Свойства пиролитического ромбоэдрического нитрида бора / В. С. Дедков [и др.] // Неорганические материалы / Российская академия наук (РАН), Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова (ИОНХ). — 1996. — Т. 32, № 6. — С. 690-695
Электрофизические свойства поликристаллического сфалеритного нитрида бора / А. В. Кабышев [и др.] // Неорганические материалы / Российская академия наук (РАН), Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова (ИОНХ). — 1996. — Т. 32, № 2. — С. 165-170
Кабышев, А. В. Влияние облучения ионами железа и отжига на оптическое поглощение лейкосапфира / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Неорганические материалы / Российская академия наук (РАН), Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова (ИОНХ). — 2006. — Т. 42, № 7. — С. 836-842
Отжиговые изменения дефектов и диэлектрических свойств в облученном нейтронами нитриде бора / А. В. Кабышев [и др.] // Радиационные гетерогенные процессы : тезисы докладов 5 Всесоюзного совещания, Кемерово, 28-31 мая 1990. — 1990. — Ч. 1. — С. 139
Galanov, Yu. I. Trapping centers and recombination in pyrolytic boron nitride / Yu. I. Galanov, F. V. Konusov, V. V. Lopatin // Russian Physics Journal. — 1989. — Vol. 32, iss. 11. — [С. 926-929]. — URL: http://link.springer.com/article/10.1007/BF00898966
Кабышев, А. В. Распределение локализованных в запрещенной зоне состояний и модель электронных переходов в облученных ионами диэлектриках / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Поверхность. Физика, химия, механика. — 1995. — № 12. — С. 33-37
Influence of the High-Intensity Short-Pulse Implantation of Ions on the Properties of Polycrystalline Silicon / A. V. Kabyshev [et al.] // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. — 2014. — Vol. 8, iss. 6. — [P. 1168-1173]. — URL: http://link.springer.com/article/10.1134/S1027451014060068
Konusov, F. V. The influence of air on the characteristics of the trapping and recombination centers of boron nitride irradiated with ions / F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V. V. Lopatin // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. — 2001. — Vol. 16, № 5. — P. 723-729
Кабышев, А. В. Центры рекомбинации и фоточувствительности в облученном ионами нитриде бора / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Физика и химия обработки материалов. — 1997. — № 6. — С. 21-26
Кабышев, А. В. Электрофизические и оптические свойства облученного ионами титана оксида алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Физика и химия обработки материалов / Российская академия наук (РАН), Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова (ИМЕТ). — 2002. — № 6. — С. 15-20
Кабышев, А. В. Комплексы радиационных дефектов в облученном ионами нитриде алюминия / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Физика и химия обработки материалов / Российская академия наук (РАН), Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова (ИМЕТ). — 2004. — № 1. — С. 5-12
Кабышев, А. В. Влияние комплексов дефектов на оптическое поглощение оксида алюминия, облученного ионами алюминия и кремния / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов // Физика и химия обработки материалов / Российская академия наук (РАН), Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова (ИМЕТ). — 2005. — № 3. — С. 21-28
Properties of rhombohedral pyrolytic boron nitride / V. S. Dedkov [et al.] // Inorganic Materials. — 1996. — Vol. 32, № 6. — P. 609-614
Physical properties of polycrystalline cubic boron nitride / A. V. Kabyshev [et al.] // Inorganic Materials. — 1996. — Vol. 32, № 2. — P. 146-150
Гриняев, С. Н. Глубокие уровни комплексов вакансий азота в графитоподобном нитриде бора / С. Н. Гриняев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Физика твердого тела. — 2002. — Т. 44, № 2. — С. 275-282
Оптическое поглощение гексагонального нитрида бора с участием вакансий азота и их комплексов / С. Н. Гриняев [и др.] // Физика твердого тела / Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. — 2004. — Т. 46, № 3. — С. 424-429
Konusov, F. V. Localized states of defects in ion-irradiated dielectrics / F. V. Konusov, A. V. Kabyshev, V. V. Lopatin // Physics of the Solid State. — 1995. — Vol. 37, № 7. — Р.1079-1083
Кабышев, А. В. Локализованные состояния дефектов в облученных ионами диэлектриках / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Физика твердого тела. — 1995. — Т. 37, № 7. — С. 1981-1989
Konusov, F. V. Localized defect states in alumina irradiated with siliconions / F. V. Konusov, A. V. Kabyshev // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 2006. — Т. 49, № 10 : Приложение. — Р. 372-375
Kabyshev, A. V. Optical and photoelectrical properties of single sapphire crystal after irradiation with silicon ions / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 2006. — Т. 49, № 8. — P. 333-336
Расписание
