Арефьев, К. П. Центры захвата позитронов в радиационноокрашенных кристаллах KCl / К. П. Арефьев, В. П. Арефьев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1978. — № 11. — С. 55-61
О поверхностных позитронных и позитрониевых состояниях в реальных ионных кристаллах / К. П. Арефьев [и др.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1978. — № 1. — С. 76-81
Воробьев, А. А. Исследование электронной структуры стекол методом аннигиляции позитронов / А. А. Воробьев, К. П. Арефьев, Г. И. Этин // Радиационно-стимулированные явления в кислородосодержащих кристаллах и стеклах. — 1978. — С. 237-241
Arefyev (Afef'ev, Arefiev), K. P. Influence of high temperature annealing on positron annihilation in electro-irradiated silicon / K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev), A. A. Tcoi, S. A. Vorobiev // Physica status solidi (a). — 1978. — Vol. 47, Iss. 2. — P. K149-K152
Исследование поведения кремния в эпитаксиальном арсениде галлия методом позитронной аннигиляции / К. П. Арефьев [и др.] // Физика и техника полупроводников : научный журнал / Российская Академия наук. — 1978. — Т. 12, вып. 9. — С. 1767-1770
А. с. № 557699 RU , МПК H 01 L 21/26. Способ обработки ионных кристаллов / А. А. Воробьев [и др.] ; Томский политехнический институт (ТПИ), Научно-исследовательский институт ядерной физики, электроники и автоматики (НИИ ЯФЭА)опубл. 05.03.78, Бюл. ОИПОТЗ № 9. — В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Surface positron and positronium states in real ionic crystals / K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev) [et al.] // Russian Physics Journal. — 1978. — Vol. 21, iss. 1. — [P. 1759-1763]. — URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF00896297
Арефьев, К. П. О кинетике аннигиляционного распада позитронных состояний в ионных кристаллах / К. П. Арефьев, Е. П. Прокопьев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1977. — № 9. — С. 50-55
Прямое определение позитрония в веществе по комптоновскому профилю и угловой корреляции аннигиляционного излучения / А. А. Воробьев [и др.] // Письма в Журнал технической физики / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) ; Отделение общей физики и астрономии РАН. — 1977. — Т. 3, вып. 8. — С. 373-376
Арефьев, К. П. Выделение позитронных и позитрониевых состояний в дефектных ионных кристаллах / К. П. Арефьев, Г. И. Этин // Физика твердого тела / Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. — 1977. — Т. 19, № 6. — С. 1623-1626
Исследование зарядовых превращений редкоземельных ионов в CaF2 методом позитронной спектроскопии / К. П. Арефьев [и др.] // Физика твердого тела / Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. — 1977. — Т. 19, № 12. — С. 3593-3596
Изучение зарядового состояния примесных атомов в полупроводниковых материалах методом аннигиляции позитронов / К. П. Арефьев [и др.] // Физика и техника полупроводников / Академия наук СССР (АН СССР). — 1977. — Т. 11, вып. 8. — С. 1590-1593
Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs / А. А. Воробьев [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 1977. — Т. 11, вып. 4. — С. 651-655
А. с. № 531400 RU , МПК G 01 N 23/00. Способ исследования электронной структуры поверхности вещества / В. Г. Стародубов, К. П. Арефьев, С. А. Воробьев ; Томский политехнический институт (ТПИ)опубл. 05.10.77, Бюл. ОИПОТЗ № 37. — В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Арефьев, К. П. Исследование позитронных и позитрониевых состояний в ионных кристаллах / К. П. Арефьев, О. В. Боев, С. Б. Нурмагомбетов // Молодые ученые и специалисты - народному хозяйству : материалы региональной научно-практической конференции, Томск, 1977 г. / Томский межотраслевой территориальный центр НТИ. — 1977. — Секция физико-технических наук
Arefyev (Afef'ev, Arefiev), K. P. Kinetics of positron annihilation in ionic crystals / K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev), E. P. Prokop'ev // Russian Physics Journal. — 1977. — Vol. 20, iss. 9. — [P. 1759-1763]. — URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF00897120
Об аннигиляции позитронов в кристаллах с дефектной структурой / А. А. Воробьев [и др.] // Химическая связь в кристаллах и их физические свойства : сборник статей / Институт физики твердого тела и полупроводников АН БССР ; под ред. Н. Н. Сироты. — 1976. — Т. 2. — С. 44-47
Воробьев, А. А. Аннигиляция позитронов в монокристалле MgO, легированном Al3+ / А. А. Воробьев, К. П. Арефьев, В. П. Арефьев // Физика твердого тела / Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. — 1976. — Т. 18, № 3. — С. 896-898
Арефьев, К. П. Магнитное "тушение" позитрониевых состояний в дефектных щелочно-галоидных кристаллах / К. П. Арефьев, С. А. Воробьев, В. П. Килеев // Физика твердого тела / Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. — 1976. — Т. 18, № 3. — С. 669-672
Арефьев, К. П. Определение импульсной плотности электронов вещества методом аннигиляции позитронов / К. П. Арефьев, Г. И. Этин // Физика твердого тела / Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. — 1976. — Т. 18, № 11. — С. 3532-3534
Расписание
