико-математических наук

Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Ведущий инженер

Тел.: 8 (3822) 60-61-57
Вн. телефон: 2529
написать сообщение
  
    New Tab     
  1. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma. J. Surf. Invest. 2014. V. 8, 1. P. 158-163.
  2. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Electrical and Photoelectric Properties of Polycrystalline Silicon after High-Intensity Short-Pulse Ion Implantation. Russian Physics Journal. 2013. V. 56, iss. 6. P. 607-611.
  3. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation. Proc. of Univ. Physics. 2012. V. 55, № 12-2. P. 128-132.
  4. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. High Intensive Short Pulsed Ions Implantation Effect on Electrical and Photoelectrical Properties of Polycrystalline Silicon. Proc. of Univ. Physics. 2012. V. 55, № 12-3. P. 58-61.
  5. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Optical properties of GaAs films deposited via pulsed ion ablation. J. Surf. Invest. 2011. V. 5, 2. P. 228-235.
  6. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effect of coimplantation of iron and chromium ions on the optical properties of aluminum oxide. J. Surf. Invest. 2010. V. 4, 2. P. 327-334.
  7. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Peculiarities Of Electrophysical Properties Of Arsenide Gallium Films Deposited Under Nonequilibrium Conditions. Eur. Phys. Techn. Journ. 2010. № 2 (14). P. 53-59.
  8. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Optical properties of aluminum oxide after irradiation with cobalt ions. J. Surf. Invest. 2009. V. 3, 2. P. 304-312.
  9. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effect of titanium ion implantation and the gas atmosphere on the electrophysical properties of alumina. Techn.Phys. 2007. V. 52, 6. P. 734-738.
  10. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov Optical properties of polycrystalline alumina after irradiation with iron ions and annealing. J. Surf. Invest. 2007. V. 1, 2. P. 229-234.
  11. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effects of Fe-ion irradiation and annealing on the optical absorption in sapphire. Inorg. Mat. 2006. V. 42, 7. P. 756-762.
  12. S. N. Grinyaev, F. V. Konusov, V.V. Lopatin, L.N. Shiyan. Optical absorption of hexagonal boron nitride involving nitrogen vacancies and their complexes Phys. Solid State. 2004. V. 46, 3. P. 435-441.
  13. S. N. Grinyaev, F. V. Konusov, V.V. Lopatin. Deep levels of nitrogen vacancy complexes in graphite-like boron nitride. Phys. Solid State. 2002. V. 44, 2. P. 286-293.
  14. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Properties of oxide and nitride ceramics after ion-heat modification. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2000. V. 166-167. P. 92-97.
  15. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. The influence of air on the characteristics of the trapping and recombination centers of boron nitride irradiated with ions. Surface Investigation. 2001. Vol.16, No.5. P.723-729.
  16. V.S. Dedkov, A.V. Kabyshev, V.V. Lopatin, B.N. Sharupin. Properties of rhombohedral pyrolytic boron nitride. Inorg. Mater. 1996. Vol.32, №6. Р.609–614.
  17. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Mechanism of the semiconductor-insulator transition during ion-thermal treatment. Tech. Phys. –1995. –Vpl.40, №8. –Р.860–862.
  18. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Localized states of defects in ion-irradiated dielectrics. Phys. Solid State. 1995. Vol.37, №7. Р.1079–1083.с
  19. F. V. Konusov, V.V. Lopatin. Energetic states in the boron nitride band gap. J. of Phys. and Chem.of Sol. 1992. Т. 53. № 6. С. 847–854.

Список публикаций

Количество записей: 215

  1. Кабышев, А. В. Критерии правила Урбаха в облученном ионами оксиде алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Труды ХVII Международного совещания "Радиационная физика твердого тела", (Севастополь, 9-14 июля 2007 г.). — 2007. — Труды ХVII Международного совещания "Радиационная физика твердого тела", (Севастополь, 9-14 июля 2007 г.). — С. 508-515

  2. Кабышев, А. В. Оптические свойства лейкосапфира после совместного облучения ионами железа и хрома / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-10) : международная конференция, 10-12 октября 2007 г. : в 2 т . — 2007. — Т. 1. — С. 62-66

  3. Кабышев, А. В. Оптические свойства поликристаллического оксида алюминия после облучения ионами железа и отжига / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // URL: http://danp.sinp.msu.ru/pci2006/1_utro_stend.pdf#page=4

  4. Кабышев, А. В. Оптические и фотоэлектрические свойства лейкосапфира после облучения ионами кремния / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах : труды V Международной конференции, Томск, 28 июля - 4 августа 2006 г. / Российская Академия естественных наук ; Томский политехнический университет. — 2006. — Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах. — С. 24-27

  5. Kabyshev, A. V. Effects of Fe-ion irradiation and annealing on the optical absorption in sapphire / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov // Inorganic Materials : Scientific Journal. — 2006. — Vol. 42, iss. 7. — [P. 756-762]. — URL: http://link.springer.com/article/10.1134%2FS0020168506070120

  6. Kabyshev, A. V. Localized defect states in irradiated with siliconions / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov // URL: http://www.congress-2006.hcei.tsc.ru/cat/proc_2006/rpc/Paper_105.pdf

