Родился 20 марта 1952 года, пос. Бурея Амурской области, гражданин РФ. В 1969 году окончил школу и поступил на электрофизический факультет ТПИ (специальность – физика твердого тела, специализация – радиационная физика), который окончил в 1974 году (диплом инженера-физика А1№.677656).

Работа. 1974 – 1975г. – проблемная научно-исследовательская лаборатория «Электроники диэлектриков и полупроводников» (ПНИЛ ЭДиП) при ТПИ, инженер. С 1975г. и по настоящее время (работаю по контракту) – Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (ОАО «НИИПП», г. Томск): инженер, старший инженер, ведущий инженер, с.н.с., начальник лаборатории специспытаний (с 1988г. по настоящее время). Разработал несколько промышленных установок («Бриг», «Диагностика» и др.), которые используются в условиях серийного производства изделий электронной техники на предприятиях России. Неоднократно признавался лучшим изобретателем ОАО «НИИПП».

В 1988 году закончил заочную аспирантуру ТГУ и защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата технических наук (диплом ТН № 117979 от 27.10.1988г.), научный руководитель – д. ф.-м. н, профессор Гаман Василий Иванович. Тема кандидатской диссертации: «Разработка методов контроля пригодности эпитаксиального арсенида галлия для изготовления диодов Ганна сантиметрового диапазона длин волн».

В 2002 году окончил очную докторантуру ТПУ и в 2003 году защитил докторскую диссертацию (диплом ДК № 021144 от 12.03.2004г.) на тему: «Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия». Научный консультант – д. ф.-м. н., профессор Суржиков Анатолий Петрович.

С октября 2004 года и по настоящее время профессор кафедры естественнонаучного образования Юргинского технологического института (филиала) Национального исследовательского Томского политехнического университета. Преподаю физику.

Член Ученого совета Д 212.269.09 при НИ ТПУ (специальности: 05.11.17 – Приборы, системы и изделия медицинского назначения; 05.11.13 – Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий).

Член Ученого совета Д 212.269.02 при НИ ТПУ (специальности: 01.04.07 – Физика конденсированного состояния; 01.04.10 – Физика полупроводников).

Научная деятельность: Специалист в области исследований и испытаний полупроводников и полупроводниковых приборов. Физика конденсированного состояния, исследования в области медицинской физики и восточной рефлексотерапии.

Публикации. Опубликовано более 100 работ (в том числе 3 монографии и 1 учебное пособие), ответственный исполнитель и соисполнитель 20 НИОКР, главный конструктор 1 ОКР и научный руководитель 8 НИР (эти работы выполнены в ОАО «НИИПП»).

Домашний адрес: Россия, 634012, г. Томск, пер. Нахимова, д. 10/1, кв. 52.

Тел. раб. (ОАО «НИИПП») (3822) 288-147,

сот. 8-913-866-84-05.

E-mail: gradoboev1@mail.ru