• Анализ элементного состава поверхностных слоев материалов.
• Исследование профилей концентрации элементов по глубине в соединениях, сплавах, тонкопленочных структурах и на границах раздела.
• Исследование диффузионных процессов.
• Определение толщин пленок и толщин границ раздела между тонкими пленками.

• Измерение энергетических положений остовных уровней атомов и исследование энергетических сдвигов уровней при переходе от объема к поверхности.
• Исследование изменений плотности электронных состояний в валентной зоне в зависимости от видов химических связей и количества, входящих в эти связи элементов.
• Исследование переноса заряда с атома на атом при образовании между ними химической связи.

В основе метода электронной Ожэ - спектрометрии лежат процессы ионизация внутренних уровней атома бомбардирующими электронами с выходом Оже - электрона и его последующей регистрации при помощи электронного спектрометра. Оже - переходы осуществляются между определенными энергетическими уровнями и покидающий атом Оже-электрон обладает характерной для данного атома энергией.