SEARCH:
Main > Personal Pages > Конусов Федор Валерьевич > eng > publications

Конусов Федор Валерьевич
Кандидат физико-математических наук

Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Ведущий инженер


Вн. телефон: 5406
написать сообщение
  
    New Tab     
  1. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma. J. Surf. Invest. 2014. V. 8, 1. P. 158-163.
  2. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Electrical and Photoelectric Properties of Polycrystalline Silicon after High-Intensity Short-Pulse Ion Implantation. Russian Physics Journal. 2013. V. 56, iss. 6. P. 607-611.
  3. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation. Proc. of Univ. Physics. 2012. V. 55, № 12-2. P. 128-132.
  4. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. High Intensive Short Pulsed Ions Implantation Effect on Electrical and Photoelectrical Properties of Polycrystalline Silicon. Proc. of Univ. Physics. 2012. V. 55, № 12-3. P. 58-61.
  5. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Optical properties of GaAs films deposited via pulsed ion ablation. J. Surf. Invest. 2011. V. 5, 2. P. 228-235.
  6. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effect of coimplantation of iron and chromium ions on the optical properties of aluminum oxide. J. Surf. Invest. 2010. V. 4, 2. P. 327-334.
  7. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Peculiarities Of Electrophysical Properties Of Arsenide Gallium Films Deposited Under Nonequilibrium Conditions. Eur. Phys. Techn. Journ. 2010. № 2 (14). P. 53-59.
  8. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Optical properties of aluminum oxide after irradiation with cobalt ions. J. Surf. Invest. 2009. V. 3, 2. P. 304-312.
  9. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effect of titanium ion implantation and the gas atmosphere on the electrophysical properties of alumina. Techn.Phys. 2007. V. 52, 6. P. 734-738.
  10. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov Optical properties of polycrystalline alumina after irradiation with iron ions and annealing. J. Surf. Invest. 2007. V. 1, 2. P. 229-234.
  11. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effects of Fe-ion irradiation and annealing on the optical absorption in sapphire. Inorg. Mat. 2006. V. 42, 7. P. 756-762.
  12. S. N. Grinyaev, F. V. Konusov, V.V. Lopatin, L.N. Shiyan. Optical absorption of hexagonal boron nitride involving nitrogen vacancies and their complexes Phys. Solid State. 2004. V. 46, 3. P. 435-441.
  13. S. N. Grinyaev, F. V. Konusov, V.V. Lopatin. Deep levels of nitrogen vacancy complexes in graphite-like boron nitride. Phys. Solid State. 2002. V. 44, 2. P. 286-293.
  14. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Properties of oxide and nitride ceramics after ion-heat modification. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2000. V. 166-167. P. 92-97.
  15. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. The influence of air on the characteristics of the trapping and recombination centers of boron nitride irradiated with ions. Surface Investigation. 2001. Vol.16, No.5. P.723-729.
  16. V.S. Dedkov, A.V. Kabyshev, V.V. Lopatin, B.N. Sharupin. Properties of rhombohedral pyrolytic boron nitride. Inorg. Mater. 1996. Vol.32, №6. Р.609–614.
  17. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Mechanism of the semiconductor-insulator transition during ion-thermal treatment. Tech. Phys. –1995. –Vpl.40, №8. –Р.860–862.
  18. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Localized states of defects in ion-irradiated dielectrics. Phys. Solid State. 1995. Vol.37, №7. Р.1079–1083.с
  19. F. V. Konusov, V.V. Lopatin. Energetic states in the boron nitride band gap. J. of Phys. and Chem.of Sol. 1992. Т. 53. № 6. С. 847–854.

Список публикаций

Количество записей: 216

  1. Kabyshev, A. V. Peculiarities of conduction Al2O3 irradiated with titanium ions in oxygen-contained medium / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, N. V. Krivosheeva // Взаимодействие излучений с твердым телом. ВИТТ-2005 : материалы 6-й Международной конференции, 28-30 сентября 2005 г., Минск. — 2005. — С. 192-194

  2. Кабышев, А. В. Оптические свойства поликристаллического оксида алюминия после облучения ионами хрома и отжига / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // URL: http://danp.sinp.msu.ru/pci2005/pci2_stend_vecher.pdf#page=18

  3. Kabyshev, A. V. Gas medium effect on electrophysical properties of alumina irradiated with titanium ions / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, N. V. Krivosheeva // Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса. — URL: http://dx.doi.org/10.1109/KORUS.2005.1507677

  4. Кабышев, А. В. Влияние газовой среды на электрофизические свойства облучённого ионами титана оксида алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах : Труды IV Международной научной конференции, Томск, 12-19 августа 2004 г. / Российский фонд фундаментальных исследований; Томский политехнический университет и др. — 2004. — С. 64-67

