Grinyaev, S. N. Intervalley scattering of electrons by short-wave phonons in (GaAs)8(AlAs)8(001) superlattice / S. N. Grinyaev, L. N. Nikitina, V. G. Tyuterev // Superlattices and Microstructures : Scientific Journal. — 2016. — Vol. 93. — [P. 280-289]. — URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2016.03.008
Разжувалов, А. Н. “Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001) = A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // Физика твёрдого тела. — 2009. — Т. 51, вып. 1. — [С. 178-188]. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/2097
Razzhuvalov, A. N. A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures = “Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001) / A. N. Razzhuvalov, S. N. Grinyaev // Physics of the Solid State : Scientific Journal. — 2009. — Vol. 51, iss. 1. — [P. 189-201]. — URL: http://dx.doi.org/10.1134/S1063783409010247
Разжувалов, А. Н. Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001) = Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // Физика и техника полупроводников. — 2008. — Т. 42, вып. 5. — [С. 595-603]. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/6579
Razzhuvalov, A. N. Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures = Гистерезис туннельного тока в двухбарьерный структурах W-GaN/AlGaN(0001) / A. N. Razzhuvalov, S. N. Grinyaev // Semiconductors : Scientific Journal. — 2008. — Vol. 42, iss. 5. — [P. 580-588]. — URL: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782608050163
Гриняев, С. Н. Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001) = Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures / С. Н. Гриняев, А. Н. Разжувалов // Физика и техника полупроводников. — 2006. — Т. 40, вып. 6. — [С. 695-700]. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/6083
Grinyaev, S. N. Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures = Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN/AlGaN (0001) / S. N. Grinyaev, A. N. Razzhuvalov // Semiconductors : Scientific Journal. — 2006. — Vol. 40, iss. 6. — [P. 675-680]. — URL: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782606060121
Гриняев, С. Н. Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001) = The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1?x N(0001) structures / С. Н. Гриняев, А. Н. Разжувалов // Физика и техника полупроводников. — 2003. — Т. 37, вып. 4. — [С. 450-455]. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/5250
Grinyaev, S. N. The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures = Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001) / S. N. Grinyaev, A. N. Razzhuvalov // Semiconductors : Scientific Journal. — 2003. — Vol. 37, iss. 4. — [P. 433-438]. — URL: http://dx.doi.org/10.1134/1.1568463
Гриняев, С. Н. Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта = Resonant electron tunneling in GaN/Ga1−x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffect / С. Н. Гриняев, А. Н. Разжувалов // Физика твёрдого тела. — 2001. — Т. 43, вып. 3. — [С. 529-535]. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/38102
Grinyaev, S. N. Resonant electron tunneling in GaN/Ga1-x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffec = Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта / S. N. Grinyaev, A. N. Razzhuvalov // Physics of the Solid State : Scientific Journal. — 2001. — Vol. 43, iss. 3. — [P. 549-555]. — URL: http://dx.doi.org/10.1134/1.1356136
Расписание
