SEARCH:
Main > Personal Pages > Конусов Федор Валерьевич > eng > publications

Конусов Федор Валерьевич
Кандидат физико-математических наук

Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Ведущий инженер

Тел.: 8 (3822) 60-61-57
Вн. телефон: 2529
написать сообщение
  
    New Tab     
  1. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma. J. Surf. Invest. 2014. V. 8, 1. P. 158-163.
  2. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Electrical and Photoelectric Properties of Polycrystalline Silicon after High-Intensity Short-Pulse Ion Implantation. Russian Physics Journal. 2013. V. 56, iss. 6. P. 607-611.
  3. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation. Proc. of Univ. Physics. 2012. V. 55, № 12-2. P. 128-132.
  4. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. High Intensive Short Pulsed Ions Implantation Effect on Electrical and Photoelectrical Properties of Polycrystalline Silicon. Proc. of Univ. Physics. 2012. V. 55, № 12-3. P. 58-61.
  5. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Optical properties of GaAs films deposited via pulsed ion ablation. J. Surf. Invest. 2011. V. 5, 2. P. 228-235.
  6. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effect of coimplantation of iron and chromium ions on the optical properties of aluminum oxide. J. Surf. Invest. 2010. V. 4, 2. P. 327-334.
  7. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Peculiarities Of Electrophysical Properties Of Arsenide Gallium Films Deposited Under Nonequilibrium Conditions. Eur. Phys. Techn. Journ. 2010. № 2 (14). P. 53-59.
  8. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Optical properties of aluminum oxide after irradiation with cobalt ions. J. Surf. Invest. 2009. V. 3, 2. P. 304-312.
  9. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effect of titanium ion implantation and the gas atmosphere on the electrophysical properties of alumina. Techn.Phys. 2007. V. 52, 6. P. 734-738.
  10. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov Optical properties of polycrystalline alumina after irradiation with iron ions and annealing. J. Surf. Invest. 2007. V. 1, 2. P. 229-234.
  11. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effects of Fe-ion irradiation and annealing on the optical absorption in sapphire. Inorg. Mat. 2006. V. 42, 7. P. 756-762.
  12. S. N. Grinyaev, F. V. Konusov, V.V. Lopatin, L.N. Shiyan. Optical absorption of hexagonal boron nitride involving nitrogen vacancies and their complexes Phys. Solid State. 2004. V. 46, 3. P. 435-441.
  13. S. N. Grinyaev, F. V. Konusov, V.V. Lopatin. Deep levels of nitrogen vacancy complexes in graphite-like boron nitride. Phys. Solid State. 2002. V. 44, 2. P. 286-293.
  14. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Properties of oxide and nitride ceramics after ion-heat modification. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2000. V. 166-167. P. 92-97.
  15. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. The influence of air on the characteristics of the trapping and recombination centers of boron nitride irradiated with ions. Surface Investigation. 2001. Vol.16, No.5. P.723-729.
  16. V.S. Dedkov, A.V. Kabyshev, V.V. Lopatin, B.N. Sharupin. Properties of rhombohedral pyrolytic boron nitride. Inorg. Mater. 1996. Vol.32, №6. Р.609–614.
  17. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Mechanism of the semiconductor-insulator transition during ion-thermal treatment. Tech. Phys. –1995. –Vpl.40, №8. –Р.860–862.
  18. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Localized states of defects in ion-irradiated dielectrics. Phys. Solid State. 1995. Vol.37, №7. Р.1079–1083.с
  19. F. V. Konusov, V.V. Lopatin. Energetic states in the boron nitride band gap. J. of Phys. and Chem.of Sol. 1992. Т. 53. № 6. С. 847–854.

Список публикаций

По техническим причинам добавление новых публикаций временно недоступно.

Количество записей: 212

  1. Кабышев, Александр Васильевич. Локализованные состояния дефектов и свойства облученных ионами диэлектриков / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Радиационная физика твердого тела тезисы докладов V Межнационального совещания, (Севастополь, 26 июня - 2 июля 1995 г.): . — Севастополь : 1995 . — С. 70 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..

  2. Кабышев, Александр Васильевич. Механизм перехода диэлектриков в полупроводящее состояние при ионно-термической обработке / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Вакуумная наука и техника Вторая научно-техническая конференция, Гурзуф, 2-9 октября : материалы конференции: . — Москва : МГИЭМ , 1995 . — С. 192 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..

