ОСНОВНЫЕ РАЗДЕЛЫ:

Главная > ФГАОУ ВО НИ ТПУ > Ректорат > НСП > УН > ОНТП > Конкурсы и гранты > РНФ
Отдел научно-технических программ
Официальный сайт РНФ
Система подачи заявок РНФ (старая, до 14.10.2024 г.)
Система подачи заявок РНФ (новая, после 14.10.2024 г.)
Адрес РНФ: Россия, 109992, ГСП-2, Москва, Солянка 14, стр. 3,
Телефон: (499) 606-02-02
Факс: (495) 698-52-05


  
    РНФ     
    Справочная информация по РНФ     
    Шаблоны     
28.05.2025
РНФ объявляет конкурс проектов прикладных научных исследований по направлению «Микроэлектроника»

Российский научный фонд открывает прием заявок на конкурс по проведению прикладных научных исследований по приоритетным направлениям научно-технологического развития России. 

Конкурс направлен на оказание поддержки проектам по проведению прикладных научных исследований по направлению «Микроэлектроника» в рамках технологических предложений, отобранных в результате конкурсного отбора по определению тематик исследований, разработок и опытно-конструкторских работ. Результаты конкурсного отбора технологических предложений утверждены РНФ в ноябре 2024 года (протокол правления Фонда № 22 от 28.11.2024). 

В ходе реализации проекта научные коллективы будут решать задачи квалифицированных заказчиков. Проекты должны быть направлены на получение новых знаний в целях их последующего практического применения, формирования научно-практического задела в разработке перспективных технологий в критически значимых направлениях стратегических инициатив Президента Российской Федерации в научно-технологической сфере. Результатом реализации исследования станет разработанная технология, подтвержденная изготовленным по ней прототипом изделия.

Размер каждого гранта составит до 30 миллионов рублей ежегодно.

Заявки на конкурс можно подать до 17:45 (время томское) 2 июля 2025 года.

Результаты конкурса будут подведены до 1 сентября 2025 года.

Конкурс проводится по семи лотам:

Лот № 1: «Разработка технологии изготовления полированных пластин фосфида галлия».

Лот № 2: «Разработка технологии изготовления отечественных светодиодных гетероструктур УФ-диапазона с длиной волны 360-380 нм».

Лот № 3: «Разработка технологии и синтез высокочистого поликристаллического антимонида индия».

Лот № 4: «Разработка промышленной рецептуры готовой керамической композиции группы МПО для изготовления тонких диэлектрических пленок, предназначенных для производства высокочастотных многослойных керамических конденсаторов поверхностного монтажа».

Лот № 5: «Разработка технологии создания полупроводниковых гетероструктур оптоэлектронной компонентной базы для волоконно-оптической системы постоянного мониторинга месторождений».

Лот № 6: «Разработка технологических процессов изготовления чипов и оптоволоконных модулей на основе полупроводниковых гетероструктур для волоконно-оптической системы постоянного мониторинга месторождений».

Лот № 7: «Исследование возможности применения и развитие технологии с проектными нормами 250 нм для серийного производства аналогов импортных микросхем с использование базовых матричных кристаллов».

Объявление >>

Конкурсная документация >>