По техническим причинам добавление новых публикаций временно недоступно.
Razzhuvalov, Alexander Nikolaevich. Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects / A. N. Razzhuvalov, S. N. Grinyaev // Superlattices and Microstructures Scientific Journal: . — 2018 . — Vol. 122 . — [P. 624-630] . — Title screen. — [References: p. 630 (24 tit.)]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Grinyaev, Sergey Nikolaevich. Effects of size quantization in the spectra and Γ − M transitions in (GaAs)m(AlAs)n(001) superlattices / S. N. Grinyaev, L. N. Nikitina, V. G. Tyuterev // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures . — 2018 . — Vol. 103 . — [P. 180-187] . — Title screen. — [References: 15 tit.]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Grinyaev, Sergey Nikolaevich. Intervalley scattering of electrons by short-wave phonons in (GaAs)8(AlAs)8(001) superlattice / S. N. Grinyaev, L. N. Nikitina, V. G. Tyuterev // Superlattices and Microstructures Scientific Journal: . — 2016 . — Vol. 93 . — [P. 280-289] . — Title screen. — [References: p. 289 (15 tit.)]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Grinyaev, Sergey Nikolaevich. Peculiarities of tunneling current in w-AlN/GaN(0001) two-barrier structures induced by deep-level defects / S. N. Grinyaev, A. N. Razzhuvalov // Journal of Applied Physics . — 2016 . — Vol. 120, iss. 5 . — [154302, 8 p.] . — Title screen. — [References: 30 tit.]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Разжувалов, Александр Николаевич. Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы тезисы докладов 10-ой Всероссийской конференции, 23-25 марта 2015 г., Санкт-Петербург : / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) . — Санкт-Петербург : Изд-во СПбГПУ , 2015 . — [С. 45-46] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: с. 46 (8 назв.)]..
Гриняев, Сергей Николаевич. Электронные состояния в квантово-размерных и дефектных полупроводниковых структурах : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : спец. 27.10.2011 г. / С. Н. Гриняев; Томский государственный университет (ТГУ), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ) ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Кафедра теоретической и экспериментальной физики ; науч. рук. Г. Ф. Караваев. — Томск: 2011. — 48 с.: ил.. — Защита сост. 27.10.2011 г. — Библиогр.: с. 44-48 (47 назв.)..
Никитина, Лариса Николаевна. Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : спец. 01.04.10 / Л. Н. Никитина; Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; науч. рук. С. Н. Гриняев. — Томск: 2011. — 18 с.: ил.. — Защита сост. 19.05.2011 г. — Библиогр.: с. 16-17 (20 назв.). — Цитируемая литература: с. 17-18 (15 назв.)..
Разжувалов, Александр Николаевич. Туннельные явления в напряженных вюртцитных гетероструктурах с сильными встроенными полями : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : спец. 01.04.10 : спец. 01.04.02 / А. Н. Разжувалов; Томский государственный университет (ТГУ), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ) ; науч. рук. С. Н. Гриняев. — Томск: 2009. — 15 с.: ил.. — Защита сост. 11.06.2009 г. — Библиогр.: с. 15 (7 назв.)..
Разжувалов, Александр Николаевич. “Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001) = A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // Физика твёрдого тела . — 2009 . — Т. 51, вып. 1 . — [С. 178-188] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: с. 188 (18 назв.)]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Razzhuvalov, Alexander Nikolaevich. A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures = “Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001) / A. N. Razzhuvalov, S. N. Grinyaev // Physics of the Solid State Scientific Journal: . — 2009 . — Vol. 51, iss. 1 . — [P. 189-201] . — Title screen. — [References: 18 tit.]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Определение удельного заряда электрона с помощью вакуумного диода : методические указания к выполнению лабораторной работы Э-13а по курсу «Общая физика» для студентов всех специальностей [Электронный ресурс] / Томский политехнический университет (ТПУ) ; сост. С. Н. Гриняев. — 1 компьютерный файл (pdf; 348 KB). — Томск: Изд-во ТПУ, 2008. — Заглавие с титульного экрана. — Электронная версия печатной публикации. — Режим доступа: из сети НТБ ТПУ. — Системные требования: Adobe Reader.. — Э-13а.
