О банке тестовых заданий для учебно-методического обеспечения курса высшей математики в Томском политехническом университете / Н. Ф. Пестова [и др.] // Проблемы многоуровневой подготовки специалистов в техническом университете : тезисы докладов научно-методической конференции / Томский политехнический университет (ТПУ). — 1993. — С. 51
Изучение изменений структуры твердых сплавов при деформации методом аннигиляции позитронов : отчет о НИР (заключительный) / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель К. П. Арефьев ; Д. Ц. Пунсык-НамжиловТомск, 1990. — 27 л.
Arefyev (Afef'ev, Arefiev), K. P. Positron annihilation in ionic media and an optical model of the positron / K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev), Е. П. Prokop'ev // Soviet Physics Journal. — 1990. — Vol. 33, iss. 5. — [С. 423-426]. — URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF00896082
Арефьев, К. П. Прогнозирование усталостных свойств материалов : учебное пособие / К. П. Арефьев ; Томский политехнический институт (ТПИ)Томск : Изд-во ТПИ, 1989. — 96 с. : ил.
Арефьев, К. П. Определение параметра углового распределения аннигиляционных фотонов методом динамического преобразования / К. П. Арефьев, Д. Ц. Пунсык-Намжилов // Теплофизика и гидродинамика технологических процессов : межвузовский научно-технический сборник / Томский политехнический институт; под ред. М. И. Шиляева. — 1989. — С. 141-143.
Арефьев, К. П. Эволюция структуры диэлектриков при радиационных воздействиях / К. П. Арефьев, А. Л. Бондаренко // Диэлектрики в экстремальных условиях : материалы VI Всесоюзной конференции по физике диэлектриков, г. Томск, 23-25 ноября 1988 г. / Томский политехнический институт (ТПИ) ; Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина (ЛПИ) ; Московский институт электронного машиностроения (МИЭМ) ; отв. за вып. Д. И. Вайсбурд, В. Л. Ульянов. — 1988. — С. 69
О первом опыте ведения самостоятельной работы студентов под руководством преподавателя на кафедре высшей математики-1 / К. П. Арефьев [и др.] // Оценка и управление качеством подготовки специалистов как фактор интенсификации учебного процесса : тезисы докладов Республиканской научно-методической конференции по вопросам оценки и управления качеством подготовки специалистов, Томск, 1988 г. / Томский политехнический институт (ТПИ) ; под ред. И. П. Чучалина. — 1988. — Вып. 2. — С. 4
Decrease of imperfection of GaAs epitaxial structures improvement of electrophysical and spectrometrical characteristics of silicon detectors under positron irradiation / P. V. Kuznetsov [et al.] // Radiation effects express. — 1988. — Vol. 1, iss. 6. — P. 259-262
Арефьев, К. П. Влияние радиационного воздействия на состояние позитронов в кристаллах KCl / К. П. Арефьев, О. В. Боев, А. Л. Бондаренко // Шестая Всесоюзная конференция по радиационной физике и химии ионных кристаллов, Рига, 9-11 октября 1986 г. : тезисы докладов. — 1986. — Ч. 2. — С. 268-269
Исследование методом позитронной аннигиляции дефектности структуры в поверхностном слое конструкционных сплавов : отчет о НИР (заключительный) / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель К. П. Арефьев ; О. В. БоевТомск, 1986. — 41 л.
Исследование степени накопления усталостных повреждений в сплавах методом аннигиляции позитронов : отчет о НИР (заключительный) / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель К. П. Арефьев ; О. В. БоевТомск, 1985. — 25 л.
Позитронные и позитрониевые состояния в графитоподобном нитриде бора / К. П. Арефьев [и др.] // 19 Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике : тезисы докладов, Ташкент, сентябрь 1984. — 1984. — С. 189
Исследование структурных дефектов в пиронитриде бора / К. П. Арефьев [и др.] // Нитриды: методы получения, свойства и области применения : тезисы докладов V Всесоюзного семинара: в 2 т. / Институт неорганической химии АН Латвийской ССР; Институт проблем материаловедения АН Украинской ССР; под ред. Т. Миллера. — 1984. — Т. 1. — С. 110-111
Арефьев, К. П. Позитроника в радиационном материаловедении ионных структур и полупроводников / К. П. Арефьев, С. А. Воробьев, Е. П. ПрокопьевМосква : Энергоатомиздат, 1983. — 88 с.
Арефьев, К. П. Метод позитронной аннигиляции для исследования полупроводниковых материалов / К. П. Арефьев, С. А. Воробьев // Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика / Академия наук Узбекской ССР (АН УзССР), Институт электроники ; под ред. У. А. Арифова. — 1978. — Гл. IV, § 3. — С. 104-109. — ,
Воробьев, А. А. Исследование электронной структуры стекол методом аннигиляции позитронов / А. А. Воробьев, К. П. Арефьев, Г. И. Этин // Радиационно-стимулированные явления в кислородосодержащих кристаллах и стеклах. — 1978. — С. 237-241
Арефьев, К. П. Исследование позитронных и позитрониевых состояний в ионных кристаллах / К. П. Арефьев, О. В. Боев, С. Б. Нурмагомбетов // Молодые ученые и специалисты - народному хозяйству : материалы региональной научно-практической конференции, Томск, 1977 г. / Томский межотраслевой территориальный центр НТИ. — 1977. — Секция физико-технических наук
Арефьев, К. П. Наблюдение делокализованных позитрониевых состояний в сверхчистых кристаллах NaCl / К. П. Арефьев, П. В. Кузнецов, С. А. Воробьев // Прикладная ядерная спектроскопия : сборник статей. — 1984. — Вып. 13. — С. 3-4
Об аннигиляции позитронов в кристаллах с дефектной структурой / А. А. Воробьев [и др.] // Химическая связь в кристаллах и их физические свойства : сборник статей / Институт физики твердого тела и полупроводников АН БССР ; под ред. Н. Н. Сироты. — 1976. — Т. 2. — С. 44-47
Метод определения средних размеров частиц ультра-дисперсных порошков / К. П. Арефьев [и др.] // Письма в Журнал технической физики / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) ; Отделение общей физики и астрономии РАН. — 1982. — Т. 8, вып. 17-24. — С. 1142-1144
Расписание
