SEARCH:

Разжувалов Александр Николаевич
Кандидат физико-математических наук

Отделение естественных наук, Доцент
написать сообщение
Сегодня
16 августа 2022 / Tuesday / Неделя нечетная
Time tableРасписание
  
    New Tab     

Список публикаций

По вопросам размещения публикаций обращаться к специалистам НТБ lib-help@tpu.ru.

Количество записей: 21

  1. Razzhuvalov, Alexander Nikolaevich. Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects / A. N. Razzhuvalov, S. N. Grinyaev // Superlattices and Microstructures Scientific Journal: . — 2018 . — Vol. 122 . — [P. 624-630] . — Title screen. — [References: p. 630 (24 tit.)]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  2. Grinyaev, Sergey Nikolaevich. Peculiarities of tunneling current in w-AlN/GaN(0001) two-barrier structures induced by deep-level defects / S. N. Grinyaev, A. N. Razzhuvalov // Journal of Applied Physics . — 2016 . — Vol. 120, iss. 5 . — [154302, 8 p.] . — Title screen. — [References: 30 tit.]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  3. Разжувалов, Александр Николаевич. Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы тезисы докладов 10-ой Всероссийской конференции, 23-25 марта 2015 г., Санкт-Петербург : / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) . — Санкт-Петербург : Изд-во СПбГПУ , 2015 . — [С. 45-46] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: с. 46 (8 назв.)]..

  4. Опыт Резерфорда (зондирование вещества быстрыми a-частицами) : методические указания к выполнению лабораторной работ по курсу "Атомная физика” для студентов II-III курса, обучающихся по специальностям 011200 - физика, 010700 - ядерная физика, 010800 -физика кинетических явлений, 070500 - ядерные реакторы и энергетические установки, 200600 -электроника и автоматика физических установок, 330300 - радиационная безопасность человека и окружающей среды / Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; сост. А. Н. Разжувалов, Т. А. Тухфатуллин. — 1 компьютерный файл (pdf; 816 KB). — Томск: Изд-во ТПУ, 2012. — Заглавие с титульного экрана. — Электронная версия печатной публикации. — Режим доступа: из корпоративной сети ТПУ. — Системные требования: Adobe Reader..

  5. Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys = Physical simulation of GaN/AlGaN HEMT-heterostructures and power microwave transistors using Synopsys software / Н. А. Торхов [и др.] // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники / Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) . — 2012 . — № 2 (26), ч. 2 . — [С. 145-151] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: с. 150 (4 назв.)]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  6. Караваев, Геннадий Федорович. Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001) = Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures / Г. Ф. Караваев, В. Н. Чернышов, А. Н. Разжувалов // Известия вузов. Физика научный журнал: / Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) . — 2012 . — Т. 55, № 7 . — [С. 34-40] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: 15 назв.]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  7. Karavaev, Gennady Fedorovich. Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures = Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001) / G. F. Karavaev, V. N. Chernyshov, A. N. Razzhuvalov // Russian Physics Journal Scientific Journal: . — 2012 . — Vol. 55, iss. 7 . — [P. 764-771] . — Title screen. — [References: p. 771 (15 tit.)]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  8. Разжувалов, Александр Николаевич. Туннельные явления в напряженных вюртцитных гетероструктурах с сильными встроенными полями : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : спец. 01.04.10 : спец. 01.04.02 / А. Н. Разжувалов; Томский государственный университет (ТГУ), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ) ; науч. рук. С. Н. Гриняев. — Томск: 2009. — 15 с.: ил.. — Защита сост. 11.06.2009 г. — Библиогр.: с. 15 (7 назв.)..

  9. Разжувалов, Александр Николаевич. “Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001) = A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // Физика твёрдого тела . — 2009 . — Т. 51, вып. 1 . — [С. 178-188] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: с. 188 (18 назв.)]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  10. Razzhuvalov, Alexander Nikolaevich. A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures = “Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001) / A. N. Razzhuvalov, S. N. Grinyaev // Physics of the Solid State Scientific Journal: . — 2009 . — Vol. 51, iss. 1 . — [P. 189-201] . — Title screen. — [References: 18 tit.]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  11. Разжувалов, Александр Николаевич. Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001) = Defects influence on the tunnel current in (0001) w-GAN/AlGaN structures / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы тезисы докладов 6-ой Всероссийской конференции, 18-20 июня 2008 г., Санкт-Петербург: / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) . — Санкт-Петербург : Изд-во СПбГПУ , 2008 . — [С. 196-197] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: с. 197 (6 назв.)]..

  12. Разжувалов, Александр Николаевич. Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001) = Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // Физика и техника полупроводников . — 2008 . — Т. 42, вып. 5 . — [С. 595-603] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: 21 назв.]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  13. Razzhuvalov, Alexander Nikolaevich. Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures = Гистерезис туннельного тока в двухбарьерный структурах W-GaN/AlGaN(0001) / A. N. Razzhuvalov, S. N. Grinyaev // Semiconductors Scientific Journal: . — 2008 . — Vol. 42, iss. 5 . — [P. 580-588] . — Title screen. — [References: 21 tit.]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  14. Разжувалов, Александр Николаевич. "Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN = “Two-resonant” hysteresis of a tunnel current in heterostructure w-GaN/AlGaN (0001) / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы тезисы докладов 5-ой Всероссийской конференции, 31 января-2 февраля 2007 г., Санкт-Петербург: / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) . — Санкт-Петербург : Изд-во СПбГПУ , 2007 . — [С. 109-110] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: с. 110 (5 назв.)]..

  15. Гриняев, Сергей Николаевич. Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001) = Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures / С. Н. Гриняев, А. Н. Разжувалов // Физика и техника полупроводников . — 2006 . — Т. 40, вып. 6 . — [С. 695-700] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: 10 назв.]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  16. Grinyaev, Sergey Nikolaevich. Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures = Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN/AlGaN (0001) / S. N. Grinyaev, A. N. Razzhuvalov // Semiconductors Scientific Journal: . — 2006 . — Vol. 40, iss. 6 . — [P. 675-680] . — Title screen. — [References: 10 tit.]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  17. Разжувалов, Александр Николаевич. Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001) / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы тезисы докладов 4-ой Всероссийской конференции, 3–5 июля 2005 г., Санкт-Петербург: / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) . — Санкт-Петербург : Изд-во СПбГПУ , 2005 . — [С. 112-113] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: с. 113 (3 назв.)]..

  18. Гриняев, Сергей Николаевич. Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001) = The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1?x N(0001) structures / С. Н. Гриняев, А. Н. Разжувалов // Физика и техника полупроводников . — 2003 . — Т. 37, вып. 4 . — [С. 450-455] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: 13 назв.]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  19. Grinyaev, Sergey Nikolaevich. The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures = Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001) / S. N. Grinyaev, A. N. Razzhuvalov // Semiconductors Scientific Journal: . — 2003 . — Vol. 37, iss. 4 . — [P. 433-438] . — Title screen. — [References: 13 tit.]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  20. Гриняев, Сергей Николаевич. Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта = Resonant electron tunneling in GaN/Ga1−x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffect / С. Н. Гриняев, А. Н. Разжувалов // Физика твёрдого тела . — 2001 . — Т. 43, вып. 3 . — [С. 529-535] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: 36 назв.]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

Страницы: 1 2

2011 © Томский политехнический университет
При полном или частичном использовании текстовых и графических материалов с сайта ссылка на портал ТПУ обязательна