Электрическая прочность полиоксидных структур, сформированных на поверхности композиционных материалов при нагревании после предварительной лазерной обработки / В. П. Нестеренко [и др.] // Физика и химия обработки материалов / Российская академия наук (РАН), Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова (ИМЕТ). — 2002. — № 5. — С. 9-13
Диэлектрические свойства полиоксидных структур на поверхности твердых сплавов после предварительной обработки мощным ионным пучком / В. П. Нестеренко [и др.] // Физика и химия обработки материалов / Российская академия наук (РАН), Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова (ИМЕТ). — 2003. — № 2. — С. 34-38
Нестеренко, В. П. Электрические свойства полиоксидных структур, полученных при высокотемпературной обработке твердых сплавов / В. П. Нестеренко, К. П. Арефьев, В. И. Меркулов // Физика и химия обработки материалов / Российская академия наук (РАН), Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова (ИМЕТ). — 2004. — № 4. — С. 55-60
Нестеренко, В. П. Влияние интенсивности образования поверхностных и приповерхностных трещин на износостойкость твердых сплавов / В. П. Нестеренко, К. П. Арефьев, Д. В. Лычагин // Физика и химия обработки материалов / Российская академия наук (РАН), Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова (ИМЕТ). — 2010. — № 3
Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs / А. А. Воробьев [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 1977. — Т. 11, вып. 4. — С. 651-655
Исследование влияния обработки инструментальных материалов мощным ионным пучком на процессы газовой десорбции / В. П. Нестеренко [и др.] // Физика и химия обработки материалов / Российская академия наук (РАН), Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова (ИМЕТ). — 2002. — № 1. — С. 32-35
Влияние обработки мощным ионным пучком на окисление твердых сплавов / В. П. Нестеренко [и др.] // Физика и химия обработки материалов / Российская академия наук (РАН), Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова (ИМЕТ). — 2001. — № 4. — С. 46-48
Влияние импульсной обработки твердых сплавов мощным ионным пучком на процесс нанесения износостойких покрытий / В. П. Нестеренко [и др.] // Физика и химия обработки материалов / Российская академия наук (РАН), Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова (ИМЕТ). — 2000. — № 3. — С. 39-44
Arefyev (Afef'ev, Arefiev), K. P. Positron capture by color centers in single crystals / K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev), S. A. Vorobiev // Physics Letters A. — 1972. — Vol. 39, iss. 5. — P. 381-382
Arefyev (Afef'ev, Arefiev), K. P. F-center annealing by positron irradiation / K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev), S. A. Vorobiev // Physics Letters A. — 1973. — Vol. 44, iss. 6. — P. 439-440
Positron annihilation in Si and GaAs crystals with an applied magnetic field / K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev) [et al.] // Physics Letters A. — 1976. — Vol. 59, iss. 3. — P. 219-220
Арефьев, К. П. Изучение тонких пленок GeO методом позитронной аннигиляции / К. П. Арефьев, С. А. Воробьев, В. Г. Стародубов // Физика и техника полупроводников : научный журнал / Российская Академия наук. — 1974. — Т. 8, вып. 6. — С. 1223-1224
Арефьев, К. П. Аннигиляция позитронов в облученном электронами кристалле кремния / К. П. Арефьев, С. А. Воробьев, А. А. Цой // Физика и техника полупроводников : научный журнал / Российская Академия наук. — 1976. — Т. 10, вып. 11. — С. 2086-2088
Исследование поведения кремния в эпитаксиальном арсениде галлия методом позитронной аннигиляции / К. П. Арефьев [и др.] // Физика и техника полупроводников : научный журнал / Российская Академия наук. — 1978. — Т. 12, вып. 9. — С. 1767-1770
Оптическое поглощение и аннигиляция позитронов в GaAs , облученном электронами / К. П. Арефьев [и др.] // Физика и техника полупроводников : научный журнал / Российская Академия наук. — 1979. — Т. 13, вып. 6. — С. 1142-1146
Арефьев, К. П. Позитронные состояния в кремнии р-типа, облученном быстрыми нейтронами / К. П. Арефьев, А. А. Цой // Физика и техника полупроводников : научный журнал / Российская Академия наук. — 1980. — Т. 14, вып. 12. — С. 2384-2386
Влияние двойного легирования на совершенство эпитаксиальных пленок полупроводниковых кристаллов GaAs / К. П. Арефьев [и др.] // Физика и техника полупроводников : научный журнал / Российская Академия наук. — 1981. — Т. 15, вып. 10. — С. 2037-2039
Interaction of selenium clusters with zeolite matrices A and M / K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev) [et al.] // Crystal Research and Technology. — 1989. — Vol. 24, iss. 11. — P. K197-K200
Arefyev (Afef'ev, Arefiev), K. P. The effect of the electron density anisotropy on positron annihilation in a KBr single crystal / K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev), S. A. Vorobiev // Kristall und Technik. — 1972. — Vol. 7, iss. 7. — P. 841-844
Arefyev (Afef'ev, Arefiev), K. P. Anomalously strong magnetic quenching of the I2 longer lifetime for positrons in ionic crystals / K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev), E. P. Prokop'ev, S. A. Vorob'ev // Russian Physics Journal. — 1975. — Vol. 18, iss. 6. — [P. 886-887]. — URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF00891182
Расписание
