Радиационное воздействие на оптические свойства материалов : Отчет о НИР / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. Лисицын ; Л. В. СахноваТомск, 1990. — 32 л. — Передано в Государственный архив Томской области
Bochkanov, P. V. Spatial distribution of elements of charged Frenkel defect pairs in alkali-halide crystals / P. V. Bochkanov, V. I. Korepanov, V. M. Lisitsyn // Soviet Physics Journal. — 1989. — Vol. 32, № 3. — P. 171-174
Bochkanov, P. V. Relaxation kinetics of correlated neutral Frenkel pairs of defects in alkali-halide crystals / P. V. Bochkanov, V. I. Korepanov, V. M. Lisitsyn // Soviet Physics Journal. — 1989. — Vol. 32, № 3. — P.167-171
Разработка метода контроля качества полупроводниковых пластин : Заключительный отчет о НИР / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. Лисицын ; В. Ф. ШтанькоТомск, 1988. — 81 л.
Лисицын, В. М. Начальное взаимное распределение первичных пар радиационных дефектов / В. М. Лисицын // Диэлектрики в экстремальных условиях : материалы VI Всесоюзной конференции по физике диэлектриков, г. Томск, 23-25 ноября 1988 г. / Томский политехнический институт (ТПИ) ; Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина (ЛПИ) ; Московский институт электронного машиностроения (МИЭМ) ; отв. за вып. Д. И. Вайсбурд, В. Л. Ульянов. — 1988. — С. 25-26
Куликов, В. Д. Накопление заряда в диэлектриках при импульсном электронном облучении / В. Д. Куликов, В. М. Лисицын // Диэлектрики в экстремальных условиях : материалы VI Всесоюзной конференции по физике диэлектриков, г. Томск, 23-25 ноября 1988 г. / Томский политехнический институт (ТПИ) ; Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина (ЛПИ) ; Московский институт электронного машиностроения (МИЭМ) ; отв. за вып. Д. И. Вайсбурд, В. Л. Ульянов. — 1988. — С. 133-134
Кравченко, В. А. Люминисценция и образование центров окраски в галогенидах цезия под действием импульсных электронных пучков : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / В. А. Кравченко ; Томский политехнический институт ; науч. рук. В. М. ЛисицынТомск, 1986. — 178 л. : ил.
Кравченко, В. А. Высокотемпературный механизм образования F-центров в кристалле CsBr / В. А. Кравченко, В. М. Лисицын, В. Ю. Яковлев // Шестая Всесоюзная конференция по радиационной физике и химии ионных кристаллов, Рига, 9-11 октября 1986 г. : тезисы докладов / Академия наук Латвийской ССР (АН ЛатССР), Институт физики (ИФ). — 1986. — Ч. 1. — С. 89-90
Кравченко, В. А. Образование F-центров и автолокализованных экситонов в кристале CsBr под действием импульсных электронных пучков / В. А. Кравченко, В. М. Лисицын, В. Ю. Яковлев // Физика твердого тела / Академия наук СССР. — 1986. — Т. 28, № 11. — С. 3473-3477
Кравченко, В. А. Оптическое поглощение двухганоидных автолокализованных экситонов в CsBr / В. А. Кравченко, В. М. Лисицын, В. Ю. Яковлев // Оптика и спектроскопия : научный журнал / Академия наук СССР (АН СССР). — 1986. — Т. 60, вып. 3. — С. 662-664
Бочканов, П. В. Эволюция радиационных френкелевских пар дефектов в щелочно-галоидных кристаллах : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / П. В. Бочканов ; Томский политехнический институт ; науч. рук. В. М. ЛисицынТомск, 1985. — 176 л. : ил.
Bochkanov, P. V. Modeling of the evolution process of primary Frenkel pair defect formation in alkali halide crystals / P. V. Bochkanov, V. I. Korepanov, V. M. Lisitsyn // Soviet Physics Journal. — 1985. — Vol. 28, № 2. — P. 103-106
Исследование возможности создания катодолюминесцентного источника накачки ОКГ : отчет о НИР / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. Лисицын ; В. Ф. ШтанькоТомск, 1984. — 79 л. — Передано в Государственный архив Томской области
Куликов, В. Д. Распределение энергии импульсных электронных пучков в щелочно-галоидных кристаллах : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / В. Д. Куликов ; Томский политехнический институт ; науч. рук. В. М. ЛисицынТомск : [Б. и.], 1983. — 78 л. : ил.
Исследование возможности создания катодолюминесцентного источника накачки ОКГ : заключительный отчет о НИР / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. Лисицын ; В. Ф. ШтанькоТомск, 1981. — 79 л. — Передано в Государственный архив Томской области
Лисицын, В. М. Образование радиационных дефектов при распаде электронных возбуждений в кристаллах со сложной структурой решетки : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук / В. М. Лисицын ; Академия наук Латвийской ССР (АН ЛатССР), Институт физики (ИФ)Рига, 1980. — 38 с. : ил.
Исследование процессов старения люминофоров и газоразрядных источников света : промежуточный отчет о НИР / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководители В. М. Лисицын, В. Ф. ШтанькоТомск, 1979. — 24 л.
Lisitsyn, V. M. Temperature dependence of relaxation kinetics of primary structural defects in a KCl crystal after pulsed irradiation / V. M. Lisitsyn, G. N. Serikova // Soviet Physics Journal. — 1979. — Vol. 22, № 9. — P. 1014-1017
Lisitsyn, V. M. Temperature dependence of accumulation of radiation defects in ionic crystals / V. M. Lisitsyn // Soviet Physics Journal. — 1979. — Vol. 22, № 2. — P. 181-184
Гриценко, Б. П. Исследование образования первичных дефектов во фториде кальция и окислах магния и кремния методом импульсного радиолиза : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Б. П. Гриценко ; Томский политехнический институт ; науч. рук. Е. К. Завадовская ; под ред. В. М. ЛисицынТомск : [Б. и.], 1978. — 96 л. : ил.
