SEARCH:
Main > Personal Pages > Конусов Федор Валерьевич > eng > publications

Конусов Федор Валерьевич
Кандидат физико-математических наук

Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Ведущий инженер

Тел.: 8 (3822) 60-61-57
Вн. телефон: 2529
написать сообщение
  
    New Tab     
  1. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma. J. Surf. Invest. 2014. V. 8, 1. P. 158-163.
  2. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Electrical and Photoelectric Properties of Polycrystalline Silicon after High-Intensity Short-Pulse Ion Implantation. Russian Physics Journal. 2013. V. 56, iss. 6. P. 607-611.
  3. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation. Proc. of Univ. Physics. 2012. V. 55, № 12-2. P. 128-132.
  4. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. High Intensive Short Pulsed Ions Implantation Effect on Electrical and Photoelectrical Properties of Polycrystalline Silicon. Proc. of Univ. Physics. 2012. V. 55, № 12-3. P. 58-61.
  5. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Optical properties of GaAs films deposited via pulsed ion ablation. J. Surf. Invest. 2011. V. 5, 2. P. 228-235.
  6. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effect of coimplantation of iron and chromium ions on the optical properties of aluminum oxide. J. Surf. Invest. 2010. V. 4, 2. P. 327-334.
  7. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev. Peculiarities Of Electrophysical Properties Of Arsenide Gallium Films Deposited Under Nonequilibrium Conditions. Eur. Phys. Techn. Journ. 2010. № 2 (14). P. 53-59.
  8. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Optical properties of aluminum oxide after irradiation with cobalt ions. J. Surf. Invest. 2009. V. 3, 2. P. 304-312.
  9. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effect of titanium ion implantation and the gas atmosphere on the electrophysical properties of alumina. Techn.Phys. 2007. V. 52, 6. P. 734-738.
  10. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov Optical properties of polycrystalline alumina after irradiation with iron ions and annealing. J. Surf. Invest. 2007. V. 1, 2. P. 229-234.
  11. A. V. Kabyshev, F. V. Konusov. Effects of Fe-ion irradiation and annealing on the optical absorption in sapphire. Inorg. Mat. 2006. V. 42, 7. P. 756-762.
  12. S. N. Grinyaev, F. V. Konusov, V.V. Lopatin, L.N. Shiyan. Optical absorption of hexagonal boron nitride involving nitrogen vacancies and their complexes Phys. Solid State. 2004. V. 46, 3. P. 435-441.
  13. S. N. Grinyaev, F. V. Konusov, V.V. Lopatin. Deep levels of nitrogen vacancy complexes in graphite-like boron nitride. Phys. Solid State. 2002. V. 44, 2. P. 286-293.
  14. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Properties of oxide and nitride ceramics after ion-heat modification. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2000. V. 166-167. P. 92-97.
  15. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. The influence of air on the characteristics of the trapping and recombination centers of boron nitride irradiated with ions. Surface Investigation. 2001. Vol.16, No.5. P.723-729.
  16. V.S. Dedkov, A.V. Kabyshev, V.V. Lopatin, B.N. Sharupin. Properties of rhombohedral pyrolytic boron nitride. Inorg. Mater. 1996. Vol.32, №6. Р.609–614.
  17. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Mechanism of the semiconductor-insulator transition during ion-thermal treatment. Tech. Phys. –1995. –Vpl.40, №8. –Р.860–862.
  18. F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V.V. Lopatin. Localized states of defects in ion-irradiated dielectrics. Phys. Solid State. 1995. Vol.37, №7. Р.1079–1083.с
  19. F. V. Konusov, V.V. Lopatin. Energetic states in the boron nitride band gap. J. of Phys. and Chem.of Sol. 1992. Т. 53. № 6. С. 847–854.

Список публикаций

Количество записей: 215

  1. Кабышев, А. В. Комплексы радиационных дефектов в облученном ионами оксиде алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // URL: http://danp.sinp.msu.ru/abstracts2004.pdf#page=117

  2. Кабышев, А. В. Комплексы радиационных дефектов в облученном ионами алюминия и кремния оксиде алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах : труды IV Международной научной конференции, Томск, 12-19 августа 2004 г. / Российский фонд фундаментальных исследований; Томский политехнический университет и др. — 2004. — Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах. — С. 18-21

  3. Kabyshev, A. V. Complexes of induced defects in ions irradiated aluminum nitride / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov // V-th International Conference on Ion Implantation and other Application of Ions and Electrons, June 14-17, 2004, Kazimierz Dolny, Poland : abstracts. — 2004. — V-th International Conference on Ion Implantation and other Application of Ions and Electrons, June 14-17, 2004, Kazimierz Dolny, Poland : abstracts. — P. 103

  4. Кабышев, А. В. Кислородосодержащие комплексы дефектов в нитриде алюминия после ионно-термической обработки / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Труды 12 Международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов РФХ-12, Томск, 23-27 сентября 2003. — 2003. — Труды 12 Международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов РФХ-12, Томск, 23-27 сентября 2003. — С. 251-255

  5. Кабышев, А. В. Влияние комплексов радиационных дефектов на оптические свойства облученного ионами нитрида алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Радиационная физика твердого тела : труды 13 международного совещания, Севастополь, 30 июня-5 июля 2003 г. — 2003. — Радиационная физика твердого тела. — С. 186-190

  6. Кабышев, А. В. Неравновесное состояние нитридокерамических диэлектриков после имплантации ионов / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы международной конференции, посвященной 125-летию ТПУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ, Томск, 29 сентября - 4 октября 2003. — 2003. — Современные проблемы физики и высокие технологии. — С. 18-19

