Влияние кислорода на износостойкость твердых сплавов вольфрам-кобальтовой группы / В. П. Нестеренко [и др.] // Известия вузов. Физика / Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ). — 2014. — Т. 57, № 11, ч. 2. — [С. 170-175]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=23046946
Связь между износостойкостью твердых сплавов вольфрам-кобальтовой группы и их дилатометрическими характеристиками / В. П. Нестеренко, В. И. Верещагин, К. П. Арефьев, М. Е. Мрьина // Известия вузов. Физика / Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ). — 2014. — Т. 57, № 11, ч. 2. — [С. 176-181]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=23046947
Связь между износостойкостью твердых сплавов вольфрам-кобальтовой группы и пластическими свойствами их карбидов / В. П. Нестеренко, И. А. Шулепов, К. П. Арефьев, В. А. Воловоденко // Известия вузов. Физика / Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ). — 2014. — Т. 57, № 11, ч. 2. — [С. 199-205]. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=23046951
Арефьев, К. П. Аномально сильное магнитное тушение интенсивности долгоживущей компоненты времени жизни позитрона I2 в ионных кристаллах / К. П. Арефьев, Е. П. Прокопьев, С. А. Воробьев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1975. — № 6. — С. 147-148
Арефьев, К. П. Позитронные состояния в дефектных щелочно-галоидных кристаллах / К. П. Арефьев, С. А. Воробьев, Г. И. Этин // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1975. — № 12. — С. 152-153
О поверхностных позитронных и позитрониевых состояниях в реальных ионных кристаллах / К. П. Арефьев [и др.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1978. — № 1. — С. 76-81
Арефьев, К. П. О позитронных состояниях на поверхности и в дефектных поверхностных слоях полупроводников / К. П. Арефьев, Е. П. Прокопьев, В. П. Арефьев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1979. — № 7. — С. 71-75
Исследование электрической прочности спрессованных полиоксидных порошковых материалов, полученных при окислении твердых сплавов / В. П. Нестеренко [и др.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 2003. — Т. 46, № 2. — С. 46-49
Арефьев, К. П. О кинетике аннигиляционного распада позитронных состояний в ионных кристаллах / К. П. Арефьев, Е. П. Прокопьев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1977. — № 9. — С. 50-55
Арефьев, К. П. Термализация позитронов в атомных полупроводниках / К. П. Арефьев, Е. П. Прокопьев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1978. — № 7. — С. 152-153
Анизотропия импульсного распределения электронов полупроводников по данным аннигиляции позитронов / К. П. Арефьев [и др.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1978. — № 7. — С. 153-155
Влияние температуры на позитронные аннигиляционные спектры дефектных ионных кристаллов / К. П. Арефьев [и др.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1980. — Т. 23, № 11. — С. 118-120
Боев, О. В. Позитроний-фононное взаимодействие в ионных кристаллах / О. В. Боев, К. П. Арефьев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1982. — Т. 25, № 2. — С. 118-119
Применение позитронной аннигиляции в качестве неразрушающего метода контроля качества материалов / В. А. Федоров [и др.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1982. — Т. 25, № 5. — С. 40-43
Электромагнитная и акустическая эмиссия при термической релаксации радиационных дефектов в кварце / С. Д. Заверткин [и др.] // Известия вузов. Физика. — 2011. — Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах. — URL: http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Conferences/2011/K02/47.pdf
Арефьев, К. П. Центры захвата позитронов в радиационноокрашенных кристаллах KCl / К. П. Арефьев, В. П. Арефьев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1978. — № 11. — С. 55-61
Электромагнитная и акустическая эмиссия, особенности электропроводности при контактном плавлении, образовании и распаде твердых растворов щелочно-галоидных кристаллов / С. Д. Заверткин [и др.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 2008. — Т. 51, № 11/2 (приложение). — С. 37-44
Арефьев, К. П. Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами / К. П. Арефьев, В. С. Лопатин, А. Д. Погребняк // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1983. — Т. 26, № 6. — С. 63-66
Применение метода аннигиляции позитронов для определения параметров точечных дефектов в полупроводниках / К. П. Арефьев [и др.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1983. — Т. 26, № 8. — С. 117-118
Арефьев, К. П. Состояния позитронов в кристаллах KCl до и после радиационного воздействия / К. П. Арефьев, О. В. Боев, А. Л. Бондаренко // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1988. — Т. 31, № 7. — С. 98-102
Расписание
