SEARCH:

Конусов Федор Валерьевич
Кандидат физико-математических наук

Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Ведущий инженер

Тел.: 8 (3822) 60-61-57
Вн. телефон: 2529
написать сообщение
  
    New Tab     
  1. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma. J. Surf. Invest. 2014. V. 8, 1. P. 158-163.
  2. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Electrical and Photoelectric Properties of Polycrystalline Silicon after High-Intensity Short-Pulse Ion Implantation. Russian Physics Journal. 2013. V. 56, iss. 6. P. 607-611.
  3. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation. Proc. of Univ. Physics. 2012. V. 55, № 12-2. P. 128-132.
  4. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. High Intensive Short Pulsed Ions Implantation Effect on Electrical and Photoelectrical Properties of Polycrystalline Silicon. Proc. of Univ. Physics. 2012. V. 55, № 12-3. P. 58-61.
  5. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Optical properties of GaAs films deposited via pulsed ion ablation. J. Surf. Invest. 2011. V. 5, 2. P. 228-235.
  6. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effect of coimplantation of iron and chromium ions on the optical properties of aluminum oxide. J. Surf. Invest. 2010. V. 4, 2. P. 327-334.
  7. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Peculiarities Of Electrophysical Properties Of Arsenide Gallium Films Deposited Under Nonequilibrium Conditions. Eur. Phys. Techn. Journ. 2010. № 2 (14). P. 53-59.
  8. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Optical properties of aluminum oxide after irradiation with cobalt ions. J. Surf. Invest. 2009. V. 3, 2. P. 304-312.
  9. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effect of titanium ion implantation and the gas atmosphere on the electrophysical properties of alumina. Techn.Phys. 2007. V. 52, 6. P. 734-738.
  10. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov Optical properties of polycrystalline alumina after irradiation with iron ions and annealing. J. Surf. Invest. 2007. V. 1, 2. P. 229-234.
  11. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effects of Fe-ion irradiation and annealing on the optical absorption in sapphire. Inorg. Mat. 2006. V. 42, 7. P. 756-762.
  12. S. N. Grinyaev, F. V. Konusov, V.V. Lopatin, L.N. Shiyan. Optical absorption of hexagonal boron nitride involving nitrogen vacancies and their complexes Phys. Solid State. 2004. V. 46, 3. P. 435-441.
  13. S. N. Grinyaev, F. V. Konusov, V.V. Lopatin. Deep levels of nitrogen vacancy complexes in graphite-like boron nitride. Phys. Solid State. 2002. V. 44, 2. P. 286-293.
  14. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Properties of oxide and nitride ceramics after ion-heat modification. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2000. V. 166-167. P. 92-97.
  15. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. The influence of air on the characteristics of the trapping and recombination centers of boron nitride irradiated with ions. Surface Investigation. 2001. Vol.16, No.5. P.723-729.
  16. V.S. Dedkov, A.V. Kabyshev, V.V. Lopatin, B.N. Sharupin. Properties of rhombohedral pyrolytic boron nitride. Inorg. Mater. 1996. Vol.32, №6. Р.609–614.
  17. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Mechanism of the semiconductor-insulator transition during ion-thermal treatment. Tech. Phys. –1995. –Vpl.40, №8. –Р.860–862.
  18. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Localized states of defects in ion-irradiated dielectrics. Phys. Solid State. 1995. Vol.37, №7. Р.1079–1083.с
  19. F. V. Konusov, V.V. Lopatin. Energetic states in the boron nitride band gap. J. of Phys. and Chem.of Sol. 1992. Т. 53. № 6. С. 847–854.

Список публикаций

Количество записей: 215

  1. Конусов, Ф. В. Электрофизические и оптические свойства широкозонных диэлектриков после ионно-термической модификации / Ф. В. Конусов, А. Г. Кураков // URL: http://www.llph.ru/library/2001/LLPH-2001.pdf#page=138

  2. Insulating Materials Conduction After Ions Irradiation and Annealing / A. V. Kabyshev [et al.] // 12th International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams, Marburg, Germany, September 9-14, 2001 : abstracts. — 2001. — 12th International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams, Marburg, Germany, September 9-14, 2001 : abstracts. — P-8.03

  3. Kabyshev, A. V. Radiation-induced defects and their complexes in ion-irradiated thermostable dielectrics / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, V. V. Lopatin // Russian Physics Journal. — 2000. — Vol. 43, iss. 3. — [С. 241-249]. — URL: http://link.springer.com/article/10.1007/BF02509613

  4. Electrical conductivity of inorganic heat resistant dielectrics after ion irradiation and annealing / A. V. Kabyshev [et al.] // 1-st International Congress on Radiation Physics, High Current Electronics, and Modification of Materials : proceedings, Tomsk, Russia, 24-29 September 2000 / 1-st International Congress on Radiation Physics, High Current Electronics, and Modification of Materials ; Tomsk Polytechnic University (TPU). — 2000. — Vol. 3: 5-th Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows. — P. 271-275

  5. Properties of oxide and nitride ceramics after ion-heat modification / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, A. G. Kurakov, V. V. Lopatin // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. — 2000. — Vol. 166-167. — [P. 92-97]. — URL: https://doi.org/10.1016/S0168-583X(99)01217-3

  6. Ion-heat modification of inorganic dielectrics / A. V. Kabyshev [et al.] // 1-st International Congress on Radiation Physics, High Current Electronics, and Modification of Materials : proceedings, Tomsk, Russia, 24-29 September 2000 / 1-st International Congress on Radiation Physics, High Current Electronics, and Modification of Materials ; Tomsk Polytechnic University (TPU). — 2000. — Vol. 1: 11-th International Conference on Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter. — P. 248-252