  7. Кабышев, А. В. Комплексы радиационных дефектов в облученном ионами нитриде алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Тезисы докладов ХХХIII Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, (Москва, 26-28 мая 2003 г.). — 2003. — Тезисы докладов ХХХIII Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, (Москва, 26-28 мая 2003 г.). — C. 89

  8. Grinyaev, S. N. Deep levels of nitrogen vacancy complexes in graphite-like boron nitride / S. N. Grinyaev, F. V. Konusov, V. V. Lopatin // Physics of the Solid State : Scientific Journal. — 2002. — Vol. 44, iss. 2. — [P. 286-293]. — URL: http://link.springer.com/article/10.1134%2F1.1451015

  9. Electrophysical and optical properties of inorganic dielectrics after high-temperature implantation of ion / A. V. Kabyshev [et al.] // Korus 2002 : The 6th Russian-Korean International Symposium On Science and Technology, June 24-30, 2002, At the Novosibirsk State Technical University Russia / Novosibirsk State Technical University ; Tomsk Polytechnic University. — 2002. — Vol. 3. — P. 220

  10. Кабышев, А. В. Локализованные состояния дефектов и свойства нитрида бора после высокотемпературной имплантации ионов / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Тезисы докладов ХХХII Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, 27-29 мая 2002 г. — 2002. — Тезисы докладов ХХХII Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, 27-29 мая 2002 г. — С. 156

  11. Кабышев, А. В. Влияние ионной имплантации при повышенных температурах на оптическое поглощение и фоточувствительность нитрида бора / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Труды ХII Международного совещания "Радиационная физика твердого тела", (Севастополь, 1-6 июня 2002 г.). — 2002. — Труды ХII Международного совещания "Радиационная физика твердого тела", (Севастополь, 1-6 июня 2002 г.). — C. 347-351

  12. Кабышев, А. В. Радиационные дефекты и их комплексы после ионно-термической модификации неорганических диэлектриков / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Труды 6 Международной конференции по модификации материалов пучками частиц и плазменными потоками, Томск, 23-28 сентября 2002 г. — 2002. — Труды 6 Международной конференции по модификации материалов пучками частиц и плазменными потоками, Томск, 23-28 сентября 2002 г. — С. 455-458

  13. Кабышев, А. В. Ионно-термическая модификация свойств неорганических диэлектриков / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах : Труды III Международной конференции , Томск, 29 июля - 3 августа 2002 г. / Российская Академия естественных наук; Томский политехнический университет; Алтайский государственный технический университет; Бурятский научный центр. — 2002. — Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах. — С. 71-73.

  14. Кабышев, А. В. Радиационные дефекты и их комплексы в облучённом ионами оксиде алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах : Труды III Международной конференции , Томск, 29 июля - 3 августа 2002 г. / Российская Академия естественных наук; Томский политехнический университет; Алтайский государственный технический университет; Бурятский научный центр. — 2002. — Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах. — С. 77-79.

  15. Kabyshev, A. V. Ion-heat modification of inorganic dielectrics properties / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov // 6th International Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows, 23-28 September, 2002, Tomsk, Russia : proceedings. — 2002. — 6th International Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows, 23-28 September, 2002, Tomsk, Russia : proceedings. — P. 365-368

  16. Kabyshev, A. V. Defects complexes in ion irradiated polycrystalline alumina / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov // IV-th International Symposium on Ion Implantation and other Application of Ions and Electrons, June 10-13, 2002, Kazimierz Dolny, Poland : abstracts. — 2002. — IV-th International Symposium on Ion Implantation and other Application of Ions and Electrons, June 10-13, 2002, Kazimierz Dolny, Poland : abstracts. — P-33

  17. Кабышев, А. В. Электрофизические и оптические свойства облученного ионами оксида алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Тезисы докладов ХХХI Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, (Москва, 28-30 мая 2001 г.). — 2001. — Тезисы докладов ХХХI Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, (Москва, 28-30 мая 2001 г.). — C. 155

  18. Кабышев, А. В. Диэлектрические свойства нитрида бора после высокотемпературной имплантации ионов / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Труды ХI Межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела", (Севастополь, 25-30 июня 2001 г.). — 2001. — Труды ХI Межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела", (Севастополь, 25-30 июня 2001 г.). — С. 481-485

  19. Гриняев, С. Н. Комплексы анионных вакансий в неорганических диэлектриках после облучения / С. Н. Гриняев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Труды ХI Межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела", (Севастополь, 25-30 июня 2001 г.). — 2001. — Труды ХI Межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела", (Севастополь, 25-30 июня 2001 г.). — С. 486-490

  20. Kabyshev, A. V. Ion-Heat Modification of Inorganic Dielectrics Properties / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov // Взаимодействие излучений с твердым телом : ВИТТ-2001 : материалы IV Международной конференции, Минск, 3-5 октября 2001 г. — 2001. — Взаимодействие излучений с твердым телом : ВИТТ-2001 : материалы IV Международной конференции, Минск, 3-5 октября 2001 г. — C. 255-257

Страницы: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

GENERAL CONTACT DETAILS:
Tomsk Polytechnic University
30, Lenin Avenue, Tomsk, 634050, Russia
UNIVERSITY OFFICE:
Office 127, 30, Lenin Avenue, Tomsk, 634050, Russia
Telephone: +7(3822) 56-34-70, Fax: +7(3822) 56-38-65
E-mail: tpu@tpu.ru
PORTAL SOLUTIONS DEPARTMENT:
Office 125, 4a, Usov Str., Tomsk, 634050, Russia
Tel./fax: +7(3822) 70-50-85
E-mail: webmaster@tpu.ru
2016 © Tomsk Polytechnic University