SEARCH:
Main > Personal Pages > Конусов Федор Валерьевич > eng > publications

Конусов Федор Валерьевич
Кандидат физико-математических наук

Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Ведущий инженер

Тел.: 8 (3822) 60-61-57
Вн. телефон: 2529
написать сообщение
  
    New Tab     
  1. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma. J. Surf. Invest. 2014. V. 8, 1. P. 158-163.
  2. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Electrical and Photoelectric Properties of Polycrystalline Silicon after High-Intensity Short-Pulse Ion Implantation. Russian Physics Journal. 2013. V. 56, iss. 6. P. 607-611.
  3. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation. Proc. of Univ. Physics. 2012. V. 55, № 12-2. P. 128-132.
  4. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. High Intensive Short Pulsed Ions Implantation Effect on Electrical and Photoelectrical Properties of Polycrystalline Silicon. Proc. of Univ. Physics. 2012. V. 55, № 12-3. P. 58-61.
  5. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Optical properties of GaAs films deposited via pulsed ion ablation. J. Surf. Invest. 2011. V. 5, 2. P. 228-235.
  6. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effect of coimplantation of iron and chromium ions on the optical properties of aluminum oxide. J. Surf. Invest. 2010. V. 4, 2. P. 327-334.
  7. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Peculiarities Of Electrophysical Properties Of Arsenide Gallium Films Deposited Under Nonequilibrium Conditions. Eur. Phys. Techn. Journ. 2010. № 2 (14). P. 53-59.
  8. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Optical properties of aluminum oxide after irradiation with cobalt ions. J. Surf. Invest. 2009. V. 3, 2. P. 304-312.
  9. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effect of titanium ion implantation and the gas atmosphere on the electrophysical properties of alumina. Techn.Phys. 2007. V. 52, 6. P. 734-738.
  10. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov Optical properties of polycrystalline alumina after irradiation with iron ions and annealing. J. Surf. Invest. 2007. V. 1, 2. P. 229-234.
  11. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effects of Fe-ion irradiation and annealing on the optical absorption in sapphire. Inorg. Mat. 2006. V. 42, 7. P. 756-762.
  12. S. N. Grinyaev, F. V. Konusov, V.V. Lopatin, L.N. Shiyan. Optical absorption of hexagonal boron nitride involving nitrogen vacancies and their complexes Phys. Solid State. 2004. V. 46, 3. P. 435-441.
  13. S. N. Grinyaev, F. V. Konusov, V.V. Lopatin. Deep levels of nitrogen vacancy complexes in graphite-like boron nitride. Phys. Solid State. 2002. V. 44, 2. P. 286-293.
  14. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Properties of oxide and nitride ceramics after ion-heat modification. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2000. V. 166-167. P. 92-97.
  15. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. The influence of air on the characteristics of the trapping and recombination centers of boron nitride irradiated with ions. Surface Investigation. 2001. Vol.16, No.5. P.723-729.
  16. V.S. Dedkov, A.V. Kabyshev, V.V. Lopatin, B.N. Sharupin. Properties of rhombohedral pyrolytic boron nitride. Inorg. Mater. 1996. Vol.32, №6. Р.609–614.
  17. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Mechanism of the semiconductor-insulator transition during ion-thermal treatment. Tech. Phys. –1995. –Vpl.40, №8. –Р.860–862.
  18. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Localized states of defects in ion-irradiated dielectrics. Phys. Solid State. 1995. Vol.37, №7. Р.1079–1083.с
  19. F. V. Konusov, V.V. Lopatin. Energetic states in the boron nitride band gap. J. of Phys. and Chem.of Sol. 1992. Т. 53. № 6. С. 847–854.