Определение заряда иона водорода : методические указания к выполнению лабораторной работы Э-07а по курсу "Общая физика" для студентов всех специальностей [Электронный ресурс] / Томский политехнический университет (ТПУ) ; сост. С. Н. Гриняев. — 1 компьютерный файл (pdf; 315 KB). — Томск: Изд-во ТПУ, 2008. — Заглавие с титульного экрана. — Электронная версия печатной публикации. — Режим доступа: из сети НТБ ТПУ. — Системные требования: Adobe Reader.. — Э-07.
Определение горизонтальной составляющей напряженности магнитного поля Земли из затухающих колебаний магнитной стрелки : методические указания к выполнению лабораторной работы Э-15а по курсу, раздел «Электричество и электромагнетизм» для студентов всех специальностей [Электронный ресурс] / Томский политехнический университет (ТПУ) ; сост. С. Н. Гриняев. — 1 компьютерный файла (pdf; 361). — Томск: Изд-во ТПУ, 2008. — Заглавие с титульного экрана. — Электронная версия печатной публикации. — Режим доступа: из сети НТБ ТПУ. — Системные требования: Adobe Reader.. — Э-15а.
Исследование магнитного поля соленоида с помощью датчика Холла : методические указания к выполнению лабораторной работы Э16а по разделу "Электричество и магнетизм" курса "Общая физика" для студентов всех специальностей [Электронный ресурс] / Томский политехнический университет (ТПУ) ; сост. С. Н. Гриняев. — 1 компьютерный файл (pdf; 501 KB). — Томск: Изд-во ТПУ, 2008. — Заглавие с титульного экрана. — Электронная версия печатной публикации. — Режим доступа: из сети НТБ ТПУ. — Системные требования: Adobe Reader.. — Э-16а.
Исследование магнитных полей с помощью измерительной катушки : методические указания к выполнению лабораторной работы Э-18а по курсу "Общая физика" для студентов всех специальностей [Электронный ресурс] / Томский политехнический университет (ТПУ) ; сост. С. Н. Гриняев. — 1 компьютерный файл (pdf; 715 KB). — Томск: Изд-во ТПУ, 2008. — Заглавие с титульного экрана. — Электронная версия печатной публикации. — Режим доступа: из сети НТБ ТПУ. — Системные требования: Adobe Reader.. — Э-18а.
Разжувалов, Александр Николаевич. Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001) = Defects influence on the tunnel current in (0001) w-GAN/AlGaN structures / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы тезисы докладов 6-ой Всероссийской конференции, 18-20 июня 2008 г., Санкт-Петербург: / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) . — Санкт-Петербург : Изд-во СПбГПУ , 2008 . — [С. 196-197] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: с. 197 (6 назв.)]..
Разжувалов, Александр Николаевич. Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001) = Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // Физика и техника полупроводников . — 2008 . — Т. 42, вып. 5 . — [С. 595-603] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: 21 назв.]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Razzhuvalov, Alexander Nikolaevich. Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures = Гистерезис туннельного тока в двухбарьерный структурах W-GaN/AlGaN(0001) / A. N. Razzhuvalov, S. N. Grinyaev // Semiconductors Scientific Journal: . — 2008 . — Vol. 42, iss. 5 . — [P. 580-588] . — Title screen. — [References: 21 tit.]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Разжувалов, Александр Николаевич. "Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN = “Two-resonant” hysteresis of a tunnel current in heterostructure w-GaN/AlGaN (0001) / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы тезисы докладов 5-ой Всероссийской конференции, 31 января-2 февраля 2007 г., Санкт-Петербург: / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) . — Санкт-Петербург : Изд-во СПбГПУ , 2007 . — [С. 109-110] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: с. 110 (5 назв.)]..
Гриняев, Сергей Николаевич. Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001) = Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures / С. Н. Гриняев, А. Н. Разжувалов // Физика и техника полупроводников . — 2006 . — Т. 40, вып. 6 . — [С. 695-700] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: 10 назв.]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
