Арефьев, К. П. Аннигиляция позитронов в монокристаллах кремния и арсенида галлия с обработанной поверхностью / К. П. Арефьев, С. А. Воробьев, А. С. Каретников // Физика и химия обработки материалов / Российская академия наук (РАН), Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова (ИМЕТ). — 1976. — № 6. — С. 28-30
Арефьев, К. П. Изучение тонких пленок Cuo и Cu2O методом позитронной аннигиляции / К. П. Арефьев, В. П. Арефьев // Кристаллография : научный журнал / Академия наук СССР (АН СССР). — 1976. — Т. 21, вып. 5. — С. 1061-1062
Positron annihilation in Si and GaAs crystals with an applied magnetic field / K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev) [et al.] // Physics Letters A. — 1976. — Vol. 59, iss. 3. — P. 219-220
Vorobyev, А. А. Evidence for a positron-exciton insulator in alkali-halide crystals / А. А. Vorobyev, K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev), S. A. Vorobiev // Applied Physics A: Materials Science and Processing. — 1976. — Vol. 10, № 3. — P. 227-229
Арефьев, К. П. Аннигиляция позитронов в облученном электронами кристалле кремния / К. П. Арефьев, С. А. Воробьев, А. А. Цой // Физика и техника полупроводников : научный журнал / Российская Академия наук. — 1976. — Т. 10, вып. 11. — С. 2086-2088
Арефьев, К. П. Изучение тонких пленок Cuo и Cu2O методом позитронной аннигиляции / К. П. Арефьев, В. П. Арефьев // Кристаллография : научно-технический журнал / Российская Академия наук. — 1976. — Т. 21, вып. 5. — С. 1061-1062
Воробьев, А. А. Аннигиляция позитронов в дефектных щелочногалоидных кристаллах / А. А. Воробьев, К. П. Арефьев, С. А. Воробьев // Журнал экспериментальной и теоретической физики / Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН. — 1975. — Т. 21, вып. 4. — С. 1486-1490
Арефьев, К. П. Аномально сильное магнитное тушение интенсивности долгоживущей компоненты времени жизни позитрона I2 в ионных кристаллах / К. П. Арефьев, Е. П. Прокопьев, С. А. Воробьев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1975. — № 6. — С. 147-148
Арефьев, К. П. Позитронные состояния в дефектных щелочно-галоидных кристаллах / К. П. Арефьев, С. А. Воробьев, Г. И. Этин // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1975. — № 12. — С. 152-153
Арефьев, К. П. Эффект обесцвечивания в кристаллах KCl при позитронном облучении / К. П. Арефьев, С. А. Воробьев, В. П. Арефьев // Физика твердого тела / Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. — 1975. — Т. 17, № 12. — C. 3651-3653
Арефьев, К. П. О полиэлектронных системах Уилера в дефектных кристаллах / К. П. Арефьев, Е. П. Прокопьев // Оптика и спектроскопия : научный журнал / Академия наук СССР (АН СССР). — 1975. — Т. 39, вып. 5. — С. 998-999
Positron as a probe of cation vacancies in X-irradiated NaBr crystals / Yu. M. Annenkov [et al.] // Applied Physics A: Materials Science and Processing. — 1975. — Vol. 7, № 1. — P. 83-84
Arefyev (Afef'ev, Arefiev), K. P. Positron annihilation in silicon crystals with mechanically processed surfaces / K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev), A. S. Karetnikov, S. A. Vorobiev // Applied Physics A: Materials Science and Processing. — 1975. — Vol. 8, № 3. — P. 273-276
Arefyev (Afef'ev, Arefiev), K. P. Anomalously strong magnetic quenching of the I2 longer lifetime for positrons in ionic crystals / K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev), E. P. Prokop'ev, S. A. Vorob'ev // Russian Physics Journal. — 1975. — Vol. 18, iss. 6. — [P. 886-887]. — URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF00891182
Arefyev (Afef'ev, Arefiev), K. P. Positron states in defective alkali-halide crystals / K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev), S. A. Vorob'ev, G. I. Etin // Russian Physics Journal. — 1975. — Vol. 18, iss. 12. — [P. 1777-1778]. — URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF00891182
Арефьев, К. П. Аннигиляция позитронов в щелочногалоидных кристаллах : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / К. П. Арефьев ; Томский политехнический институт ; науч. рук. А. А. Воробьев, С. А. ВоробьевТомск, 1974. — 127 л. : ил.
Воробьев, А. А. Применение метода аннигиляции позитронов для изучения степени дефектности монокристаллов / А. А. Воробьев, К. П. Арефьев, С. А. Воробьев // Прикладная ядерная спектроскопия : сборник статей / под ред. В. Г. Недовесова. — 1974. — С. 5-7
Арефьев, К. П. Определение плотности импульсного распределения электронов вещества методом аннигиляции позитронов / К. П. Арефьев, С. А. Воробьев, Г. И. Этин // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1974. — № 8. — С. 103-109
Арефьев, К. П. О позитронных состояниях в щелочно-галоидных монокристаллах / К. П. Арефьев, С. А. Воробьев, Е. П. Прокопьев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1974. — № 10. — С. 76-79
Воробьев, А. А. Применение метода аннигиляции позитронов для изучения дефектных ионных монокристаллов / А. А. Воробьев, К. П. Арефьев, В. Г. Стародубов // Кристаллография : научный журнал / Академия наук СССР (АН СССР). — 1974. — Т. 19, вып. 3. — С.660-661
Расписание
