Лисицын, В. М. Уникальные исследовательские стенды - эффективная база для подготовки магистров / В. М. Лисицын, И. Ю. Зыков, А. Н. Яковлев // Alma mater : научно-теоретический журнал. — 2008. — № 8. — [С. 25-27]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=11682400
Спектрально-кинетические характеристики люминесценции кристалла системы LiF-O / Л. А. Лисицына [и др.] // Неорганические материалы / Российская академия наук (РАН), Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова (ИОНХ). — 2008. — Т. 44, № 6. — С. 754-759
Радиационное воздействие на оптические свойства материалов : Отчет о НИР / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. Лисицын ; Л. В. СахноваТомск, 1990. — 32 л. — Передано в Государственный архив Томской области
Материалы для источников света и светотехнических изделий : межвузовский сборник научных трудов / Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева ; под ред. В. М. ЛисицынаСаранск : Изд-во Мордовского ун-та, 1990. — 100 с. : ил.
Bochkanov, P. V. Relaxation kinetics of correlated neutral Frenkel pairs of defects in alkali-halide crystals / P. V. Bochkanov, V. I. Korepanov, V. M. Lisitsyn // Soviet Physics Journal. — 1989. — Vol. 32, № 3. — P.167-171
Bochkanov, P. V. Spatial distribution of elements of charged Frenkel defect pairs in alkali-halide crystals / P. V. Bochkanov, V. I. Korepanov, V. M. Lisitsyn // Soviet Physics Journal. — 1989. — Vol. 32, № 3. — P. 171-174
Лисицын, В. М. Начальное взаимное распределение первичных пар радиационных дефектов / В. М. Лисицын // Диэлектрики в экстремальных условиях : материалы VI Всесоюзной конференции по физике диэлектриков, г. Томск, 23-25 ноября 1988 г. / Томский политехнический институт (ТПИ) ; Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина (ЛПИ) ; Московский институт электронного машиностроения (МИЭМ) ; отв. за вып. Д. И. Вайсбурд, В. Л. Ульянов. — 1988. — Диэлектрики в экстремальных условиях. — С. 25-26
Куликов, В. Д. Накопление заряда в диэлектриках при импульсном электронном облучении / В. Д. Куликов, В. М. Лисицын // Диэлектрики в экстремальных условиях : материалы VI Всесоюзной конференции по физике диэлектриков, г. Томск, 23-25 ноября 1988 г. / Томский политехнический институт (ТПИ) ; Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина (ЛПИ) ; Московский институт электронного машиностроения (МИЭМ) ; отв. за вып. Д. И. Вайсбурд, В. Л. Ульянов. — 1988. — Диэлектрики в экстремальных условиях. — С. 133-134
Разработка метода контроля качества полупроводниковых пластин : Заключительный отчет о НИР / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. Лисицын ; В. Ф. ШтанькоТомск, 1988. — 81 л.
Кравченко, В. А. Люминисценция и образование центров окраски в галогенидах цезия под действием импульсных электронных пучков : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / В. А. Кравченко ; Томский политехнический институт ; науч. рук. В. М. ЛисицынТомск, 1986. — 178 л. : ил.
Кравченко, В. А. Высокотемпературный механизм образования F-центров в кристалле CsBr / В. А. Кравченко, В. М. Лисицын, В. Ю. Яковлев // Шестая Всесоюзная конференция по радиационной физике и химии ионных кристаллов, Рига, 9-11 октября 1986 г. : тезисы докладов / Академия наук Латвийской ССР (АН ЛатССР), Институт физики (ИФ). — 1986. — Ч. 1. — С. 89-90
Бочканов, П. В. Эволюция радиационных френкелевских пар дефектов в щелочно-галоидных кристаллах : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / П. В. Бочканов ; Томский политехнический институт ; науч. рук. В. М. ЛисицынТомск, 1985. — 176 л. : ил.
Bochkanov, P. V. Modeling of the evolution process of primary Frenkel pair defect formation in alkali halide crystals / P. V. Bochkanov, V. I. Korepanov, V. M. Lisitsyn // Soviet Physics Journal. — 1985. — Vol. 28, № 2. — P. 103-106
Lisitsyna, L. A. Effect of the surface on luminescence properties of ZnWO4 crystals / L. A. Lisitsyna, I. A. Tupitsyna, V. M. Lisitsyn // Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса. — URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2015.07.021
Stabilization of primary mobile radiation defects in MgF2 crystals / V. M. Lisitsyn [et al.] // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. — 2016. — Vol. 374 : Basic Research on Ionic-Covalent Materials. — [P. 24-28]. — URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2015.08.002
Исследование возможности создания катодолюминесцентного источника накачки ОКГ : отчет о НИР / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. Лисицын ; В. Ф. ШтанькоТомск, 1984. — 79 л. — Передано в Государственный архив Томской области
Начальные процессы взрывного разложения азидов тяжелых металлов / В. М. Лисицын [и др.] // Химическая физика / Российская академия наук (РАН), Отделение химии и наук о материалах РАН. — 2006. — Т. 25, № 2. — С. 59-64
Куликов, В. Д. Распределение энергии импульсных электронных пучков в щелочно-галоидных кристаллах : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / В. Д. Куликов ; Томский политехнический институт ; науч. рук. В. М. ЛисицынТомск : [Б. и.], 1983. — 78 л. : ил.
Исследование возможности создания катодолюминесцентного источника накачки ОКГ : заключительный отчет о НИР / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. Лисицын ; В. Ф. ШтанькоТомск, 1981. — 79 л. — Передано в Государственный архив Томской области
Лисицын, В. М. Образование радиационных дефектов при распаде электронных возбуждений в кристаллах со сложной структурой решетки : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук / В. М. Лисицын ; Академия наук Латвийской ССР (АН ЛатССР), Институт физики (ИФ)Рига, 1980. — 38 с. : ил.
