По техническим причинам добавление новых публикаций временно недоступно.
Grinyaev, Sergey Nikolaevich. Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures = Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN/AlGaN (0001) / S. N. Grinyaev, A. N. Razzhuvalov // Semiconductors Scientific Journal: . — 2006 . — Vol. 40, iss. 6 . — [P. 675-680] . — Title screen. — [References: 10 tit.]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Разжувалов, Александр Николаевич. Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001) / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы тезисы докладов 4-ой Всероссийской конференции, 3–5 июля 2005 г., Санкт-Петербург: / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) . — Санкт-Петербург : Изд-во СПбГПУ , 2005 . — [С. 112-113] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: с. 113 (3 назв.)]..
Оптическое поглощение гексагонального нитрида бора с участием вакансий азота и их комплексов / С. Н. Гриняев [и др.] // Физика твердого тела / Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе . — 2004 . — Т. 46, № 3 . — С. 424-429 .
Брудный, В. Н.. Кремний-германиевые наноструктуры: электронные параметры и оптические характеристики / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет . — 2004 . — Т. 47, № 6 . — с. 3-7 . — Библиогр.: 6 назв.. — ISSN 0021-3411 .
Optical absorption of hexagonal boron nitride involving nitrogen vacancies and their complexes / S. N. Grinyaev [et al.] // Physics of the Solid State Scientific Journal : . — 2004 . — Vol. 46, iss. 3 . — [P. 435-441] . — Title screen. — [References: p. 441 (27 tit.)]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Брудный, В. Н.. Закрепление уровня Ферми в полупроводниках (границы раздела, кластеры, радиационное модефицирование) / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет . — 2003 . — Т. 46, № 6 . — с. 59-66 . — Библиогр.: 43 назв.. — ISSN 0021-3411 .
Гриняев, Сергей Николаевич. Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001) = The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1?x N(0001) structures / С. Н. Гриняев, А. Н. Разжувалов // Физика и техника полупроводников . — 2003 . — Т. 37, вып. 4 . — [С. 450-455] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: 13 назв.]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Grinyaev, Sergey Nikolaevich. The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures = Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001) / S. N. Grinyaev, A. N. Razzhuvalov // Semiconductors Scientific Journal: . — 2003 . — Vol. 37, iss. 4 . — [P. 433-438] . — Title screen. — [References: 13 tit.]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Гриняев, Сергей Николаевич. Глубокие уровни комплексов вакансий азота в графитоподобном нитриде бора / С. Н. Гриняев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Физика твердого тела . — 2002 . — Т. 44, № 2 . — С. 275-282 . — Библиогр.: 32 назв.. — ISSN 0367-3294 .
Grinyaev, Sergey Nikolaevich. Deep levels of nitrogen vacancy complexes in graphite-like boron nitride / S. N. Grinyaev, F. V. Konusov, V. V. Lopatin // Physics of the Solid State Scientific Journal: . — 2002 . — Vol. 44, iss. 2 . — [P. 286-293] . — Title screen. — [Ref.: p. 293 (33 tit.)]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Гриняев, Сергей Николаевич. Комплексы анионных вакансий в неорганических диэлектриках после облучения / С. Н. Гриняев, Ф. В. Конусов, В. В. Лопатин // Труды ХI Межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела", (Севастополь, 25-30 июня 2001 г.) . — Москва : 2001 . — С. 486-490 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..
Гриняев, Сергей Николаевич. Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта = Resonant electron tunneling in GaN/Ga1−x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffect / С. Н. Гриняев, А. Н. Разжувалов // Физика твёрдого тела . — 2001 . — Т. 43, вып. 3 . — [С. 529-535] . — Заглавие с экрана. — [Библиогр.: 36 назв.]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Grinyaev, Sergey Nikolaevich. Resonant electron tunneling in GaN/Ga1-x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffec = Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта / S. N. Grinyaev, A. N. Razzhuvalov // Physics of the Solid State Scientific Journal: . — 2001 . — Vol. 43, iss. 3 . — [P. 549-555] . — Title screen. — [References: 36 tit.]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Модификация оптических и диэлектрических свойств высокодисперсных поликристаллов при ионно-термическом воздействии : отчет о НИР/НИОКР : Номер гранта (контракта) РФФИ: 97-02-16850 / В. В. Лопатин [и др.]. — Томск: 1999. — Заглавие с титульного листа. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Гриняев, Сергей Николаевич. Анизотропия химической связи и электронной структуры в графитоподобном и ромбоэдрическом нитриде бора / С. Н. Гриняев, В. В. Лопатин // Журнал структурной химии научный журнал: / Российская академия наук (РАН), Сибирское отделение (СО) . — 1997 . — Т. 38, № 1 . — С. 32-42 . — Библиогр.: с. 41-42 (36 назв.)..
Модификация оптических и диэлектрических свойств высокодисперсных поликристаллов при ионно-термическом воздействии : отчет о НИР/НИОКР : Номер гранта (контракта) РФФИ: 97-02-16850 / В. В. Лопатин [и др.]. — Томск: 1997. — Заглавие с титульного листа. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Гриняев, Сергей Николаевич. Распределение валентного заряда и уровень электронейтральности в графитоподобном и ромбоэдрическом нитриде бора / С. Н. Гриняев, В. В. Лопатин // Физика твердого тела . — 1996 . — Т. 38, № 12 . — С. 3576-3584 . — Библиогр.: 35 назв..
Гриняев, Сергей Николаевич. Электронная структура графитоподобного и ромбоэдрического нитрида бора / С. Н. Гриняев, В. В. Лопатин // Известия вузов. Физика . — 1992 . — Т. 35, № 2 . — С. 27-32 . — Библиогр.: 17 назв..
