Арефьев, К. П. Аннигиляция позитронов в ионных средах и оптическая модель позитрона / К. П. Арефьев, Е. П. Прокопьев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1990. — Т. 33, № 5. — С. 52-56
Структурные изменения в сплавах TiC-TiNi при деформации / К. П. Арефьев [и др.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1994. — Т. 37, № 4. — С. 100-103
Коровкин, М. В. Термоактивированное движение дислокаций в кристаллах фтористого лития / М. В. Коровкин, Ю. И. Галанов, К. П. Арефьев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1998. — Т. 41, № 11. — С. 124-126
Исследование электрической прочности спресованных полиоксидных порошковых материалов, полученных при окислении твердых сплавов / В. П. Нестеренко [и др.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 2003. — Т. 46, № 2. — С. 46-49
Арефьев, К. П. Определение плотности импульсного распределения электронов вещества методом аннигиляции позитронов / К. П. Арефьев, С. А. Воробьев, Г. И. Этин // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1974. — № 8. — С. 103-109
Арефьев, К. П. О позитронных состояниях в щелочно-галоидных монокристаллах / К. П. Арефьев, С. А. Воробьев, Е. П. Прокопьев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1974. — № 10. — С. 76-79
Арефьев, К. П. Анизотропия электронной плотности и эффективного заряда в щелочногалоидных монокристаллах / К. П. Арефьев, С. А. Воробьев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1972. — № 5. — С. 34-37
Арефьев, К. П. О виде гравитационного взаимодействия на больших расстояниях / К. П. Арефьев, Н. Н. Прилепских // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 2011. — Т. 54, № 2. — С. 110-112
Боев, О. В. Определение параметров деформационного потенциала в полярных диэлектриках по данным метода электронно-позитронной аннигиляции / О. В. Боев, К. П. Арефьев // Известия вузов. Физика / Министерство высшего и среднего специального образования СССР. — 1986. — Т. 29, № 10. — С. 107-109
Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры / А. В. Градобоев [и др.] // Известия вузов. Физика : научный журнал / Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ). — 2013. — Т. 56, № 11-3. — [С. 116-119]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=21218005
Арефьев, К. П. О строении позитроносодержащих центров окраски в ионных кристаллах / К. П. Арефьев, С. В. Нурмагамбетов // Оптика и спектроскопия : научный журнал / Академия наук СССР (АН СССР). — 1979. — Т. 47, вып. 2. — С. 341-343
Боев, О. В. Позитрониевые состояния в F-центрах ионных кристаллов / О. В. Боев, К. П. Арефьев // Оптика и спектроскопия : научный журнал / Академия наук СССР (АН СССР). — 1980. — Т. 49, вып. 5. — С. 903-907
Арефьев, К. П. О полиэлектронных системах Уилера в дефектных кристаллах / К. П. Арефьев, Е. П. Прокопьев // Оптика и спектроскопия : научный журнал / Академия наук СССР (АН СССР). — 1975. — Т. 39, вып. 5. — С. 998-999
Арефьев, К. П. Изучение тонких пленок Cuo и Cu2O методом позитронной аннигиляции / К. П. Арефьев, В. П. Арефьев // Кристаллография : научно-технический журнал / Российская Академия наук. — 1976. — Т. 21, вып. 5. — С. 1061-1062
Воробьев, А. А. Применение метода аннигиляции позитронов для изучения дефектных ионных монокристаллов / А. А. Воробьев, К. П. Арефьев, В. Г. Стародубов // Кристаллография : научный журнал / Академия наук СССР (АН СССР). — 1974. — Т. 19, вып. 3. — С.660-661
Арефьев, К. П. Изучение тонких пленок Cuo и Cu2O методом позитронной аннигиляции / К. П. Арефьев, В. П. Арефьев // Кристаллография : научный журнал / Академия наук СССР (АН СССР). — 1976. — Т. 21, вып. 5. — С. 1061-1062
Влияние термической обработки на ширину запрещенной зоны формирующихся на поверхности инструментальной стали полиоксидных пленок / В. П. Нестеренко [и др.] // Металловедение и термическая обработка металлов : научно-технический и производственный журнал / Издательский дом "Фолиум". — 2008. — № 8. — С. 20-23
Погребняк, А. Д. О применении метода позитронной аннигиляции в исследовании тонких поверхностных слоев / А. Д. Погребняк, В. А. Кузьминых, К. П. Арефьев // Журнал технической физики / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ). — 1981. — Т. 51, вып. 9. — С. 1942-1945
Эффект генерации электромагнитного излучения при лазерном воздействии в твердых телах / К. П. Арефьев [и др.] // Журнал технической физики / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ). — 1984. — Т. 54, вып. 4. — С. 808-810
Воробьев, А. А. Аннигиляция позитронов в дефектных щелочногалоидных кристаллах / А. А. Воробьев, К. П. Арефьев, С. А. Воробьев // Журнал экспериментальной и теоретической физики / Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН. — 1975. — Т. 21, вып. 4. — С. 1486-1490
Расписание
