Производитель: Physical Electronics, США.

Назначение

Анализ элементного состава в твердых пробах различных материалов, анализ поверхности и тонких пленок, распределение элементов по глубине материала.

Технические характеристики

• Диапазон масс 1-255 а.е.м.
• Чувствительность до 10-7%
• Возможность регистрации положительных или отрицательных вторичных ионов
• Ионные источники: диаметр ионного пучка от 5 до 100 мкм
• Цезиевая ионная пушка
  Максимальный ток пучка 700нА
  Энергия пучка от 0,5кэВ до 10 кэВ
• Дуоплазматрон
  рабочий газ: O₂
  Максимальный ток пучка 2мкА
  Энергия пучка от 0,5кэВ до 8кэВ
• Рабочее давление вакуумной системы от 10-8 Torr при использовании дуоплазматронного ионного источника с первичным пучком ионов кислорода.
• Сканирующая электронная пушка для получения телевизионного изображения и нейтрализации заряда Вторично-электронный детектор для позиционирования образцов.