Исследование процессов старения люминофоров и газоразрядных источников света : промежуточный отчет о НИР / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. Лисицын ; В. Ф. ШтанькоТомск, 1978. — 17 л.
Lisitsyn, V. M. Primary Pairing Energy of Radiation Defects in MGF2 Crystal / V. M. Lisitsyn, V. I. Korepanov // Soviet Physics Journal. — 1978. — Vol. 20, № 9. — P. 1244-1246
Исследование процессов старения люминофоров и газоразрядных источников света : отчет о НИР / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. ЛисицынТомск, 1977. — 36 л.
Изучение процессов старения люминофоров на основе ГФК путем моделирования условий работы в люминесцентной лампе : отчет о НИР / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. Лисицын ; В. Ф. ШтанькоТомск, 1977. — 27 л.
Влияние примеси на образование собственных радиационных дефектов в кристаллах CaF2 / Е. К. Завадовская [и др.] // Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ] / Томский политехнический институт (ТПИ). — 1977. — Т. 247 : Радиационная физика ионных структур. — [С. 47-55]. — URL: http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/1977/v247/06_bw.pdf
Лисицын, В. М. Радиационное изменение электропроводности в кристаллах CaF2 / В. М. Лисицын, В. А. Федоров // Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ] / Томский политехнический институт (ТПИ). — 1977. — Т. 247 : Радиационная физика ионных структур. — [С. 56-63]. — URL: http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/1977/v247/07_bw.pdf
Воробьев, А. А. Радиационная устойчивость ионных кристаллических материалов / А. А. Воробьев, В. М. Лисицын // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1977. — № 8. — С. 85-90
Исследование зарядовых превращений редкоземельных ионов в CaF2 методом позитронной спектроскопии / К. П. Арефьев [и др.] // Физика твердого тела / Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. — 1977. — Т. 19, № 12. — С. 3593-3596
Vorobyev, А. А. Radiation stability of ionic crystalline materials / А. А. Vorobyev, V. M. Lisitsyn // Soviet Physics Journal. — 1977. — Vol. 20, № 8. — P. 1051-1055
Lisitsyn, V. M. The annihilation probability for the components of a primary F-H pair in thermally activated motion / V. M. Lisitsyn, V. N. Sigimov // Soviet Physics Journal. — 1977. — Vol. 20, № 10. — P. 1288-1290
Селезнев, В. В. Роль поверхности в накоплении заряда диэлектриками при облучении различными видами радиации : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математическихх наук / В. В. Селезнев ; Томский политехнический институт ; науч. рук. Е. К. Завадовская ; науч. рук. В. М. ЛисицынТомск : [Б. и.], 1976. — 133 л. : ил.
Gorlach, V. V. Energy of Frenkel' defect formation in MgF2 / V. V. Gorlach, V. M. Lisitsyn // Soviet Physics Journal. — 1976. — Vol. 19, № 5. — P. 653-655
Vorobyev, А. А. Some trends in low-energy electron accumulation in an insulator / А. А. Vorobyev, V. M. Lisitsyn, V. V. Seleznev // Soviet Physics Journal. — 1976. — Vol. 19, № 4. — P. 519-521
Штанько, В. Ф. Исследование процессов преобразования радиационных дефектов в кристаллах CaF2 : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / В. Ф. Штанько ; Томский политехнический институт ; науч. рук. В. А. Москалев ; под ред. В. М. ЛисицынТомск : [Б. и.], 1975. — 149 л. : ил.
Корепанов, В. И. Исследование процессов радиационностимулированного взаимного преобразования электронных центров окраски в кристаллах MgF2 : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / В. И. Корепанов ; Томский политехнический институт ; науч. рук. Е. К. Завадовская ; науч. рук. В. М. ЛисицынТомск : [Б. и.], 1975. — 145 л. : ил.
Исследование причин старения тритиевых источников света путем моделирования условий их работы. Анализ процессов старения тритиевых источников света путем моделирования условий их работы с целью увеличения их стабильности : отчет о НИР тема: № 1-116/73 / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. Лисицын ; А. И. БарановТомск, 1975. — 50 л.
Анализ процессов старения тритиевых источников света путем моделирования с целью увеличения их стабильности : отчет о НИР / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. Лисицын ; А. А. МалышевТомск, 1975. — 36 л.
Применение синхротронного излучения в исследовании механизма образования радиационных дефектов в твердых телах / А. В. Кожевников [и др.] // Разработка и практическое применение электронных ускорителей : материалы Всесоюзной конференции (3-5 сентября 1975 г., Томск) / Томский политехнический институт (ТПИ) ; под ред. В. Л. Чахлова . — 1975. — С. 227
Lisitsyn, V. M. Temperature dependence of radiation defect buildup in doped CaF2 crystals / V. M. Lisitsyn, V. F. Shtan'ko // Soviet Physics Journal. — 1975. — Vol. 18, № 5. — P. 695-697
Radiation-stimulated transformation of F- and M-centers in CaF2 crystals / V. I. Korepanov [et al.] // Soviet Physics Journal. — 1975. — Vol. 18, № 5. — P. 698-700