Список публикаций

Количество записей: 215

  1. Kabyshev, A. V. Peculiarities of optical absorption of aluminum oxide after implantation with cobalt ions / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 2009. — Т. 52, № 8/2 (приложение). — P. 54-57

  2. Photoelectrical properties of GaAs films deposited on polycor by pulsed ions ablation / A. V. Kabyshev [et al.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 2009. — Т. 52, № 8/2 (приложение). — P. 342-345

  3. Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией / А. В. Кабышев [и др.] // Известия вузов. Физика. — 2011. — Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах. — URL: http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Conferences/2011/K02/56.pdf

  4. Кабышев, А. В. Радиационные дефекты и их комплексы в облученных ионами термостойких диэлектриках / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Известия вузов. Физика. — 2000. — Т. 43, № 3. — С. 85-94

  5. Фотоэлектрические свойства пленок высокоомного GaAs, осажденных из абляционной плазмы, формируемой мощным импульсным ионнм пучком / А. В. Кабышев [и др.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 2008. — Т. 51, № 11/2 : материалы VI Международной научной конференции и IV школы-конференции молодых ученых "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах" (8–15 августа 2008 г., г. Томск). — С. 15-20

  6. Кабышев, А. В. О выполнении правила Урбаха в сильно дефектных неорганических диэлектриках / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 2007. — № 2 (Приложение). — С. 28-34

  7. Кабышев, А. В. Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // Известия вузов. Физика : научный журнал. — 2012. — Т. 55, № 6-2. — [С. 32-36]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=18441357

  8. Kabyshev, A. V. The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev // Известия вузов. Физика : научный журнал. — 2012. — Т. 55, № 12-2. — [С. 128-132]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=20133326

  9. Kabyshev, A. V. High Intensive Short Pulsed Ions Implantation Effect on Electrical and Photoelectrical Properties of Polycrystalline Silicon / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev // Известия вузов. Физика : научный журнал. — 2012. — Т. 55, № 12-3. — [С. 58-61]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=19015552

  10. Кабышев, А. В. Электрические и фотоэлектрические свойства поликристаллического кремния после высокоинтенсивной короткоимпульсной имплантации ионов / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // Известия вузов. Физика : научный журнал. — 2013. — Т. 56, № 6. — [С. 3-7]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=19431107&

  11. Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией / А. В. Кабышев [и др.] // Известия вузов. Физика : научный журнал. — 2013. — Т. 56, № 7-2. — [С. 30-37]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=21115151

  12. Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией = Transport charge of gallium arsenide films, synthesized by ionic ablation / А. В. Кабышев [и др.] // Известия вузов. Физика : научный журнал / Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ). — 2014. — Т. 57, № 9/3. — [С. 61-65]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=23274334

  13. Кабышев, А. В. Влияние имплантации ионов титана и газовой среды на электрофизические свойства оксида алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Журнал технической физики. — 2007. — Т. 77, № 6. — [С. 57-61]. — URL: http://journals.ioffe.ru/jtf/2007/06/page-57.html.ru

  14. Konusov, F. V. Mechanism of the semiconductor-insulator transition during ion-thermal treatment / F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, В. В. Лопатин // Technical Physics : the russian journal of applied physics. — 1995. — Vol. 40, № 8. — P. 860-862

  15. Кабышев, А. В. Механизмы перехода диэлектрик-полупроводник при ионно-термической обработке / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Журнал технической физики / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ). — 1995. — Т. 65, вып. 8. — С. 200-204

Страницы: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

GENERAL CONTACT DETAILS:
Tomsk Polytechnic University
30, Lenin Avenue, Tomsk, 634050, Russia
UNIVERSITY OFFICE:
Office 127, 30, Lenin Avenue, Tomsk, 634050, Russia
Telephone: +7(3822) 56-34-70, Fax: +7(3822) 56-38-65
E-mail: tpu@tpu.ru
PORTAL SOLUTIONS DEPARTMENT:
Office 125, 4a, Usov Str., Tomsk, 634050, Russia
Tel./fax: +7(3822) 70-50-85
E-mail: webmaster@tpu.ru
2016 © Tomsk Polytechnic University