  5. Dielectric properties of boron nitride after high temperature implantation with ions / A. V. Kabyshev [et al.] // Korus 2004 : the 8th Korea-Russia International Symposium on Science and Technology, June 26 - July 3, 2004, At Tomsk Politechnic University, Russia / Novosibirsk State Technical University; Tomsk Polytechnic University. — 2004. — Vol. 3. — P. 113-116

  6. Kabyshev, A. V. Electronic Building and Properties of Aluminum Nitride Irradiated with Ions / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov // 7 International conference on modification of materials with particle beams and plasma flows : Tomsk, Russia, 25-29 July 2004 / edited by S. Korovin, A. Ryabchikov. — 2004. — [P. 189-192]. — URL: http://www.lib.tpu.ru/fulltext2/c/2004/C13/038.pdf

  7. Кабышев, А. В. Комплексы радиационных дефектов в облученном ионами алюминия и кремния оксиде алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах : труды IV Международной научной конференции, Томск, 12-19 августа 2004 г. / Российский фонд фундаментальных исследований; Томский политехнический университет и др. — 2004. — С. 18-21

  8. Оптическое поглощение гексагонального нитрида бора с участием вакансий азота и их комплексов / С. Н. Гриняев [и др.] // Физика твердого тела / Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. — 2004. — Т. 46, № 3. — С. 424-429

  9. Кабышев, А. В. Комплексы радиационных дефектов в облученном ионами нитриде алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Физика и химия обработки материалов / Российская академия наук (РАН), Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова (ИМЕТ). — 2004. — № 1. — С. 5-12

  10. Кабышев, А. В. Электронное строение и свойства облученного ионами нитрида алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9) : в 2 т. : [доклады Девятой международной конференции, посвященной 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 года]. — 2004. — Т. 1. — С. 386-389

  11. Кабышев, А. В. Электронное строение и свойства облученного ионами оксида алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Физические и физико-химические основы ионной имплантации : VII Всероссийский семинар, 26-29 октября 2004 г. : тезисы докладов. — 2004. — С. 92-93

  12. Kabyshev, A. V. Complexes of induced defects in ions irradiated aluminum nitride / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov // V-th International Conference on Ion Implantation and other Application of Ions and Electrons, June 14-17, 2004, Kazimierz Dolny, Poland : abstracts. — 2004. — P. 103

  13. Optical absorption of hexagonal boron nitride involving nitrogen vacancies and their complexes / S. N. Grinyaev [et al.] // Physics of the Solid State : Scientific Journal . — 2004. — Vol. 46, iss. 3. — [P. 435-441]. — URL: http://dx.doi.org/10.1134/1.1687856

  14. Кабышев, А. В. Комплексы радиационных дефектов в облученном ионами оксиде алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // URL: http://danp.sinp.msu.ru/abstracts2004.pdf#page=117

  15. Кабышев, А. В. Локализованные состояния дефектов и свойства нитрида бора после высокотемпературной имплантации ионов / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования / Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН. — 2003. — № 4. — С. 104-110

  16. Кабышев, А. В. Оптические свойства моно- и поликристаллического оксида алюминия после ионно-термической модификации. I. Изменение свойств после имплантации ионов / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования / Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН. — 2003. — № 7. — С. 57-65

  17. Кабышев, А. В. Оптические свойства моно- и поликристаллического оксида алюминия после ионно-термической модификации. II. Влияние постимплантационного отжига на свойства / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования / Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН. — 2003. — № 9. — С. 61-60

  18. Кабышев, А. В. Неравновесное состояние нитридокерамических диэлектриков после имплантации ионов / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы международной конференции, посвященной 125-летию ТПУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ, Томск, 29 сентября - 4 октября 2003. — 2003. — С. 18-19

  19. Кабышев, А. В. Кислородосодержащие комплексы дефектов в нитриде алюминия после ионно-термической обработки / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Труды 12 Международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов РФХ-12, Томск, 23-27 сентября 2003. — 2003. — С. 251-255

  20. Кабышев, А. В. Влияние комплексов радиационных дефектов на оптические свойства облученного ионами нитрида алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Радиационная физика твердого тела : труды 13 международного совещания, Севастополь, 30 июня-5 июля 2003 г. — 2003. — С. 186-190

Страницы: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

GENERAL CONTACT DETAILS:
Tomsk Polytechnic University
30, Lenin Avenue, Tomsk, 634050, Russia
UNIVERSITY OFFICE:
Office 127, 30, Lenin Avenue, Tomsk, 634050, Russia
Telephone: +7(3822) 56-34-70, Fax: +7(3822) 56-38-65
E-mail: tpu@tpu.ru
PORTAL SOLUTIONS DEPARTMENT:
Office 125, 4a, Usov Str., Tomsk, 634050, Russia
Tel./fax: +7(3822) 70-50-85
E-mail: webmaster@tpu.ru
2016 © Tomsk Polytechnic University