Схема РТД на GaN/AlGaN (0001)
|
|
|
 |
|
Плотность туннельного тока j(V) (a) и концентрация двумерного электронного газа в квантовой яме nw (b) в двухбарьерной структуре GaN/AlGaN/GaN/AlGaN/GaN при T = 250 K. Сплошные линии — прямые, штриховые — обратные ветви точного расчета. a: точки — результаты „однорезонансного“ модельного расчета для прямой и обратной ветвей.
|
|
|
|
|
 Положения гетерограниц сверхрешетки w - GaN/AlN (0001).
|
|
|
|
|
Расписание