  3. Konusov, Fedor Valerievich. Localized states of defects in ion-irradiated dielectrics / F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V. V. Lopatin // Physics of the Solid State . — 1995 . — Vol. 37, № 7 . — Р.1079-1083 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..

  4. Konusov, Fedor Valerievich. Mechanism of the semiconductor-insulator transition during ion-thermal treatment / F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, В. В. Лопатин // Technical Physics the russian journal of applied physics: . — 1995 . — Vol. 40, № 8 . — P. 860-862 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..

  5. Кабышев, Александр Васильевич. Физико-химическое состояние, свойства и электроперенос неорганических диэлектриков после ионно-пучковой обработки / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Proceedings of 1st International Symposium Beam Technologies, BT' 95, Dubna, Russia, February 28 - March 4, 1995 . — Дубна : ОИЯИ , 1995 . — С. 28 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..

  6. Лопатин, Владимир Васильевич. Электронная структура запрещенной зоны облученного нейтронами нитрида бора / В. В. Лопатин, Ф. В. Конусов // 8-я конференция по радиационной физике и химии неорганических материалов РФХ-8 сборник тезисов докладов, 10-12 ноября 1993 г., Томск: / Томский политехнический университет (ТПУ) . — 1993 . — Т. 2 . — С. 48 .

  7. Лопатин, Владимир Васильевич. Дефектообразование и электроперенос в имплантированных керамических диэлектриках / В. В. Лопатин, Ф. В. Конусов, А. В. Кабышев // Взаимодействие ионов с поверхностью материалы XI Международной конференции, 7-11 сентября 1993 г., Москва: . — 1993 . — Т. 3 . — С. 84-86 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..

  8. Конусов, Фёдор Валерьевич. Центры захвата и рекомбинации носителей заряда в керамике на основе нитрида бора : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : спец. 01.04.07 / Ф. В. Конусов; Томский политехнический университет (ТПУ), Научно-исследовательский институт высоких напряжений (НИИВН) ; науч. рук. В. В. Лопатин. — Томск: Б.и., 1993. — Защита сост. 20.05.1993 г. в ТГУ. — Заглавие с титульного экрана. — Электронная версия печатной публикации. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  9. Лопатин, Владимир Васильевич. Исследование дефектов в BN после нейтронного облучения методом термоактивационной спектроскопии / В. В. Лопатин, Ф. В. Конусов // Радиационная физика твердого тела тезисы докладов межотраслевого совещания, Севастополь, 1-6 июня 1992: . — Севастополь : 1992 . — С. 66-67 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..

  10. Lopatin, Vladimir Vasilyevich. Energetic states in the boron nitride band gap / V. V. Lopatin, F. V. Konusov // Journal of Physics and Chemistry of Solids Scientific Journal: . — 1992 . — Vol. 53, iss. 6 . — [P. 847–854] . — Title screen. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  11. Отжиговые изменения дефектов и диэлектрических свойств в облученном нейтронами нитриде бора / А. В. Кабышев [и др.] // Радиационные гетерогенные процессы тезисы докладов 5 Всесоюзного совещания, Кемерово, 28-31 мая 1990: . — 1990 . — Ч. 1 . — С. 139 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..

  12. Galanov, Yury Ivanovich. Trapping centers and recombination in pyrolytic boron nitride / Yu. I. Galanov, F. V. Konusov, V. V. Lopatin // Russian Physics Journal . — 1989 . — Vol. 32, iss. 11 . — [С. 926-929] . — Title screen. — [Ref.: p. 929 (11 tit.)]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

Страницы: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

GENERAL CONTACT DETAILS:
Tomsk Polytechnic University
30, Lenin Avenue, Tomsk, 634050, Russia
UNIVERSITY OFFICE:
Office 127, 30, Lenin Avenue, Tomsk, 634050, Russia
Telephone: +7(3822) 56-34-70, Fax: +7(3822) 56-38-65
E-mail: tpu@tpu.ru
PORTAL SOLUTIONS DEPARTMENT:
Office 125, 4a, Usov Str., Tomsk, 634050, Russia
Tel./fax: +7(3822) 70-50-85
E-mail: webmaster@tpu.ru
2016 © Tomsk Polytechnic University