Родился 20 марта 1952 года, пос. Бурея Амурской области.

Родители.Папа – Градобоев Василий Афанасьевич (1912 г.р.), уроженец Вятской губернии, в 1935 году после окончания Ленинградских курсов машинистов – паровозников приехал по распределение в паровозное депо станции Бурея (приехала целая команда выпускников – порядка 16 человек). Остальная его трудовая жизнь была связана с этим депо. В 1967 году папа ушел на пенсию, но продолжал работать кочегаром в котельной вплоть до 1980 года. Умер в 1986 году. Мама – Градобоева Лукерья Никитична (1913 г.р.). Окончила 2 класса, работала на железной дороге до 1950 года, потом – домохозяйка. Умерла в 1997 году. Было два брата (старший брат умер), которые намного старше меня и достаточно много племянников и племянниц (включая внучатых). Все родственники проживают на Дальнем Востоке.

Окончил с.ш. № 2 пос. Бурея в 1969 году и поступил на электрофизический факультет ТПИ (специальность – физика твердого тела, специализация – радиационная физика), который успешно окончил в 1974 году.

Работа. 1974 – 1975 г. – проблемная научно-исследовательская лаборатория «Электроники диэлектриков и полупроводников» (ПНИЛ ЭД и П) при ТПИ, инженер, но в этой лаборатории начал работать еще студентом. С 1975 г. по настоящее время – Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (в данное время ОАО «НИИПП», г.Томск): инженер, старший инженер, ведущий инженер, с.н.с., начальник лаборатории специспытаний – руководитель службы радиационной безопасности института (с 1988 г.). Работу в НИИПП начал в отделении материалов в лаборатории Кустова В.Г. Занимался разработкой методов измерения параметров полупроводниковых многослойных структур. Одна из первых работ – разработка способа измерения профиля легирования многослойных эпитаксиальных структур арсенида галлия (Градобоев А.В., Кустов В.Г., Пешев В.В. Измерение профиля легирования в слоях полупроводников на барьере электролит – полупроводник / Электронная техника Сер. Материалы – 1978, Вып.9 – С. 122-124). Данная работа легла в основу серийной установки «Бриг», которая до сих пор используется при производстве различных полупроводниковых приборов на предприятиях России. После службы в армии (1977-1979 гг.) вернулся в НИИПП, ведущий инженер лаборатории физических исследований. Основное направление работы:

–
• прогнозирование выходных параметров диодов Ганна по характеристикам исходных структур;
–
• влияние технологических и конструктивных факторов на выходные параметры приборов;
–
• анализ технологического брака в производстве приборов;
–
• эффективность производства приборов и пути ее повышения.

Часть полученных научных результатов легли в основу кандидатской диссертации. В 1988 году перешел в отдел надежности и применения в лабораторию специспытаний, которую и возглавляю с 1988 года по настоящее время. Таким образом, через 14 лет после окончания института вернулся к своей родной специальности и занялся вопросами радиационной физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Практически через лабораторию проходили все новые изделия предприятия. Полученные научные результаты легли в основу докторской диссертации. Окончил очную докторантуру ТПУ (1999 – 2002 г.). С 2002 г. по 2004 г. работал старшим научным сотрудником кафедры высшей математику ТПУ. С 2004 г. по настоящее время – профессор кафедры естественно-научного образования ЮТИ ТПУ. С приходом на постоянную работу в ЮТИ ТПУ по-прежнему поддерживаю контакты с НИИПП (возглавляю лабораторию специспытаний и службу радиационной безопасности).

Удостоен звания “Кадровый работник – ветеран предприятия” (НИИПП, 1999 г.). Награжден медалью “60 лет ВС СССР” (Служба в ВС СССР, 1977-1979 г., Краснознаменный Белорусский военный округ).

Аспирантура и докторантура. В 1988 году закончил заочную аспирантуру ТГУ (правда в аспирантуре был около года) и защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата технических наук (Ученый совет ТГУ). Моим научным руководителем был д. ф.-м. н, профессор Гаман Василий Иванович. Тема кандидатской диссертации: «Разработка методов контроля пригодности эпитаксиального арсенида галлия для изготовления диодов Ганна сантиметрового диапазона длин волн». Практически все разработки, выполненные в НИИПП к 1988 г. и защищенные авторскими свидетельствами, были внедрены в производство. В 2002 году окончил очную докторантуру ТПУ и в 2003 году защитил докторскую диссертацию на тему: «Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия» (Ученый совет ТПУ). Научным консультантом был д.ф.-м.н., профессор Суржиков Анатолий Петрович. Даже после ухода в НИИПП (1975 г.) я постоянно поддерживал контакты с ПНИЛ ЭДиП. Материалы, представленные в докторской диссертации легли в основу монографии (Градобоев А.В., Суржиков А.П. Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия, - Томск: Изд. ТПУ, 2005. – 277 с).

