SEARCH:
Main > Personal Pages > Конусов Федор Валерьевич > eng > publications

Конусов Федор Валерьевич
Кандидат физико-математических наук

Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Ведущий инженер


Вн. телефон: 5406
написать сообщение
  
    New Tab     
  1. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma. J. Surf. Invest. 2014. V. 8, 1. P. 158-163.
  2. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Electrical and Photoelectric Properties of Polycrystalline Silicon after High-Intensity Short-Pulse Ion Implantation. Russian Physics Journal. 2013. V. 56, iss. 6. P. 607-611.
  3. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation. Proc. of Univ. Physics. 2012. V. 55, № 12-2. P. 128-132.
  4. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. High Intensive Short Pulsed Ions Implantation Effect on Electrical and Photoelectrical Properties of Polycrystalline Silicon. Proc. of Univ. Physics. 2012. V. 55, № 12-3. P. 58-61.
  5. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Optical properties of GaAs films deposited via pulsed ion ablation. J. Surf. Invest. 2011. V. 5, 2. P. 228-235.
  6. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effect of coimplantation of iron and chromium ions on the optical properties of aluminum oxide. J. Surf. Invest. 2010. V. 4, 2. P. 327-334.
  7. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Peculiarities Of Electrophysical Properties Of Arsenide Gallium Films Deposited Under Nonequilibrium Conditions. Eur. Phys. Techn. Journ. 2010. № 2 (14). P. 53-59.
  8. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Optical properties of aluminum oxide after irradiation with cobalt ions. J. Surf. Invest. 2009. V. 3, 2. P. 304-312.
  9. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effect of titanium ion implantation and the gas atmosphere on the electrophysical properties of alumina. Techn.Phys. 2007. V. 52, 6. P. 734-738.
  10. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov Optical properties of polycrystalline alumina after irradiation with iron ions and annealing. J. Surf. Invest. 2007. V. 1, 2. P. 229-234.
  11. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effects of Fe-ion irradiation and annealing on the optical absorption in sapphire. Inorg. Mat. 2006. V. 42, 7. P. 756-762.
  12. S. N. Grinyaev, F. V. Konusov, V.V. Lopatin, L.N. Shiyan. Optical absorption of hexagonal boron nitride involving nitrogen vacancies and their complexes Phys. Solid State. 2004. V. 46, 3. P. 435-441.
  13. S. N. Grinyaev, F. V. Konusov, V.V. Lopatin. Deep levels of nitrogen vacancy complexes in graphite-like boron nitride. Phys. Solid State. 2002. V. 44, 2. P. 286-293.
  14. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Properties of oxide and nitride ceramics after ion-heat modification. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2000. V. 166-167. P. 92-97.
  15. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. The influence of air on the characteristics of the trapping and recombination centers of boron nitride irradiated with ions. Surface Investigation. 2001. Vol.16, No.5. P.723-729.
  16. V.S. Dedkov, A.V. Kabyshev, V.V. Lopatin, B.N. Sharupin. Properties of rhombohedral pyrolytic boron nitride. Inorg. Mater. 1996. Vol.32, №6. Р.609–614.
  17. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Mechanism of the semiconductor-insulator transition during ion-thermal treatment. Tech. Phys. –1995. –Vpl.40, №8. –Р.860–862.
  18. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Localized states of defects in ion-irradiated dielectrics. Phys. Solid State. 1995. Vol.37, №7. Р.1079–1083.с
  19. F. V. Konusov, V.V. Lopatin. Energetic states in the boron nitride band gap. J. of Phys. and Chem.of Sol. 1992. Т. 53. № 6. С. 847–854.

Список публикаций

Количество записей: 216

  1. Модификация оптических и диэлектрических свойств высокодисперсных поликристаллов при ионно-термическом воздействии : отчет о НИР/НИОКР / В. В. Лопатин [и др.]Томск, 1999. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=751195

  2. Кабышев, А. В. Трансформация радиационных дефектов при ионно-термической модификации термостойких керамических диэлектриков / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Международная конференция "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах", 22-25 сентября 1998 г., г. Томск : тезисы докладов / Томский политехнический университет. — 1998. — С. 7-9

  3. Лопатин, В. В. Центры поглощения и фоточувствительности в облученном ионами нитриде бора / В. В. Лопатин, А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Тезисы докладов 28 Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, (Москва, 25-28 мая 1998 г.). — 1998. — С. 140

  4. Кабышев, А. В. Влияние дефектообразования на электрофизические и оптические свойства облученных ионами диэлектриков / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Труды VIII Межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 29 июня-4 июля 1998 г.). — 1998. — С. 143-147

