SEARCH:

Разжувалов Александр Николаевич
Кандидат физико-математических наук

Отделение естественных наук, Доцент
написать сообщение
Сегодня
16 августа 2022 / Tuesday / Неделя нечетная
Time tableРасписание
  
    New Tab     
    New Tab     
Процессы резонансного туннелирования электронов в низкоразмерных структурах на основе GaN, AlN, InN.

Схема РТД на GaN/AlGaN (0001)

Плотность туннельного тока j(V) (a) и концентрация двумерного электронного газа в квантовой яме nw (b) в двухбарьерной структуре GaN/AlGaN/GaN/AlGaN/GaN при T = 250 K. Сплошные линии — прямые, штриховые — обратные ветви точного расчета. a: точки — результаты „однорезонансного“ модельного расчета для прямой и обратной ветвей.

Положения гетерограниц сверхрешетки w - GaN/AlN (0001).

2011 © Томский политехнический университет
При полном или частичном использовании текстовых и графических материалов с сайта ссылка на портал ТПУ обязательна