Прямое определение позитрония в веществе по комптоновскому профилю и угловой корреляции аннигиляционного излучения / А. А. Воробьев [и др.] // Письма в Журнал технической физики / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) ; Отделение общей физики и астрономии РАН. — 1977. — Т. 3, вып. 8. — С. 373-376
Арефьев, К. П. Аннигиляция позитронов в щелочногалоидных кристаллах : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / К. П. Арефьев ; Томский политехнический институт ; науч. рук. А. А. Воробьев, С. А. ВоробьевТомск, 1974. — 127 л. : ил.
Воробьев, А. А. Применение метода аннигиляции позитронов для изучения степени дефектности монокристаллов / А. А. Воробьев, К. П. Арефьев, С. А. Воробьев // Прикладная ядерная спектроскопия : сборник статей / под ред. В. Г. Недовесова. — 1974. — Прикладная ядерная спектроскопия. — С. 5-7
Vorobyev, А. А. Positron annihilation in alkali-halide crystals after electron irradiation / А. А. Vorobyev, K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev), S. A. Vorobev // Applied Physics A: Materials Science and Processing. — 1974. — Vol. 3, № 3. — P. 241-243
Positron as a probe of cation vacancies in X-irradiated NaBr crystals / Yu. M. Annenkov [et al.] // Applied Physics A: Materials Science and Processing. — 1975. — Vol. 7, № 1. — P. 83-84
Arefyev (Afef'ev, Arefiev), K. P. Positron annihilation in silicon crystals with mechanically processed surfaces / K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev), A. S. Karetnikov, S. A. Vorobiev // Applied Physics A: Materials Science and Processing. — 1975. — Vol. 8, № 3. — P. 273-276
Vorobyev, А. А. Evidence for a positron-exciton insulator in alkali-halide crystals / А. А. Vorobyev, K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev), S. A. Vorobiev // Applied Physics A: Materials Science and Processing. — 1976. — Vol. 10, № 3. — P. 227-229
Изучение тонких диэлектрических пленок методом позитронной аннигиляции / А. А. Воробьев [и др.] // Физика диэлектриков и перспективы ее развития : всесоюзная конференция, Ленинград, 22- 26 октября 1973 г. / Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе; Институт химии силикатов; Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина. — 1973. — Т. 2: Поляризация, электретный эффект. Старение и пробой диэлектриков. — С. 167-168
Арефьев, К. П. Анизотропия распределения электронной плотности и эффективного заряда в монокристалле KBr / К. П. Арефьев, С. А. Воробьев // Химическая связь в полупроводниках и полуметаллах : [сборник статей] / Академия наук Белорусской ССР (АН БССР), Институт физики твердого тела и полупроводников, Витебское отделение. — 1972. — Химическая связь в полупроводниках и полуметаллах. — С. 68-72
Boev, O. V. Delocalized positronium in alkali halides / O. V. Boev, K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev) // Physica status solidi (b). — 1984. — Vol. 125, Iss. 2. — P. 619-627
Vorobyev, А. А. Positronium formation in KCl-KBr solid solutions / А. А. Vorobyev, K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev), S. A. Vorobev // Physica status solidi (b). — 1972. — Vol. 53, Iss. 2. — P. K133-K135
On positron annihilation anomalies in ionic crystals / А. А. Vorobyev [et al.] // Physica status solidi (b). — 1973. — Vol. 57, Iss. 1. — P. K27-K30
Boev, O. V. Localized positronium-like states in ionic crystals / O. V. Boev, K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev) // Physica status solidi (b). — 1981. — Vol. 106, Iss. 2. — P. 481-487
Pogrebnyak, A. D. Positron annihilation and profiles of displaced atoms in electron irradiated Ge / A. D. Pogrebnyak, V. A. Kuzminikh, K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev) // Physica status solidi (b). — 1982. — Vol. 112, Iss. 2. — P. K79-K83
Observation of RF pulses from solids during laser irradiation / A. D. Pogrebnyak [et al.] // Physica status solidi (a). — 1984. — Vol. 85, Iss. 1. — P. K31-K33
Arefyev (Afef'ev, Arefiev), K. P. Influence of high temperature annealing on positron annihilation in electro-irradiated silicon / K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev), A. A. Tcoi, S. A. Vorobiev // Physica status solidi (a). — 1978. — Vol. 47, Iss. 2. — P. K149-K152
Изучение зарядового состояния примесных атомов в полупроводниковых материалах методом аннигиляции позитронов / К. П. Арефьев [и др.] // Физика и техника полупроводников / Академия наук СССР (АН СССР). — 1977. — Т. 11, вып. 8. — С. 1590-1593
Арефьев, К. П. Аннигиляция позитронов в монокристаллах кремния и арсенида галлия с обработанной поверхностью / К. П. Арефьев, С. А. Воробьев, А. С. Каретников // Физика и химия обработки материалов / Российская академия наук (РАН), Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова (ИМЕТ). — 1976. — № 6. — С. 28-30
Арефьев, К. П. Аннигиляция позитронов в облученных электронами кристаллах кремния n- и p-типа / К. П. Арефьев, С. А. Воробьев, А. А. Цой // Физика и техника полупроводников / Академия наук СССР (АН СССР). — 1982. — Т. 16, вып. 7. — С. 1263-1265
Улучшение электрофизических и спектрометрических параметров кремниевых детекторов излучений при позитронном облучении / К. П. Арефьев [и др.] // Физика и техника полупроводников / Академия наук СССР (АН СССР). — 1984. — Т. 18, вып. 6. — С. 1101-1102
Расписание