  5. Кабышев, А. В. Центры поглощения, рекомбинации и фоточувствительности в нитриде бора после ионно-термической модификации / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Физические и физико-химические основы ионной имплантации : IV Всероссийский семинар, 9-11 июня 1998 г. : тезисы докладов. — 1998. — С. 88-89

  6. Кабышев, А. В. Ионно-термическая модификация свойств широкозонных неорганических диэлектриков / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Физико-химические процессы в неорганических материалах : тезисы докладов седьмой международной конференции, 6-9 октября 1998 г. — 1998. — Ч. 3. — С. 35-36

  7. Кабышев, А. В. Центры рекомбинации и фоточувствительности в облученном ионами нитриде бора / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Физика и химия обработки материалов. — 1997. — № 6. — С. 21-26

  8. Лопатин, В. В. Оптические и фотоэлектрические центры в нитриде бора после облучения ионами при высокой температуре / В. В. Лопатин, А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Тезисы докладов 27 Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, (Москва, 26-28 мая 1997 г.). — 1997. — С. 159

  9. Кабышев, А. В. Локализованные состояния дефектов и свойства нитрида бора после облучения ионами при высокой температуре / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Радиационная физика твердого тела : материалы VII Межнационального совещания (Севастополь, 30 июня - 5 июля 1997 г.). — 1997. — С. 66-68

  10. Модификация оптических и диэлектрических свойств высокодисперсных поликристаллов при ионно-термическом воздействии : отчет о НИР/НИОКР / В. В. Лопатин [и др.]Томск, 1997. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=230991

  11. Кабышев, А. В. Стимулированный ионно-термической обработкой переход термостойкий диэлектрик-полупроводник / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // IV Всероссийская Конференция по модификации свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц, 13-17 мая 1996 года, г. Томск : тезисы докладов. — 1996. — С. 247-249

  12. Свойства пиролитического ромбоэдрического нитрида бора / В. С. Дедков [и др.] // Неорганические материалы / Российская академия наук (РАН), Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова (ИОНХ). — 1996. — Т. 32, № 6. — С. 690-695

  13. Электрофизические свойства поликристаллического сфалеритного нитрида бора / А. В. Кабышев [и др.] // Неорганические материалы / Российская академия наук (РАН), Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова (ИОНХ). — 1996. — Т. 32, № 2. — С. 165-170

  14. Кабышев, А. В. Ионно-термическая модификация неорганических диэлектрических материалов / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Известия вузов. Физика. — 1996. — № 4 (Приложение). — С. 55-62

  15. Кабышев, А. В. Центры рекомбинации и фоточувствительности в облученном ионами нитриде бора / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // ХХVI Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, г. Москва, 27-29 мая 1996 г. : тезисы докладов. — 1996. — С. 98

  16. Properties of rhombohedral pyrolytic boron nitride / V. S. Dedkov [et al.] // Inorganic Materials. — 1996. — Vol. 32, № 6. — P. 609-614

  17. Konusov, F. V. Ion beam modification of the dielectric materials / F. V. Konusov, V. V. Lopatin // BEAMS' 96 : proceedings of the 11th International conference on high power particle Beams, Prague, Czech Republic, june 10-14, 1996. — 1996. — Vol. 1. — P. 3-27

  18. Physical properties of polycrystalline cubic boron nitride / A. V. Kabyshev [et al.] // Inorganic Materials. — 1996. — Vol. 32, № 2. — P. 146-150

  19. Кабышев, А. В. Распределение локализованных в запрещенной зоне состояний и модель электронных переходов в облученных ионами диэлектриках / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Поверхность. Физика, химия, механика. — 1995. — № 12. — С. 33-37

  20. Кабышев, А. В. Механизмы перехода диэлектрик-полупроводник при ионно-термической обработке / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Журнал технической физики / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ). — 1995. — Т. 65, вып. 8. — С. 200-204

Страницы: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

GENERAL CONTACT DETAILS:
Tomsk Polytechnic University
30, Lenin Avenue, Tomsk, 634050, Russia
UNIVERSITY OFFICE:
Office 127, 30, Lenin Avenue, Tomsk, 634050, Russia
Telephone: +7(3822) 56-34-70, Fax: +7(3822) 56-38-65
E-mail: tpu@tpu.ru
PORTAL SOLUTIONS DEPARTMENT:
Office 125, 4a, Usov Str., Tomsk, 634050, Russia
Tel./fax: +7(3822) 70-50-85
E-mail: webmaster@tpu.ru
2016 © Tomsk Polytechnic University