SEARCH:
Main > Personal Pages > Конусов Федор Валерьевич > eng > publications

Конусов Федор Валерьевич
Кандидат физико-математических наук

Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Ведущий инженер

Тел.: 8 (3822) 60-61-57
Вн. телефон: 2529
написать сообщение
  
    New Tab     
  1. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma. J. Surf. Invest. 2014. V. 8, 1. P. 158-163.
  2. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Electrical and Photoelectric Properties of Polycrystalline Silicon after High-Intensity Short-Pulse Ion Implantation. Russian Physics Journal. 2013. V. 56, iss. 6. P. 607-611.
  3. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation. Proc. of Univ. Physics. 2012. V. 55, № 12-2. P. 128-132.
  4. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. High Intensive Short Pulsed Ions Implantation Effect on Electrical and Photoelectrical Properties of Polycrystalline Silicon. Proc. of Univ. Physics. 2012. V. 55, № 12-3. P. 58-61.
  5. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Optical properties of GaAs films deposited via pulsed ion ablation. J. Surf. Invest. 2011. V. 5, 2. P. 228-235.
  6. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effect of coimplantation of iron and chromium ions on the optical properties of aluminum oxide. J. Surf. Invest. 2010. V. 4, 2. P. 327-334.
  7. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Peculiarities Of Electrophysical Properties Of Arsenide Gallium Films Deposited Under Nonequilibrium Conditions. Eur. Phys. Techn. Journ. 2010. № 2 (14). P. 53-59.
  8. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Optical properties of aluminum oxide after irradiation with cobalt ions. J. Surf. Invest. 2009. V. 3, 2. P. 304-312.
  9. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effect of titanium ion implantation and the gas atmosphere on the electrophysical properties of alumina. Techn.Phys. 2007. V. 52, 6. P. 734-738.
  10. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov Optical properties of polycrystalline alumina after irradiation with iron ions and annealing. J. Surf. Invest. 2007. V. 1, 2. P. 229-234.
  11. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effects of Fe-ion irradiation and annealing on the optical absorption in sapphire. Inorg. Mat. 2006. V. 42, 7. P. 756-762.
  12. S. N. Grinyaev, F. V. Konusov, V.V. Lopatin, L.N. Shiyan. Optical absorption of hexagonal boron nitride involving nitrogen vacancies and their complexes Phys. Solid State. 2004. V. 46, 3. P. 435-441.
  13. S. N. Grinyaev, F. V. Konusov, V.V. Lopatin. Deep levels of nitrogen vacancy complexes in graphite-like boron nitride. Phys. Solid State. 2002. V. 44, 2. P. 286-293.
  14. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Properties of oxide and nitride ceramics after ion-heat modification. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2000. V. 166-167. P. 92-97.
  15. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. The influence of air on the characteristics of the trapping and recombination centers of boron nitride irradiated with ions. Surface Investigation. 2001. Vol.16, No.5. P.723-729.
  16. V.S. Dedkov, A.V. Kabyshev, V.V. Lopatin, B.N. Sharupin. Properties of rhombohedral pyrolytic boron nitride. Inorg. Mater. 1996. Vol.32, №6. Р.609–614.
  17. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Mechanism of the semiconductor-insulator transition during ion-thermal treatment. Tech. Phys. –1995. –Vpl.40, №8. –Р.860–862.
  18. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Localized states of defects in ion-irradiated dielectrics. Phys. Solid State. 1995. Vol.37, №7. Р.1079–1083.с
  19. F. V. Konusov, V.V. Lopatin. Energetic states in the boron nitride band gap. J. of Phys. and Chem.of Sol. 1992. Т. 53. № 6. С. 847–854.