  7. Кабышев, А. В. Фоточувствительные центры поглощения дефектов и их комплексов в облученном ионами нитриде бора / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Труды X Межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела", Севастополь, 3-8 июля 2000 г. — 2000. — Труды X Межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела", Севастополь, 3-8 июля 2000 г. — C. 164-170

  8. Кабышев, А. В. Электрофизические и оптические свойства нитрида бора после радиационно-термического воздействия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // II Международная конференция "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах", г. Томск, 14-19 августа 2000 г. : тезисы докладов. — 2000. — II Международная конференция "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах", г. Томск, 14-19 августа 2000 г. — С. 160-163

  9. Радиационные дефекты и их комплексы в диэлектриках после ионно-термической модификации / А. В. Кабышев [и др.] // II Международная конференция "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах", г. Томск, 14-19 августа 2000 г. : тезисы докладов. — 2000. — II Международная конференция "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах", г. Томск, 14-19 августа 2000 г. — С. 172-174

  10. Кабышев, А. В. Радиационные дефекты и их комплексы в облученном ионами оксиде алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Физические и физико-химические основы ионной имплантации : V Всероссийский семинар, 11-13 октября 2000 г. : тезисы докладов. — 2000. — Физические и физико-химические основы ионной имплантации. — С. 82-83

  11. Кабышев, А. В. Неорганические материалы с электроизоляционными объемными свойствами и проводящей / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Перспективные материалы, технологии, конструкции-экономика : материалы всероссийской научно-технической конференции, [23-25 мая 2002 г.] : сборник научных трудов . — 2001. — Вып. 7. — С. 178-180

  12. Кабышев, А. В. Радиационные дефекты и их комплексы в облученном ионами нитриде бора / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Тезисы докладов 30 Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, (Москва, 29-31 мая 2000 г.). — 2000. — Тезисы докладов 30 Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, (Москва, 29-31 мая 2000 г.). — С. 156

  13. Кабышев, А. В. Оптические свойства поликристаллического оксида алюминия после облучения ионами хрома и отжига / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ] / Томский политехнический университет (ТПУ). — 2005. — Т. 308, № 7. — [С. 48-53]. — URL: http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2005/v308/i7/11.pdf

  14. Сивков, А. А. Нанесение медного покрытия на алюминиевые контактные поверхности / А. А. Сивков, Ф. В. Конусов, В. Л. Корольков // Перспективные материалы, технологии, конструкции-экономика : материалы всероссийской научно-технической конференции: сборник научных трудов. — 2000. — Вып. 6. — С. 298-300

  15. Кабышев, А. В. Локализованные состояния дефектов и свойства нитрида бора после облучения ионами и термообработки в кислородосодержащей среде / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Радиационная физика твердого тела : труды 9 межнационального совещания, Севастополь, 28 июня-3 июля 1999г. — 1999. — Т. 1. — С. 307-314

  16. Лопатин, В. В. Влияние кислородосодержащей среды на характеристики центров захвата и рекомендации в облученном ионами нитриде бора / В. В. Лопатин, А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Тезисы докладов 29 Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, (Москва, 31 мая - 2 июня 1999 г.). — 1999. — Тезисы докладов 29 Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, (Москва, 31 мая - 2 июня 1999 г.). — С. 154

  17. Модификация оптических и диэлектрических свойств высокодисперсных поликристаллов при ионно-термическом воздействии : отчет о НИР/НИОКР / В. В. Лопатин [и др.]Томск, 1999. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=751195

  18. Оптические и электрофизические свойства термостойких диэлектриков после ионно-термической модификации / А. В. Кабышев [и др.] // Материалы 10-й международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов (РФХ - 10), 21-25 сентября 1999 г., г. Томск / Российская академия наук; Томский политехнический университет; под ред. В. М. Лисицына. — 1999. — Материалы 10-й международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов (РФХ - 10), 21-25 сентября 1999 г., г. Томск. — С. 173-175

  19. Konusov, F. V. Properties of the oxide and nitride ceramics after the ion-heat modification / F. V. Konusov, A. G. Kurakov, V. V. Lopatin // 10th International Conference "Radiation Effects in Insulators", Jena, Germany, July 18-23, 1999. — 1999. — 10th International Conference "Radiation Effects in Insulators", Jena, Germany, July 18-23, 1999. — Р. 117

  20. Лопатин, В. В. Центры поглощения и фоточувствительности в облученном ионами нитриде бора / В. В. Лопатин, А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Тезисы докладов 28 Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, (Москва, 25-28 мая 1998 г.). — 1998. — Тезисы докладов 28 Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, (Москва, 25-28 мая 1998 г.). — С. 140

Страницы: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

GENERAL CONTACT DETAILS:
Tomsk Polytechnic University
30, Lenin Avenue, Tomsk, 634050, Russia
UNIVERSITY OFFICE:
Office 127, 30, Lenin Avenue, Tomsk, 634050, Russia
Telephone: +7(3822) 56-34-70, Fax: +7(3822) 56-38-65
E-mail: tpu@tpu.ru
PORTAL SOLUTIONS DEPARTMENT:
Office 125, 4a, Usov Str., Tomsk, 634050, Russia
Tel./fax: +7(3822) 70-50-85
E-mail: webmaster@tpu.ru
2016 © Tomsk Polytechnic University