Работа в ЮТИ ТПУ. Работаю с 2004 года. Профессор кафедры естественно-научного образования. Преподаю физику. В 2005 году организовал научно-исследовательскую лабораторию. Цель лаборатории – сосредоточить современное аналитическое и исследовательское оборудование для решения исследовательских задач общего машиностроения. В составе лаборатории – отдел механических испытаний, отдел физики конденсированного состояния и студенческое конструкторское бюро. В 2005 г. лаборатория выполнила свой первый хоздоговор на сумму 120 тыс. руб. В 2006 г. заключен договор почти на 1 миллион руб. Работает СКБ, решая конкретные конструкторские задачи для производства в рамках хоздоговоров. Планируем, что лаборатория будет преобразована в Центр коллективного пользования.

Научная деятельность:Специалист в области исследований и испытаний полупроводников и полупроводниковых приборов. Занимаюсь исследованиями в области медицинской физики. Опубликовано более 65 работ в открытой печати (включая 9 авторских свидетельств и патентов, одну монографию), 8 работ в закрытой печати (включая 3 патента), ответственный исполнитель и соисполнитель 20 НИОКР, главный конструктор 1 ОКР и научный руководитель 8 НИР (эти работы выполнены в НИИПП). Разработал несколько промышленных установок («Бриг», «Диагностика» и др.), которые используются в условиях серийного производства изделий электронной техники на предприятиях России. Неоднократно признавался лучшим изобретателем НИИПП. Постоянно участвую в работе таких конференций как:

• Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V (Организаторы: ТГУ, СФТИ, НИИПП).
• Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах (ТПУ).
• Методы оценки и обеспечения радиационной стойкости изделий электронной техники» (Москва).
• «Радиационная физика» (Москва).
• «Физика конденсированного состояния» (Россия, Казахстан).

Организационная деятельность: Работая начальником лаборатории специспытаний, организовывал проведение испытаний изделий предприятия на аттестованных базах МО под контролем Службы Заказчика. С 2000 г. занимаюсь вопросами лицензирования оборудования НИИПП в области использования атомной энергии. Имею сертификат СИПК “Радиационная безопасность в области использования атомной энергии” (от 17.02.2003 г.).

Педагогическая деятельность: За период работы в НИИПП подготовлено 26 дипломников (ТГУ, ТПУ, ТУСУР). В 1995 г. читал эксклюзивный курс “Радиационная стойкость и надежность изделий электронной техники” (ТУСУР). Практически готово к опубликованию методическое пособие по этому курсу. Являюсь членом ученого совета Д 212.269.09 (ТПУ). С 2004 года профессор кафедры естественно-научного образования ЮТИ ТПУ. В педагогической практике занимаюсь внедрением аппаратов мгновенного самоконтроля знаний в образовательный процесс. На кафедре М и ИГ уже работает курс «Детали машин» на основе этой технологии, а на кафедре ЕНО – физика и высшая математика.

Семья.Жена – Градобоева Наталья Вильевна (1953 г.р., г. Дудинка Красноярского края). Образование высшее – учитель начальных классов, школьный психолог. В настоящее время не работает. Сын Кирилл (1977 г.р., родился в Белоруссии, когда я служил в СА) – предприниматель. Внук Егор (2003 г.р.).

Хобби.Прежде всего это рыбалка и грибы.

Наиболее значимые работы:

• Градобоев А.В., Кустов В.Г., Пешев В.В. Измерение профиля легирования в слоях полупроводников на барьере электролит – полупроводник / Электронная техника Сер. Материалы – 1978, Вып.9 – С. 122-124.
• Нестеренко А.П., Градобоев А.В. Способ определения объемного сопротивления активного слоя диодов Ганна / А.С. СССР № 988071б МКИ G 01 R 31/26 – заявл. 27.05.81, №080819.
• Градобоев А.В., Нестеренко А.П. Способ контроля пригодности полупроводниковых материалов для диодов Ганна / А.С. СССР № 1127489. МКИ H 01 L 21/66 – заявл. 11.07.83, № 106789.
• Разработка установки разбраковки полупроводникового материала для изготовления диодов Ганна / Отчет по ОКР. Главный конструктор А.В.Градобоев. Шифр “Диагностика-1” – Рег.№ Ф 18781 – Томск, НИИПП, 1984 – 41 с.
• Градобоев А.В. Контактные эффекты в диодах Ганна / Электронная промышленность – 1998, № 1-2 – С.118-121.
• Градобоев А.В. Способ определения контактного сопротивления диода Ганна (варианты) / Патент РФ № 2152045. МКИ G 01 R 31/26 – заявл. 10.03.1999, Опубл. БИМП № 18, 27.06.2000 г.
• Градобоев А.В. Радиационная стойкость арсенида галлия. I. Быстрые нейтроны и протоны / Перспективные материалы – 2005, № 3 – С.22 – 30.
• Градобоев А.В., Суржиков А.П. Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия, - Томск: Изд. ТПУ, 2005. – 277 с.

Домашний адрес:Россия, 634012, г. Томск, пер. Нахимова, д. 10/1, кв. 52.

Тел. раб. НИИПП (3822) 48-84-59,

дом. 54-00-45,

сот. 8-913-840-43-26.

E-mail: gradoboev1@mail.ru