  7. Kabyshev, A. V. Optical and Photoelectrical Properties of Single Sapphire Crystal After Irradiation with Silicon Ions / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov // URL: http://www.congress-2006.hcei.tsc.ru/cat/proc_2006/cmm/Paper-087.pdf

  8. Кабышев, А. В. Локализованные состояния дефектов в оксиде алюминия, облученном ионами кремния / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах : труды V Международной конференции, Томск, 28 июля - 4 августа 2006 г. / Российская Академия естественных наук ; Томский политехнический университет. — 2006. — Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах. — С. 28-31

  9. Кабышев, А. В. Фотоэлектрические свойства оксида алюминия, облученного ионами кремния / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Труды ХVI Международного совещания "Радиационная физика твердого тела", (Севастополь, 3-8 июля 2006 г.). — 2006. — Труды ХVI Международного совещания "Радиационная физика твердого тела", (Севастополь, 3-8 июля 2006 г.). — С. 436-443

  10. Кабышев, А. В. Оптические свойства поликристаллического оксида алюминия после облучения ионами хрома и отжига / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // URL: http://danp.sinp.msu.ru/pci2005/pci2_stend_vecher.pdf#page=18

  11. Kabyshev, A. V. Gas medium effect on electrophysical properties of alumina irradiated with titanium ions / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, N. V. Krivosheeva // Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса. — URL: http://dx.doi.org/10.1109/KORUS.2005.1507677

  12. Кабышев, А. В. Дефекты в оксиде алюминия после облучения ионами кремния / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Труды ХV Международного совещания "Радиационная физика твердого тела", (Севастополь, 4-9 июля 2005 г.). — 2005. — Труды ХV Международного совещания "Радиационная физика твердого тела", (Севастополь, 4-9 июля 2005 г.). — С.103-107

  13. Конусов, Ф. В. Дефекты в оксиде алюминия после облучения ионами кремния / Ф. В. Конусов // Тезисы IV Республиканской конференции по физической электронике (UzPEC-4), Ташкент, Узбекистан, 2-4 ноября 2005 г. : сборник тезисов докладов. — 2005. — Тезисы IV Республиканской конференции по физической электронике (UzPEC-4), Ташкент, Узбекистан, 2-4 ноября 2005 г. — С. 118

  14. Kabyshev, A. V. Peculiarities of conduction Al2O3 irradiated with titanium ions in oxygen-contained medium / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, N. V. Krivosheeva // Взаимодействие излучений с твердым телом. ВИТТ-2005 : материалы 6-й Международной конференции, 28-30 сентября 2005 г., Минск. — 2005. — Взаимодействие излучений с твердым телом. ВИТТ-2005. — С. 192-194

  15. Кабышев, А. В. Электронное строение и свойства облученного ионами нитрида алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9) : в 2 т. : [доклады Девятой международной конференции, посвященной 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 года]. — 2004. — Т. 1. — С. 386-389

  16. Кабышев, А. В. Влияние газовой среды на электрофизические свойства облучённого ионами титана оксида алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах : Труды IV Международной научной конференции, Томск, 12-19 августа 2004 г. / Российский фонд фундаментальных исследований; Томский политехнический университет и др. — 2004. — Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах. — С. 64-67

  17. Kabyshev, A. V. Electronic Building and Properties of Aluminum Nitride Irradiated with Ions / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov // 7 International conference on modification of materials with particle beams and plasma flows : Tomsk, Russia, 25-29 July 2004 / edited by S. Korovin, A. Ryabchikov. — 2004. — 7 International conference on modification of materials with particle beams and plasma flows. — [P. 189-192]. — URL: http://www.lib.tpu.ru/fulltext2/c/2004/C13/038.pdf

  18. Optical absorption of hexagonal boron nitride involving nitrogen vacancies and their complexes / S. N. Grinyaev [et al.] // Physics of the Solid State : Scientific Journal . — 2004. — Vol. 46, iss. 3. — [P. 435-441]. — URL: http://dx.doi.org/10.1134/1.1687856

  19. Dielectric properties of boron nitride after high temperature implantation with ions / A. V. Kabyshev [et al.] // Korus 2004 : the 8th Korea-Russia International Symposium on Science and Technology, June 26 - July 3, 2004, At Tomsk Politechnic University, Russia / Novosibirsk State Technical University; Tomsk Polytechnic University. — 2004. — Vol. 3. — P. 113-116

  20. Кабышев, А. В. Электронное строение и свойства облученного ионами оксида алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Физические и физико-химические основы ионной имплантации : VII Всероссийский семинар, 26-29 октября 2004 г. : тезисы докладов. — 2004. — Физические и физико-химические основы ионной имплантации. — С. 92-93

Страницы: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

GENERAL CONTACT DETAILS:
Tomsk Polytechnic University
30, Lenin Avenue, Tomsk, 634050, Russia
UNIVERSITY OFFICE:
Office 127, 30, Lenin Avenue, Tomsk, 634050, Russia
Telephone: +7(3822) 56-34-70, Fax: +7(3822) 56-38-65
E-mail: tpu@tpu.ru
PORTAL SOLUTIONS DEPARTMENT:
Office 125, 4a, Usov Str., Tomsk, 634050, Russia
Tel./fax: +7(3822) 70-50-85
E-mail: webmaster@tpu.ru
2016 © Tomsk Polytechnic University