Kabyshev, A. V. Peculiarities of optical absorption of aluminum oxide after implantation with cobalt ions / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 2009. — Т. 52, № 8/2 (приложение). — P. 54-57
Photoelectrical properties of GaAs films deposited on polycor by pulsed ions ablation / A. V. Kabyshev [et al.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 2009. — Т. 52, № 8/2 (приложение). — P. 342-345
Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией / А. В. Кабышев [и др.] // Известия вузов. Физика. — 2011. — Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах. — URL: http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Conferences/2011/K02/56.pdf
Кабышев, А. В. Радиационные дефекты и их комплексы в облученных ионами термостойких диэлектриках / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Известия вузов. Физика. — 2000. — Т. 43, № 3. — С. 85-94
Фотоэлектрические свойства пленок высокоомного GaAs, осажденных из абляционной плазмы, формируемой мощным импульсным ионнм пучком / А. В. Кабышев [и др.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 2008. — Т. 51, № 11/2 : материалы VI Международной научной конференции и IV школы-конференции молодых ученых "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах" (8–15 августа 2008 г., г. Томск). — С. 15-20
Кабышев, А. В. О выполнении правила Урбаха в сильно дефектных неорганических диэлектриках / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 2007. — № 2 (Приложение). — С. 28-34
Кабышев, А. В. Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // Известия вузов. Физика : научный журнал. — 2012. — Т. 55, № 6-2. — [С. 32-36]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=18441357
Kabyshev, A. V. The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev // Известия вузов. Физика : научный журнал. — 2012. — Т. 55, № 12-2. — [С. 128-132]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=20133326
Kabyshev, A. V. High Intensive Short Pulsed Ions Implantation Effect on Electrical and Photoelectrical Properties of Polycrystalline Silicon / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev // Известия вузов. Физика : научный журнал. — 2012. — Т. 55, № 12-3. — [С. 58-61]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=19015552
Кабышев, А. В. Электрические и фотоэлектрические свойства поликристаллического кремния после высокоинтенсивной короткоимпульсной имплантации ионов / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // Известия вузов. Физика : научный журнал. — 2013. — Т. 56, № 6. — [С. 3-7]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=19431107&
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией / А. В. Кабышев [и др.] // Известия вузов. Физика : научный журнал. — 2013. — Т. 56, № 7-2. — [С. 30-37]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=21115151
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией = Transport charge of gallium arsenide films, synthesized by ionic ablation / А. В. Кабышев [и др.] // Известия вузов. Физика : научный журнал / Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ). — 2014. — Т. 57, № 9/3. — [С. 61-65]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=23274334
Кабышев, А. В. Влияние имплантации ионов титана и газовой среды на электрофизические свойства оксида алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Журнал технической физики. — 2007. — Т. 77, № 6. — [С. 57-61]. — URL: http://journals.ioffe.ru/jtf/2007/06/page-57.html.ru
Konusov, F. V. Mechanism of the semiconductor-insulator transition during ion-thermal treatment / F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, В. В. Лопатин // Technical Physics : the russian journal of applied physics. — 1995. — Vol. 40, № 8. — P. 860-862
Кабышев, А. В. Механизмы перехода диэлектрик-полупроводник при ионно-термической обработке / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Журнал технической физики / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ). — 1995. — Т. 65, вып. 8. — С. 200-204
Расписание
