По техническим причинам добавление новых публикаций временно недоступно.
Центры захвата позитронов в облученных электронами кристаллах KCl / Е. К. Завадовская [и др.] // Физика твердого тела / Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе . — 1979 . — Т. 21, № 1 . — С. 206-210 . — Библиогр.: с. 210 (20 назв.)..
Позитрониевые состояния в области дефектов катионной подрешетки кристаллов KCl / К. П. Арефьев [и др.] // Физика твердого тела / Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе . — 1979 . — Т. 21, № 4 . — С. 1133-1139 . — Библиогр.: с. 1338-1339 (18 назв.)..
Поляризационный эффект аннигиляции позитронов в ионных кристаллах / К. П. Арефьев [и др.] // Физика твердого тела / Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе . — 1979 . — Т. 21, № 8 . — С. 2213-2216 . — Библиогр.: с. 2216 (9 назв.)..
Арефьев, Константин Петрович. О строении позитроносодержащих центров окраски в ионных кристаллах / К. П. Арефьев, С. В. Нурмагамбетов // Оптика и спектроскопия научный журнал: / Академия наук СССР (АН СССР) . — 1979 . — Т. 47, вып. 2 . — С. 341-343 . — Библиогр.: с. 343 (6 назв.).. — ISSN 0030-4034 .
Оптическое поглощение и аннигиляция позитронов в GaAs , облученном электронами / К. П. Арефьев [и др.] // Физика и техника полупроводников научный журнал: / Российская Академия наук . — 1979 . — Т. 13, вып. 6 . — С. 1142-1146 . — Библиогр.: с. 1146 (14 назв.)..
Stabilization of positrons in imperfect ionic crystals / А. А. Vorobyev [et al.] // Russian Physics Journal . — 1979 . — Vol. 22, iss. 4 . — [P. 433-434] . — Title screen. — [Ref. : p. 434 (8 tit.)]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Arefyev (Afef'ev, Arefiev), Konstantin Petrovich. Positron states on surface and in defective surface layers of semiconductors / K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev), E. P. Prokop'ev, V. P. Aref'ev // Russian Physics Journal . — 1979 . — Vol. 22, iss. 7 . — [P. 748-751] . — Title screen. — [Ref. : p. 751 (11 tit.)]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Арефьев, Константин Петрович. Метод позитронной аннигиляции для исследования полупроводниковых материалов / К. П. Арефьев, С. А. Воробьев // Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика / Академия наук Узбекской ССР (АН УзССР), Институт электроники ; под ред. У. А. Арифова . — 1978 . — Гл. IV, § 3 . — С. 104-109 .
Арефьев, Константин Петрович. Термализация позитронов в атомных полупроводниках / К. П. Арефьев, Е. П. Прокопьев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет . — 1978 . — № 7 . — С. 152-153 . — Библиогр.: с. 153 (9 назв.)..
Анизотропия импульсного распределения электронов полупроводников по данным аннигиляции позитронов / К. П. Арефьев [и др.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет . — 1978 . — № 7 . — С. 153-155 . — Библиогр.: с. 155 (14 назв.)..
О поверхностных позитронных и позитрониевых состояниях в реальных ионных кристаллах / К. П. Арефьев [и др.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет . — 1978 . — № 1 . — С. 76-81 . — Библиогр.: с. 81 (27 назв.)..
Арефьев, Константин Петрович. Центры захвата позитронов в радиационноокрашенных кристаллах KCl / К. П. Арефьев, В. П. Арефьев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет . — 1978 . — № 11 . — С. 55-61 . — Библиогр.: с. 61 (21 назв.)..
Воробьев, Александр Акимович. Исследование электронной структуры стекол методом аннигиляции позитронов / А. А. Воробьев, К. П. Арефьев, Г. И. Этин // Радиационно-стимулированные явления в кислородосодержащих кристаллах и стеклах . — Ташкент : 1978 . — С. 237-241 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..
Исследование поведения кремния в эпитаксиальном арсениде галлия методом позитронной аннигиляции / К. П. Арефьев [и др.] // Физика и техника полупроводников научный журнал: / Российская Академия наук . — 1978 . — Т. 12, вып. 9 . — С. 1767-1770 . — Библиогр.: с. 1770 (8 назв.)..
Arefyev (Afef'ev, Arefiev), Konstantin Petrovich. Influence of high temperature annealing on positron annihilation in electro-irradiated silicon / K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev), A. A. Tcoi, S. A. Vorobiev // Physica status solidi (a) . — 1978 . — Vol. 47, Iss. 2 . — P. K149-K152 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..
Surface positron and positronium states in real ionic crystals / K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev) [et al.] // Russian Physics Journal . — 1978 . — Vol. 21, iss. 1 . — [P. 1759-1763] . — Title screen. — [Ref. : p. 65 (27 tit.)]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Арефьев, Константин Петрович. О кинетике аннигиляционного распада позитронных состояний в ионных кристаллах / К. П. Арефьев, Е. П. Прокопьев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет . — 1977 . — № 9 . — С. 50-55 . — Библиогр.: с. 54-55 (10 назв.)..
Прямое определение позитрония в веществе по комптоновскому профилю и угловой корреляции аннигиляционного излучения / А. А. Воробьев [и др.] // Письма в Журнал технической физики / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) ; Отделение общей физики и астрономии РАН . — 1977 . — Т. 3, вып. 8 . — С. 373-376 . — Библиогр.: с. 376 (10 назв.)..
Арефьев, Константин Петрович. Выделение позитронных и позитрониевых состояний в дефектных ионных кристаллах / К. П. Арефьев, Г. И. Этин // Физика твердого тела / Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе . — 1977 . — Т. 19, № 6 . — С. 1623-1626 . — Библиогр.: с. 1625-1626 (11 назв.)..
Исследование зарядовых превращений редкоземельных ионов в CaF2 методом позитронной спектроскопии / К. П. Арефьев [и др.] // Физика твердого тела / Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе . — 1977 . — Т. 19, № 12 . — С. 3593-3596 . — Библиогр.: с. 3596 (13 назв.)..
Расписание
