Кабышев, А. В. Перспективные полупроводниковые материалы и технологии для солнечной фотоэнергетики / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Электроэнергия: от получения и распределения до эффективного использования : материалы V Всероссийской научно-технической конференции, г. Томск, 17-18 мая 2012 г. / Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. Б. И. Кудрина ; Б. В. Лукутина ; А. С. Сайгаш. — 2012. — [С. 109-112]. — URL: http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2012/C29/047.pdf
Кабышев, А. В. Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // Известия вузов. Физика : научный журнал. — 2012. — Т. 55, № 6-2. — [С. 32-36]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=18441357
Kabyshev, A. V. The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev // Известия вузов. Физика : научный журнал. — 2012. — Т. 55, № 12-2. — [С. 128-132]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=20133326
Kabyshev, A. V. High Intensive Short Pulsed Ions Implantation Effect on Electrical and Photoelectrical Properties of Polycrystalline Silicon / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev // Известия вузов. Физика : научный журнал. — 2012. — Т. 55, № 12-3. — [С. 58-61]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=19015552
Кабышев, А. В. Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // URL: http://danp.sinp.msu.ru/pci2012/Program_2012_full.pdf#page=187
Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией / А. В. Кабышев [и др.] // Известия вузов. Физика. — 2011. — Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах. — URL: http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Conferences/2011/K02/56.pdf
Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлиия на кремниевой подложке / А. В. Кабышев [и др.] // труды ХXI Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 22-27 августа 2011 г.) : [в 2 т. ]. — 2011. — Т. 2. — С. 592-602
Кабышев, А. В. Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. — 2011. — № 3. — [С. 27-34]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=15639163
Kabyshev, A. V. Optical properties of GaAs films deposited via pulsed ion ablation / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques : Scientific Journal. — 2011. — Vol. 5, iss. 2. — [P. 228-235]. — URL: http://link.springer.com/article/10.1134/S1027451011030116
Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства / А. В. Кабышев [и др.] // (Пучковые методы формирования наноматериалов и наноструктур). — URL: http://www.elib.bsu.by/handle/123456789/28063
Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация / А. В. Кабышев [и др.] // URL: http://danp.sinp.msu.ru/pci2011/Proceedings2011.pdf#page=172
Оптические свойства пленок арсенида галлия, осажденных на диэлектрики из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком / А. В. Кабышев [и др.] // труды ХX Международного совещания "Радиационная физика твердого тела", (Севастополь, 5 июля - 12 июля 2010 г.) : [в 2 т. ]. — 2010. — Т. 2. — С. 578-587
Особенности электрофизических свойств пленок арсенида галлия, осажденных в неравновесных условиях / А. В. Кабышев [и др.] // Хаос и структуры в нелинейных системах. Теория и эксперимент : материалы 7-й Международной научной конференции, Караганда, 23-25 сентября 2010 г. — 2010. — С. 261-267
Kabyshev, A. V. Effect of coimplantation of iron and chromium ions on the optical properties of aluminum oxide / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques : Scientific Journal. — 2010. — Vol. 4, iss. 2. — [P. 327-334]. — URL: http://link.springer.com/article/10.1134/S1027451010020266
Кабышев, А. В. Влияние совместной имплантации ионов железа и хрома на оптические свойства оксида алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. — 2010. — № 4. — [С. 64-71]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=13726271
Peculiarities Of Electrophysical Properties Of Arsenide Gallium Films Deposited Under Nonequilibrium Conditions / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev [et al.] // Eurasian Physical Technical Journal. — 2010. — № 2 (14). — [P. 53-59]. — URL: http://www.ksu.kz/files/Faculties/Physical/Eurasian_Journal/2010_14/11.pdf
Кабышев, А. В. Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // URL: http://danp.sinp.msu.ru/pci2010/Theses2010.pdf#page=205
Optical properties and urbach rule of GaAs films deposited on polycor by pulsed ion ablation / A. V. Kabyshev [et al.] // URL: http://www.hcei.tsc.ru/conf/2010/cat/proc_2010/cmm/567-570.pdf
Kabyshev, A. V. Photoelectrical Properties of aluminum Oxide After Implantation with Cobalt Ions / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov // URL: http://www.hcei.tsc.ru/conf/2010/cat/proc_2010/cmm/409-412.pdf
Kabyshev, A. V. Peculiarities of optical absorption of aluminum oxide after implantation with cobalt ions / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 2009. — Т. 52, № 8/2 (приложение). — P. 54-57
Расписание
