SEARCH:
Главная > Персональные сайты > Конусов Федор Валерьевич > publications

Конусов Федор Валерьевич
Кандидат физико-математических наук

Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Ведущий инженер

Тел.: 8 (3822) 60-61-57
Вн. телефон: 2529
написать сообщение
Сегодня
27 апреля 2024 / Saturday / Неделя нечетная
Time tableРасписание
  
    New Tab     

Список публикаций

По техническим причинам добавление новых публикаций временно недоступно.

Количество записей: 212

  1. Electrical and Photoelectric Properties of Polycrystalline Diamond Films, Deposited by Abnormal Glow Discharge / A. V. Gaydaychuk [et al.] // EFRE-2014: 16th International Conference on Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter abstracts of International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects,Tomsk, September 21–26, 2014: / Institute of High Current Electronics ; National Research Tomsk Polytechnic University (TPU) ; Tomsk Scientific Center SB RAS . — Tomsk : Publishing House of IAO SB RAS , 2014 . — [P. 512] . — Title screen. — [References: p. 512 (1 tit.)]. — Adobe Reader..

  2. Influence of the High-Intensity Short-Pulse Implantation of Ions on the Properties of Polycrystalline Silicon / A. V. Kabyshev [et al.] // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques . — 2014 . — Vol. 8, iss. 6 . — [P. 1168-1173] . — Title screen. — [Ref.: p. 1173 (33 tit.)]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  3. Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией = Transport charge of gallium arsenide films, synthesized by ionic ablation / А. В. Кабышев [и др.] // Известия вузов. Физика научный журнал: / Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) . — 2014 . — Т. 57, № 9/3 . — [С. 61-65] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: с. 64-65 (22 назв.)]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  4. Кабышев, Александр Васильевич. Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования . — 2014 . — № 2 . — [С. 65-68] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: с. 68 (30 назв.)]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  5. Влияние высокоинтенсивной короткоимпульсной имплантации ионов на свойства поликристаллического кремния / А. В. Кабышев [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования . — 2014 . — № 11 . — [С. 86-92] . — Заглавие с экрана. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  6. Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation / A. V. Kabyshev [et al.] // Journal of Physics: Conference Series . — 2014 . — Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia . — [012003, 5 p.] . — Title screen. — [References: 15 tit.]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  7. Electrical and photoelectric properties of polycrystalline diamond films deposited from an abnormal glow discharge / F. V. Konusov [et al.] // Journal of Physics: Conference Series . — 2014 . — Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia . — [012046, 5 p.] . — Title screen. — [Ref.: 19 tit.]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  8. Кабышев, Александр Васильевич. Эволюция дефектного состояния облученного ионами хрома и отожженного на воздухе оксида алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Труды XXIII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 8 июля - 13 июля 2013 г.) . — Москва : Изд-во НИИ ПМТ , 2013 . — С. 519-527 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..

  9. Кабышев, Александр Васильевич. Влияние высокоинтенсивной короткоимпульсной имплантации ионов на свойства поликристаллического кремния / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // ФВЗЧК-2013 тезисы докладов ХLIII международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, г. Москва, 28 мая - 30 мая 2013 г.: / Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (МГУ) ; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (МГУ), Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына (НИИЯФ) . — Москва : Изд-во МГУ , 2013 . — [С. 128] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: с. 128 (4 назв.)]..

  10. Кабышев, Александр Васильевич. Электрические и фотоэлектрические свойства пленок, осажденных на нитриде бора из электроразрядной титансодержащей плазмы / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, А. А. Сивков // Взаимодействие излучений с твердым телом материалы 10-й Международной конференции, 24-27 сентября 2013 г., г. Минск: / Белорусский государственный университет (БГУ) . — Минск : Изд-во БГУ , 2013 . — [С. 302-304] . — Заглавие с титульного листа. — [Библиогр.: с. 304 (7 назв.)]. — Adobe Reader..

  11. Кабышев, Александр Васильевич. Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, С. К. Павлов // Взаимодействие излучений с твердым телом материалы 10-й Международной конференции, 24-27 сентября 2013 г., г. Минск: / Белорусский государственный университет (БГУ) . — Минск : Изд-во БГУ , 2013 . — [С. 193-195] . — Заглавие с титульного листа. — [Библиогр.: с. 195 (15 назв.)]. — Adobe Reader..

  12. Kabyshev, Alexander Vasilievich. Electrical and Photoelectric Properties of Polycrystalline Silicon after High-Intensity Short-Pulse Ion Implantation / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev // Russian Physics Journal . — 2013 . — Vol. 56, iss. 6 . — [P. 607-611] . — Title screen. — [Ref.: p. 611 (24 tit.)]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  13. Кабышев, Александр Васильевич. Электрические и фотоэлектрические свойства поликристаллического кремния после высокоинтенсивной короткоимпульсной имплантации ионов / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // Известия вузов. Физика научный журнал: . — 2013 . — Т. 56, № 6 . — [С. 3-7] . — Заглавие с экрана. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  14. Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией / А. В. Кабышев [и др.] // Известия вузов. Физика научный журнал: . — 2013 . — Т. 56, № 7-2 . — [С. 30-37] . — Заглавие с экрана. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  15. Кабышев, Александр Васильевич. Влияние высокоинтенсивной короткоимпульсной имплантации ионов на электрические и фотоэлектрические свойства поликристаллического кремния / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // труды ХXII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 9-14 июля 2012 г.) . — Москва : Изд-во НИИ ПМТ , 2012 . — С. 469-477 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..

  16. Кабышев, Александр Васильевич. Релаксация неравновесного состояния приповерхностного слоя кремния после имплантации ионов / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // Хаос и структуры в нелинейных системах. Теория и эксперимент материалы 8-й Международной научной конференции, посвященной 40-летию КарГУ имени академика Е. А. Букетова, Караганда, 18-20 июня 2012 г.: . — Караганда : Изд-во КарГУ , 2012 . — С. 343-349 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..

  17. Кабышев, Александр Васильевич. Перспективные полупроводниковые материалы и технологии для солнечной фотоэнергетики / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Электроэнергия: от получения и распределения до эффективного использования материалы V Всероссийской научно-технической конференции, г. Томск, 17-18 мая 2012 г.: / Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. Б. И. Кудрина ; Б. В. Лукутина ; А. С. Сайгаш . — Томск : Изд-во ТПУ , 2012 . — [С. 109-112] . — Заглавие с титульного листа. — [Библиогр.: с. 111-112 (18 назв.)]. — Adobe Reader..

  18. Кабышев, Александр Васильевич. Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // ФВЗЧК-2012 тезисы докладов ХLII международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, г. Москва, 29 мая - 31 мая 2012 г.: / Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (МГУ) ; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (МГУ), Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына (НИИЯФ) . — Москва : Изд-во МГУ , 2012 . — [С. 163] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: с. 163 (4 назв.)]..

  19. Kabyshev, Alexander Vasilievich. The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev // Известия вузов. Физика научный журнал: . — 2012 . — Т. 55, № 12-2 . — [С. 128-132] . — Title screen. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

  20. Kabyshev, Alexander Vasilievich. High Intensive Short Pulsed Ions Implantation Effect on Electrical and Photoelectrical Properties of Polycrystalline Silicon / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev // Известия вузов. Физика научный журнал: . — 2012 . — Т. 55, № 12-3 . — [С. 58-61] . — Title screen. — [Ref.: p. 61 (24 tit.)]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..

Страницы: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

2011 © Томский политехнический университет
При полном или частичном использовании текстовых и графических материалов с сайта ссылка на портал ТПУ обязательна