Количество записей: 3

1. Chernyshov, V. N. Boundary Conditions in Models for Calculating Electron States in Semiconductor Nanostructures / V. N. Chernyshov // Russian Physics Journal : Scientific Journal. — 2015. — Vol. 57, iss. 12. — [P. 1634-1641]. — URL: http://dx.doi.org/10.1007/s11182-015-0431-y

   Полный текст      Документ в каталоге НТБ

2. Караваев, Г. Ф. Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001) = Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures / Г. Ф. Караваев, В. Н. Чернышов, А. Н. Разжувалов // Известия вузов. Физика : научный журнал / Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ). — 2012. — Т. 55, № 7. — [С. 34-40]. — URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=18040643

   Полный текст      Документ в каталоге НТБ

3. Karavaev, G. F. Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures = Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001) / G. F. Karavaev, V. N. Chernyshov, A. N. Razzhuvalov // Russian Physics Journal : Scientific Journal. — 2012. — Vol. 55, iss. 7. — [P. 764-771]. — URL: http://dx.doi.org/10.1007/s11182-012-9879-1

   Полный текст      Документ в каталоге НТБ