А. с. № 432797 RU , МПК G 01 N 23/02. Способ генерации дырочных центров окраски в диэлектрике / К. П. Арефьев, С. А. Воробьев ; Томский политехнический институт (ТПИ), Научно-исследовательский институт ядерной физики, электроники и автоматики (НИИ ЯФЭА)опубл. 15.01.79, Бюл. ОИПОТЗ № 2. — В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Stabilization of positrons in imperfect ionic crystals / А. А. Vorobyev [et al.] // Russian Physics Journal. — 1979. — Vol. 22, iss. 4. — P. 433-434. — URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF00895669
Arefyev (Afef'ev, Arefiev), K. P. Positron states on surface and in defective surface layers of semiconductors / K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev), E. P. Prokop'ev, V. P. Aref'ev // Russian Physics Journal. — 1979. — Vol. 22, iss. 7. — P. 748-751. — URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF00902892
Арефьев, К. П. Метод позитронной аннигиляции для исследования полупроводниковых материалов / К. П. Арефьев, С. А. Воробьев // Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика / Академия наук Узбекской ССР (АН УзССР), Институт электроники ; под ред. У. А. Арифова. — 1978. — Гл. IV, § 3. — С. 104-109. — ,
Арефьев, К. П. Термализация позитронов в атомных полупроводниках / К. П. Арефьев, Е. П. Прокопьев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1978. — № 7. — С. 152-153
Анизотропия импульсного распределения электронов полупроводников по данным аннигиляции позитронов / К. П. Арефьев [и др.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1978. — № 7. — С. 153-155
Арефьев, К. П. Центры захвата позитронов в радиационноокрашенных кристаллах KCl / К. П. Арефьев, В. П. Арефьев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1978. — № 11. — С. 55-61
О поверхностных позитронных и позитрониевых состояниях в реальных ионных кристаллах / К. П. Арефьев [и др.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1978. — № 1. — С. 76-81
Воробьев, А. А. Исследование электронной структуры стекол методом аннигиляции позитронов / А. А. Воробьев, К. П. Арефьев, Г. И. Этин // Радиационно-стимулированные явления в кислородосодержащих кристаллах и стеклах. — 1978. — С. 237-241
Arefyev (Afef'ev, Arefiev), K. P. Influence of high temperature annealing on positron annihilation in electro-irradiated silicon / K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev), A. A. Tcoi, S. A. Vorobiev // Physica status solidi (a). — 1978. — Vol. 47, Iss. 2. — P. K149-K152
Исследование поведения кремния в эпитаксиальном арсениде галлия методом позитронной аннигиляции / К. П. Арефьев [и др.] // Физика и техника полупроводников : научный журнал / Российская Академия наук. — 1978. — Т. 12, вып. 9. — С. 1767-1770
А. с. № 557699 RU , МПК H 01 L 21/26. Способ обработки ионных кристаллов / А. А. Воробьев [и др.] ; Томский политехнический институт (ТПИ), Научно-исследовательский институт ядерной физики, электроники и автоматики (НИИ ЯФЭА)опубл. 05.03.78, Бюл. ОИПОТЗ № 9. — В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Surface positron and positronium states in real ionic crystals / K. P. Arefyev (Afef'ev, Arefiev) [et al.] // Russian Physics Journal. — 1978. — Vol. 21, iss. 1. — [P. 1759-1763]. — URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF00896297
Арефьев, К. П. О кинетике аннигиляционного распада позитронных состояний в ионных кристаллах / К. П. Арефьев, Е. П. Прокопьев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1977. — № 9. — С. 50-55
Прямое определение позитрония в веществе по комптоновскому профилю и угловой корреляции аннигиляционного излучения / А. А. Воробьев [и др.] // Письма в Журнал технической физики / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) ; Отделение общей физики и астрономии РАН. — 1977. — Т. 3, вып. 8. — С. 373-376
Арефьев, К. П. Выделение позитронных и позитрониевых состояний в дефектных ионных кристаллах / К. П. Арефьев, Г. И. Этин // Физика твердого тела / Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. — 1977. — Т. 19, № 6. — С. 1623-1626
Исследование зарядовых превращений редкоземельных ионов в CaF2 методом позитронной спектроскопии / К. П. Арефьев [и др.] // Физика твердого тела / Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. — 1977. — Т. 19, № 12. — С. 3593-3596
Изучение зарядового состояния примесных атомов в полупроводниковых материалах методом аннигиляции позитронов / К. П. Арефьев [и др.] // Физика и техника полупроводников / Академия наук СССР (АН СССР). — 1977. — Т. 11, вып. 8. — С. 1590-1593
Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs / А. А. Воробьев [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 1977. — Т. 11, вып. 4. — С. 651-655
А. с. № 531400 RU , МПК G 01 N 23/00. Способ исследования электронной структуры поверхности вещества / В. Г. Стародубов, К. П. Арефьев, С. А. Воробьев ; Томский политехнический институт (ТПИ)опубл. 05.10.77, Бюл. ОИПОТЗ № 37. — В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Расписание
