SEARCH:
Главная > Персональные сайты > Разжувалов Александр Николаевич > publications

Разжувалов Александр Николаевич
Кандидат физико-математических наук

Отделение экспериментальной физики, Доцент
написать сообщение
Расписание
Сегодня
27 сентября 2024 / Friday / Неделя четная
Time tableРасписание
  
    New Tab     

Список публикаций

Количество записей: 21

  1. [Razzhuvalov, A. N.](https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-authoritiesdetail.pl?authid=19719). Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects / A. N. Razzhuvalov, S. N. Grinyaev // Superlattices and Microstructures : Scientific Journal. — 2018. — Vol. 122. — [P. 624-630]. — URL: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2018.06.034

  2. Grinyaev, S. N. Peculiarities of tunneling current in w-AlN/GaN(0001) two-barrier structures induced by deep-level defects / S. N. Grinyaev, A. N. Razzhuvalov // Journal of Applied Physics. — 2016. — Vol. 120, iss. 5. — [154302, 8 p.]. — URL: http://dx.doi.org/10.1063/1.4964876

  3. [Разжувалов, А. Н.](https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-authoritiesdetail.pl?authid=17300). Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // URL: http://nitrides-conf.ioffe.ru/abstracts/III-N_2015.pdf#page=45

  4. Опыт Резерфорда (зондирование вещества быстрыми a-частицами) : методические указания к выполнению лабораторной работ по курсу "Атомная физика” для студентов II-III курса, обучающихся по специальностям 011200 - физика, 010700 - ядерная физика, 010800 -физика кинетических явлений, 070500 - ядерные реакторы и энергетические установки, 200600 -электроника и автоматика физических установок, 330300 - радиационная безопасность человека и окружающей среды / Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; сост. А. Н. Разжувалов, Т. А. ТухфатуллинТомск : Изд-во ТПУ, 2012. — Режим доступа: из корпоративной сети ТПУ. — URL: http://www.lib.tpu.ru/fulltext2/m/2015/m027.pdf

  5. Karavaev, G. F. Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures = Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001) / G. F. Karavaev, V. N. Chernyshov, A. N. Razzhuvalov // Russian Physics Journal : Scientific Journal. — 2012. — Vol. 55, iss. 7. — [P. 764-771]. — URL: http://dx.doi.org/10.1007/s11182-012-9879-1

  6. [Разжувалов, А. Н.](https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-authoritiesdetail.pl?authid=17300). Туннельные явления в напряженных вюртцитных гетероструктурах с сильными встроенными полями : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / А. Н. Разжувалов ; Томский государственный университет (ТГУ), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ) ; науч. рук. С. Н. ГриняевТомск, 2009. — 15 с. : ил.

  7. [Razzhuvalov, A. N.](https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-authoritiesdetail.pl?authid=19719). A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures = “Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001) / A. N. Razzhuvalov, S. N. Grinyaev // Physics of the Solid State : Scientific Journal. — 2009. — Vol. 51, iss. 1. — [P. 189-201]. — URL: http://dx.doi.org/10.1134/S1063783409010247

  8. [Разжувалов, А. Н.](https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-authoritiesdetail.pl?authid=17300). Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001) = Defects influence on the tunnel current in (0001) w-GAN/AlGaN structures / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // URL: http://nitrides-conf.ioffe.ru/abstracts/III-N_2008.pdf#page=196

  9. [Razzhuvalov, A. N.](https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-authoritiesdetail.pl?authid=19719). Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures = Гистерезис туннельного тока в двухбарьерный структурах W-GaN/AlGaN(0001) / A. N. Razzhuvalov, S. N. Grinyaev // Semiconductors : Scientific Journal. — 2008. — Vol. 42, iss. 5. — [P. 580-588]. — URL: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782608050163

  10. [Разжувалов, А. Н.](https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-authoritiesdetail.pl?authid=17300). "Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN = “Two-resonant” hysteresis of a tunnel current in heterostructure w-GaN/AlGaN (0001) / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // URL: http://nitrides-conf.ioffe.ru/abstracts/III-N_2007.pdf#page=109

  11. Grinyaev, S. N. Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures = Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN/AlGaN (0001) / S. N. Grinyaev, A. N. Razzhuvalov // Semiconductors : Scientific Journal. — 2006. — Vol. 40, iss. 6. — [P. 675-680]. — URL: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782606060121

  12. [Разжувалов, А. Н.](https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-authoritiesdetail.pl?authid=17300). Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001) / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // URL: http://nitrides-conf.ioffe.ru/abstracts/III-N_2005.pdf#page=113

  13. Grinyaev, S. N. The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures = Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001) / S. N. Grinyaev, A. N. Razzhuvalov // Semiconductors : Scientific Journal. — 2003. — Vol. 37, iss. 4. — [P. 433-438]. — URL: http://dx.doi.org/10.1134/1.1568463

  14. Grinyaev, S. N. Resonant electron tunneling in GaN/Ga1-x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffec = Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта / S. N. Grinyaev, A. N. Razzhuvalov // Physics of the Solid State : Scientific Journal. — 2001. — Vol. 43, iss. 3. — [P. 549-555]. — URL: http://dx.doi.org/10.1134/1.1356136

  15. Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys = Physical simulation of GaN/AlGaN HEMT-heterostructures and power microwave transistors using Synopsys software / Н. А. Торхов [и др.] // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники / Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР). — 2012. — № 2 (26), ч. 2. — [С. 145-151]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=18900092

  16. [Разжувалов, А. Н.](https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-authoritiesdetail.pl?authid=17300). “Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001) = A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // Физика твёрдого тела. — 2009. — Т. 51, вып. 1. — [С. 178-188]. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/2097

  17. Гриняев, С. Н. Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта = Resonant electron tunneling in GaN/Ga1−x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffect / С. Н. Гриняев, А. Н. Разжувалов // Физика твёрдого тела. — 2001. — Т. 43, вып. 3. — [С. 529-535]. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/38102

  18. [Разжувалов, А. Н.](https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-authoritiesdetail.pl?authid=17300). Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001) = Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // Физика и техника полупроводников. — 2008. — Т. 42, вып. 5. — [С. 595-603]. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/6579

  19. Гриняев, С. Н. Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001) = Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures / С. Н. Гриняев, А. Н. Разжувалов // Физика и техника полупроводников. — 2006. — Т. 40, вып. 6. — [С. 695-700]. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/6083

  20. Гриняев, С. Н. Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001) = The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1?x N(0001) structures / С. Н. Гриняев, А. Н. Разжувалов // Физика и техника полупроводников. — 2003. — Т. 37, вып. 4. — [С. 450-455]. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/5250

Страницы: 1 2

2011 © Томский политехнический университет
При полном или частичном использовании текстовых и графических материалов с сайта ссылка на портал ТПУ обязательна