Влияние температуры на позитронные аннигиляционные спектры дефектных ионных кристаллов / К. П. Арефьев [и др.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1980. — Т. 23, № 11. — С. 118-120
Примесные состояния позитронов в ионных кристаллофосфорах / К. П. Арефьев [и др.] // Физика твердого тела / Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. — 1980. — Т. 22, № 1. — С. 178-183
Боев, О. В. О существовании позитрониевоподобных состояний в ионных кристаллах / О. В. Боев, К. П. Арефьев // Физика твердого тела / Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. — 1980. — Т. 22, № 3. — С. 953-955
Боев, О. В. Позитрониевые состояния в F-центрах ионных кристаллов / О. В. Боев, К. П. Арефьев // Оптика и спектроскопия : научный журнал / Академия наук СССР (АН СССР). — 1980. — Т. 49, вып. 5. — С. 903-907
Арефьев, К. П. Позитронные состояния в кремнии р-типа, облученном быстрыми нейтронами / К. П. Арефьев, А. А. Цой // Физика и техника полупроводников : научный журнал / Российская Академия наук. — 1980. — Т. 14, вып. 12. — С. 2384-2386
А. с. № 646706 RU , МПК H 01 L 21/26. Способ обработки полупроводниковых детекторов / К. П. Арефьев [и др.] ; Томский политехнический институт (ТПИ), Научно-исследовательский институт ядерной физики, электроники и автоматики (НИИ ЯФЭА)опубл. 30.04.80, Бюл. ОИПОТЗ № 16. — В фонде НТБ ТПУ отсутствует
А. с. № 584626 RU , МПК G 01 N 23/02. Способ генерации дырочных центров окраски в диэлектрике / К. П. Арефьев, В. П. Арефьев, С. А. Воробьев ; Томский политехнический институт (ТПИ), Научно-исследовательский институт ядерной физики, электроники и автоматики (НИИ ЯФЭА)опубл. 30.04.80, Бюл. ОИПОТЗ № 16. — В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Стабилизация позитронов в дефектных ионных кристаллах / А. А. Воробьев [и др.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1979. — № 4. — C. 106-107
Арефьев, К. П. О позитронных состояниях на поверхности и в дефектных поверхностных слоях полупроводников / К. П. Арефьев, Е. П. Прокопьев, В. П. Арефьев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1979. — № 7. — С. 71-75
Центры захвата позитронов в облученных электронами кристаллах KCl / Е. К. Завадовская [и др.] // Физика твердого тела / Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. — 1979. — Т. 21, № 1. — С. 206-210
Позитрониевые состояния в области дефектов катионной подрешетки кристаллов KCl / К. П. Арефьев [и др.] // Физика твердого тела / Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. — 1979. — Т. 21, № 4. — С. 1133-1139
Поляризационный эффект аннигиляции позитронов в ионных кристаллах / К. П. Арефьев [и др.] // Физика твердого тела / Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. — 1979. — Т. 21, № 8. — С. 2213-2216
Арефьев, К. П. О строении позитроносодержащих центров окраски в ионных кристаллах / К. П. Арефьев, С. В. Нурмагамбетов // Оптика и спектроскопия : научный журнал / Академия наук СССР (АН СССР). — 1979. — Т. 47, вып. 2. — С. 341-343
Оптическое поглощение и аннигиляция позитронов в GaAs , облученном электронами / К. П. Арефьев [и др.] // Физика и техника полупроводников : научный журнал / Российская Академия наук. — 1979. — Т. 13, вып. 6. — С. 1142-1146
А. с. № 432797 RU , МПК G 01 N 23/02. Способ генерации дырочных центров окраски в диэлектрике / К. П. Арефьев, С. А. Воробьев ; Томский политехнический институт (ТПИ), Научно-исследовательский институт ядерной физики, электроники и автоматики (НИИ ЯФЭА)опубл. 15.01.79, Бюл. ОИПОТЗ № 2. — В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Stabilization of positrons in imperfect ionic crystals / А. А. Vorobyev [et al.] // Russian Physics Journal. — 1979. — Vol. 22, iss. 4. — P. 433-434. — URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF00895669
Arefyev (Afef'ev, Arefiev), K. P. Positron states on surface and in defective surface layers of semiconductors / K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev), E. P. Prokop'ev, V. P. Aref'ev // Russian Physics Journal. — 1979. — Vol. 22, iss. 7. — P. 748-751. — URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF00902892
Арефьев, К. П. Метод позитронной аннигиляции для исследования полупроводниковых материалов / К. П. Арефьев, С. А. Воробьев // Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика / Академия наук Узбекской ССР (АН УзССР), Институт электроники ; под ред. У. А. Арифова. — 1978. — Гл. IV, § 3. — С. 104-109
Арефьев, К. П. Термализация позитронов в атомных полупроводниках / К. П. Арефьев, Е. П. Прокопьев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1978. — № 7. — С. 152-153
Анизотропия импульсного распределения электронов полупроводников по данным аннигиляции позитронов / К. П. Арефьев [и др.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1978. — № 7. — С. 153-155
Расписание
