Список публикаций
По техническим причинам добавление новых публикаций временно недоступно.
Количество записей: 212
Кабышев, Александр Васильевич. Локализованные состояния дефектов и свойства облученных ионами диэлектриков / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Радиационная физика твердого тела тезисы докладов V Межнационального совещания, (Севастополь, 26 июня - 2 июля 1995 г.): . — Севастополь : 1995 . — С. 70 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..
Кабышев, Александр Васильевич. Механизм перехода диэлектриков в полупроводящее состояние при ионно-термической обработке / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Вакуумная наука и техника Вторая научно-техническая конференция, Гурзуф, 2-9 октября : материалы конференции: . — Москва : МГИЭМ , 1995 . — С. 192 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..
Konusov, Fedor Valerievich. Localized states of defects in ion-irradiated dielectrics / F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V. V. Lopatin // Physics of the Solid State . — 1995 . — Vol. 37, № 7 . — Р.1079-1083 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..
Konusov, Fedor Valerievich. Mechanism of the semiconductor-insulator transition during ion-thermal treatment / F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, В. В. Лопатин // Technical Physics the russian journal of applied physics: . — 1995 . — Vol. 40, № 8 . — P. 860-862 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..
Кабышев, Александр Васильевич. Физико-химическое состояние, свойства и электроперенос неорганических диэлектриков после ионно-пучковой обработки / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Proceedings of 1st International Symposium Beam Technologies, BT' 95, Dubna, Russia, February 28 - March 4, 1995 . — Дубна : ОИЯИ , 1995 . — С. 28 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..
Лопатин, Владимир Васильевич. Электронная структура запрещенной зоны облученного нейтронами нитрида бора / В. В. Лопатин, Ф. В. Конусов // 8-я конференция по радиационной физике и химии неорганических материалов РФХ-8 сборник тезисов докладов, 10-12 ноября 1993 г., Томск: / Томский политехнический университет (ТПУ) . — 1993 . — Т. 2 . — С. 48 .
Лопатин, Владимир Васильевич. Дефектообразование и электроперенос в имплантированных керамических диэлектриках / В. В. Лопатин, Ф. В. Конусов, А. В. Кабышев // Взаимодействие ионов с поверхностью материалы XI Международной конференции, 7-11 сентября 1993 г., Москва: . — 1993 . — Т. 3 . — С. 84-86 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..
Конусов, Фёдор Валерьевич. Центры захвата и рекомбинации носителей заряда в керамике на основе нитрида бора : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : спец. 01.04.07 / Ф. В. Конусов; Томский политехнический университет (ТПУ), Научно-исследовательский институт высоких напряжений (НИИВН) ; науч. рук. В. В. Лопатин. — Томск: Б.и., 1993. — Защита сост. 20.05.1993 г. в ТГУ. — Заглавие с титульного экрана. — Электронная версия печатной публикации. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Лопатин, Владимир Васильевич. Исследование дефектов в BN после нейтронного облучения методом термоактивационной спектроскопии / В. В. Лопатин, Ф. В. Конусов // Радиационная физика твердого тела тезисы докладов межотраслевого совещания, Севастополь, 1-6 июня 1992: . — Севастополь : 1992 . — С. 66-67 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..
Lopatin, Vladimir Vasilyevich. Energetic states in the boron nitride band gap / V. V. Lopatin, F. V. Konusov // Journal of Physics and Chemistry of Solids Scientific Journal: . — 1992 . — Vol. 53, iss. 6 . — [P. 847–854] . — Title screen. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Отжиговые изменения дефектов и диэлектрических свойств в облученном нейтронами нитриде бора / А. В. Кабышев [и др.] // Радиационные гетерогенные процессы тезисы докладов 5 Всесоюзного совещания, Кемерово, 28-31 мая 1990: . — 1990 . — Ч. 1 . — С. 139 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..
Galanov, Yury Ivanovich. Trapping centers and recombination in pyrolytic boron nitride / Yu. I. Galanov, F. V. Konusov, V. V. Lopatin // Russian Physics Journal . — 1989 . — Vol. 32, iss. 11 . — [С. 926-929] . — Title screen. — [Ref.: p. 929 (11 tit.)]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
|
Расписание