Список публикаций

Количество записей: 216

  1. Lopatin, V. V. Energetic states in the boron nitride band gap / V. V. Lopatin, F. V. Konusov // Journal of Physics and Chemistry of Solids : Scientific Journal. — 1992. — Vol. 53, iss. 6. — [P. 847–854]. — URL: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/002236979290199N

  2. Свойства пиролитического ромбоэдрического нитрида бора / В. С. Дедков [и др.] // Неорганические материалы / Российская академия наук (РАН), Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова (ИОНХ). — 1996. — Т. 32, № 6. — С. 690-695

  3. Электрофизические свойства поликристаллического сфалеритного нитрида бора / А. В. Кабышев [и др.] // Неорганические материалы / Российская академия наук (РАН), Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова (ИОНХ). — 1996. — Т. 32, № 2. — С. 165-170

  4. Кабышев, А. В. Влияние облучения ионами железа и отжига на оптическое поглощение лейкосапфира / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Неорганические материалы / Российская академия наук (РАН), Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова (ИОНХ). — 2006. — Т. 42, № 7. — С. 836-842

  5. Отжиговые изменения дефектов и диэлектрических свойств в облученном нейтронами нитриде бора / А. В. Кабышев [и др.] // Радиационные гетерогенные процессы : тезисы докладов 5 Всесоюзного совещания, Кемерово, 28-31 мая 1990. — 1990. — Ч. 1. — С. 139

  6. Galanov, Yu. I. Trapping centers and recombination in pyrolytic boron nitride / Yu. I. Galanov, F. V. Konusov, V. V. Lopatin // Russian Physics Journal. — 1989. — Vol. 32, iss. 11. — [С. 926-929]. — URL: http://link.springer.com/article/10.1007/BF00898966

  7. Кабышев, А. В. Распределение локализованных в запрещенной зоне состояний и модель электронных переходов в облученных ионами диэлектриках / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Поверхность. Физика, химия, механика. — 1995. — № 12. — С. 33-37

  8. Influence of the High-Intensity Short-Pulse Implantation of Ions on the Properties of Polycrystalline Silicon / A. V. Kabyshev [et al.] // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. — 2014. — Vol. 8, iss. 6. — [P. 1168-1173]. — URL: http://link.springer.com/article/10.1134/S1027451014060068

  9. Konusov, F. V. The influence of air on the characteristics of the trapping and recombination centers of boron nitride irradiated with ions / F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V. V. Lopatin // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. — 2001. — Vol. 16, № 5. — P. 723-729

  10. Кабышев, А. В. Центры рекомбинации и фоточувствительности в облученном ионами нитриде бора / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Физика и химия обработки материалов. — 1997. — № 6. — С. 21-26

  11. Кабышев, А. В. Электрофизические и оптические свойства облученного ионами титана оксида алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Физика и химия обработки материалов / Российская академия наук (РАН), Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова (ИМЕТ). — 2002. — № 6. — С. 15-20

  12. Кабышев, А. В. Комплексы радиационных дефектов в облученном ионами нитриде алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Физика и химия обработки материалов / Российская академия наук (РАН), Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова (ИМЕТ). — 2004. — № 1. — С. 5-12

  13. Кабышев, А. В. Влияние комплексов дефектов на оптическое поглощение оксида алюминия, облученного ионами алюминия и кремния / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Физика и химия обработки материалов / Российская академия наук (РАН), Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова (ИМЕТ). — 2005. — № 3. — С. 21-28

  14. Properties of rhombohedral pyrolytic boron nitride / V. S. Dedkov [et al.] // Inorganic Materials. — 1996. — Vol. 32, № 6. — P. 609-614

  15. Physical properties of polycrystalline cubic boron nitride / A. V. Kabyshev [et al.] // Inorganic Materials. — 1996. — Vol. 32, № 2. — P. 146-150

  16. Гриняев, С. Н. Глубокие уровни комплексов вакансий азота в графитоподобном нитриде бора / С. Н. Гриняев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Физика твердого тела. — 2002. — Т. 44, № 2. — С. 275-282

  17. Кабышев, А. В. Локализованные состояния дефектов в облученных ионами диэлектриках / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Физика твердого тела. — 1995. — Т. 37, № 7. — С. 1981-1989

  18. Оптическое поглощение гексагонального нитрида бора с участием вакансий азота и их комплексов / С. Н. Гриняев [и др.] // Физика твердого тела / Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. — 2004. — Т. 46, № 3. — С. 424-429

  19. Konusov, F. V. Localized states of defects in ion-irradiated dielectrics / F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V. V. Lopatin // Physics of the Solid State. — 1995. — Vol. 37, № 7. — Р.1079-1083

  20. Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией / А. В. Кабышев [и др.] // Известия вузов. Физика. — 2011. — Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах. — URL: http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Conferences/2011/K02/56.pdf

Страницы: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11