1) Результаты псевдопотенциального расчета комплексной зонной структуры нитрида индия, нитрида галлия, напряженных нитрида алюминия и твердого раствора Alo.3Gao.7N, а также коэффициента прохождения электронов через напряженную двухбарьерную структуру А1_0.3Са_0.7N(3с₁)/GаN(4с₂)/А1_0.3Gа_0.7N(3с₁). Анализ матрицы рассеяния показывает, что при небольших концентрациях алюминия (х < 0.3) и энергиях электронов до ~ 2эВ от дна зоны проводимости СаN основную роль в процессах туннелирования играют состояния вблизи Г-долины, что позволяет использовать для их описания однодолинный метод огибающей волновой функции с учетом зависимости эффективной массы от энергии и деформации.

2) В двухбарьерных нитридных структурах спонтанная и пьезоэлектрическая поляризация приводят к асимметрии вольтамперной характеристики вследствие различия распределений электронного заряда и напряженностей суммарного поля в слоях структуры при прямом и обратном смещении.

3) В ограниченных сверхрешетках СаN/Аl_0.3Са_0.7N встроенные поля формируют штарковскую лестницу электронных состояний даже в отсутствие внешнего поля. Штарковские состояния проявляются в пиках туннельного тока на той его ветви, для которой внешнее поле направлено в ту же сторону, что и однородное внутреннее эффективное поле. При противоположной ориентации полей имеет место усиление гибридизации состояний из соседних квантовых ям, приводящее к формированию мини-зоны, смыканию пиков и росту амплитуды тока.

4) В туннельном токе двухбарьерных структур СаN/Аl_0.3Са_0.7N может образовываться широкая петля гистерезиса при участии двух резонансов, когда внешнее и внутреннее поле в яме противоположны друг другу. В этом случае к моменту выбывания нижнего резонанса из процесса туннелирования в квантовой яме накапливается настолько большой электронный заряд, что его перераспределение между коллектором и эмиттером необратимо понижает потенциал активной области и приводит к смене резонанса, через который туннелируют электроны. В результате происходит переключение характеристик структуры на параметры следующего более широкого резонанса, сопровождаемое увеличением прозрачности структуры и всплеском тока.

5) Предложена "конденсаторная" модель для описания петли гистерезиса туннельного тока в двухбарьерных структурах СаN/Аl_0.3Са_0.7N(0001), в которой области сосредоточения пространственного заряда в эмиттере, квантовой яме и коллекторе описаны с помощью двух совмещенных конденсаторов. Перезарядка пластин этих конденсаторов определяет сдвиги резонансных уровней, ширину петли и скачки тока на петле гистерезиса.