Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation / A. V. Kabyshev [et al.] // Journal of Physics: Conference Series. — 2014. — Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia. — [012003, 5 p.]. — URL: http://iopscience.iop.org/1742-6596/552/1/012003
Electrical and photoelectric properties of polycrystalline diamond films deposited from an abnormal glow discharge / F. V. Konusov [et al.] // Journal of Physics: Conference Series. — 2014. — Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia. — [012046, 5 p.]. — URL: http://iopscience.iop.org/1742-6596/552/1/012046
Кабышев, А. В. Влияние совместной имплантации ионов железа и хрома на электрические и фотоэлектрические свойства оксида алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Радиационная физика твердого тела : труды XXIV Международной конференции, Севастополь, 7-12июля 2014 г. — 2014. — С. 671-680
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией / А. В. Кабышев [и др.] // URL: http://danp.sinp.msu.ru/pci2014/ProgramFull_pci2014.pdf#page=175
Transport Charge of Gallium Arsenide Films Synthesized on Polycrystalline Silicon by Ionics Ablation / A. V. Kabyshev [et al.] // URL: http://www.hcei.tsc.ru/congress2014/images/Abstracts.pdf#page=329
Electrical and Photoelectric Properties of Polycrystalline Diamond Films, Deposited by Abnormal Glow Discharge / A. V. Gaydaychuk [et al.] // URL: http://www.hcei.tsc.ru/congress2014/images/Abstracts.pdf#page=512
Kabyshev, A. V. Electrical and Photoelectric Properties of Polycrystalline Silicon after High-Intensity Short-Pulse Ion Implantation / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev // Russian Physics Journal. — 2013. — Vol. 56, iss. 6. — [P. 607-611]. — URL: http://dx.doi.org/10.1007/s11182-013-0075-8
Кабышев, А. В. Электрические и фотоэлектрические свойства пленок, осажденных на нитриде бора из электроразрядной титансодержащей плазмы / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, А. А. Сивков // URL: http://elib.bsu.by/handle/123456789/48460
Кабышев, А. В. Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, С. К. Павлов // URL: http://elib.bsu.by/handle/123456789/49057
Кабышев, А. В. Влияние высокоинтенсивной короткоимпульсной имплантации ионов на свойства поликристаллического кремния / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // URL: http://danp.sinp.msu.ru/pci2013/program2013.pdf#page=146
Кабышев, А. В. Эволюция дефектного состояния облученного ионами хрома и отожженного на воздухе оксида алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Труды XXIII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 8 июля - 13 июля 2013 г.). — 2013. — С. 519-527
Кабышев, А. В. Перспективные полупроводниковые материалы и технологии для солнечной фотоэнергетики / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Электроэнергия: от получения и распределения до эффективного использования : материалы V Всероссийской научно-технической конференции, г. Томск, 17-18 мая 2012 г. / Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. Б. И. Кудрина ; Б. В. Лукутина ; А. С. Сайгаш. — 2012. — [С. 109-112]. — URL: http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2012/C29/047.pdf
Кабышев, А. В. Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // URL: http://danp.sinp.msu.ru/pci2012/Program_2012_full.pdf#page=187
Кабышев, А. В. Влияние высокоинтенсивной короткоимпульсной имплантации ионов на электрические и фотоэлектрические свойства поликристаллического кремния / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // труды ХXII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 9-14 июля 2012 г.). — 2012. — С. 469-477
Кабышев, А. В. Релаксация неравновесного состояния приповерхностного слоя кремния после имплантации ионов / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // Хаос и структуры в нелинейных системах. Теория и эксперимент : материалы 8-й Международной научной конференции, посвященной 40-летию КарГУ имени академика Е. А. Букетова, Караганда, 18-20 июня 2012 г. — 2012. — С. 343-349
Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства / А. В. Кабышев [и др.] // (Пучковые методы формирования наноматериалов и наноструктур). — URL: http://www.elib.bsu.by/handle/123456789/28063
Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация / А. В. Кабышев [и др.] // URL: http://danp.sinp.msu.ru/pci2011/Proceedings2011.pdf#page=172
Kabyshev, A. V. Optical properties of GaAs films deposited via pulsed ion ablation / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques : Scientific Journal. — 2011. — Vol. 5, iss. 2. — [P. 228-235]. — URL: http://link.springer.com/article/10.1134/S1027451011030116
Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлиия на кремниевой подложке / А. В. Кабышев [и др.] // труды ХXI Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 22-27 августа 2011 г.) : [в 2 т. ]. — 2011. — Т. 2. — С. 592-602
Кабышев, А. В. Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // URL: http://danp.sinp.msu.ru/pci2010/Theses2010.pdf#page=205
Расписание
