Список публикаций
По техническим причинам добавление новых публикаций временно недоступно.
Количество записей: 82
Денисов, Геннадий Степанович. Импульсная катодолюминесценция активированных ураном кристаллов фторида лития / Г. С. Денисов, В. Ю. Яковлев, А. Ж. Каусынова // Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах труды IV Международной научной конференции, Томск, 12-19 августа 2004 г.: / Российский фонд фундаментальных исследований; Томский политехнический университет и др. . — Томск : Изд-во ТПУ , 2004 . — С. 413-416 . — Библиогр.: 3 назв..
Радиационно-индуцированное нестационарное поглощение в многокомпонентных силикатных стеклах / В. И. Арбузов [и др.] // Оптический журнал научно-технический журнал: . — 2004 . — Т. 71, № 2 . — С. 58-62 . — Библиогр.: 14 назв.. — ISSN 0030-4042 .
Образование собственных дефектов в кристаллах CaF[2] при облучении ускоренными электронами / Е. П. Чинков [и др.] // Radiation Physics and Chemistry of Inorganic Materials 12 th International Conference, September 23-27, 2003 Tomsk, Russia: / Tomsk Polytechnic University; Отв. за вып. Д. Б. Чепин . — Tomsk : Изд-во ТПУ , 2003 . — С. 535-538 . — Библиогр.: 7 назв..
Штанько, Виктор Федорович. Быстрозатухающее свечение кристаллов CaF2, SrF2, BaF2 при импульсном синхронном и каскадном возбуждении / В. Ф. Штанько, В. Ю. Яковлев, Е. П. Чинков // Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах труды III Международной конференции , Томск, 29 июля - 3 августа 2002 г.: / Российская Академия естественных наук; Томский политехнический университет; Алтайский государственный технический университет; Бурятский научный центр . — Томск : Изд-во ТПУ , 2002 . — С. 236-238. . — Библиогр.: 3 назв..
Дмитриев, М. С.. Особенности дефектообразования в нелинейных оптических кристаллах при импульсном электронном облучении / М. С. Дмитриев, И. Н. Огородников, В. Ю. Яковлев // Физика твердого тела материалы VII Международной конференции, Усть-Каменогорск, 5-7 июня 2002 г.: / Восточно-Казахстанский государственный технический университет им. Д. Серикбаева . — Усть-Каменогорск : Оскемен , 2002 . — С. 134-136. .
Михайлов, М. М.. Сравнение изменений спектров диффузного отражения рутила при облучении электронами в наносекундном и стационарном режимах / М. М. Михайлов, В. Ю. Яковлев, И. В. Сенько // Современные техника и технологии труды VI международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, 28 февраля - 3 марта 2000 года, Томск: / М-во образования РФ; ТПУ . — Томск : Изд-во ТПУ , 2000 . — С. 334-336. . — Библиогр.: 4 назв..
Короткоживущие центры окраски в LiNbO3 / В. Ю. Яковлев [и др.] // Международная конференция "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах", 22-25 сентября 1998 г., г. Томск тезисы докладов: / Томский политехнический университет . — Томск : Изд-во ТПУ , 1998 . — С. 181-184 . — Библиогр.: с. 184 (1 назв.)..
Яковлев, Виктор Юрьевич. Внутрицентровая и остовновалентная люминисценция кристалла CsCL / В. Ю. Яковлев, Е. С. Гафиатулина // Современные техника и технологии труды 4-й областной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых. Томск, 23-24 марта 1998 г: секция 4. Электромеханика. Электроматериаловедение.: / ТПУ . — Томск : Изд-во ТПУ , 1998 . — С. 205-206. .
Гафиатулина, Елена Саугановна. Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук [Электронный ресурс] / Е. С. Гафиатулина; Томский политехнический университет ; науч. рук. В. М. Лисицын ; В. Ю. Яковлев. — Электронные текстовые данные (1 файл : 1052 Kb). — Томск: Б.и., 1998. — Заглавие с титульного экрана. — Электронная версия печатной публикации. — Системные требования: Adobe Reader..
Гафиатулина, Елена Саугановна. Рекомбинационное создание автолокализованных экситонов в кристалле CzBr / Е. С. Гафиатулина, В. Ю. Яковлев // 9-я Международная конференция по радиационной физике и химии неорганических материалов РФХ-9, 23-25 апреля 1996 г. сборник тезисов докладов: / Томский политехнический университет ; Международная конференция по радиационной физике и химии неорганических материалов РФХ-9 . — Томск : Изд-во ТПУ , 1996 . — С. 94-95 .
Яковлев, Виктор Юрьевич. О механизме создания короткоживущих F, Н - пар в ЩГК / В. Ю. Яковлев // 9-я Международная конференция по радиационной физике и химии неорганических материалов РФХ-9, 23-25 апреля 1996 г. сборник тезисов докладов: / Томский политехнический университет ; Международная конференция по радиационной физике и химии неорганических материалов РФХ-9 . — Томск : Изд-во ТПУ , 1996 . — С. 418 . — Библиогр.: 5 назв..
Lisitsyn, Viktor Mikhailovich. Evolution of primary radiation defects in ionic crystals / V. M. Lisitsyn, V. I. Korepanov, V. Yu. Yakovlev // Russian Physics Journal Scientific Journal: . — 1996 . — Vol. 39, iss. 1 . — [P. 1009-1028] . — Title screen. — [Ref.: p. 1028 (31 tit.)]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Кравченко, Виктор Алексеевич. Образование F-центров и автолокализованных экситонов в сильновозбужденных ЩГК / В. А. Кравченко, В. Ю. Яковлев // Физика твердого тела / Академия наук СССР . — 1988 . — Т. 30, № 3 . — с. 706-710 . — Библиогр.: 13 назв.. — ISSN 0367-3294 .
Денисов, Игорь Петрович. Образование центров окраски в сильновозбужденных кристаллах KCl / И. П. Денисов, В. А. Кравченко, В. Ю. Яковлев // Физика твердого тела / Академия наук СССР . — 1988 . — Т. 30, № 6 . — с. 1610-1613 . — Библиогр.: 9 назв.. — ISSN 0367-3294 .
Денисов, Игорь Петрович. Рекомбинационное создание автолокализованных экситонов при двухкаскадном возбуждении ЩГК / И. П. Денисов, К. И. Синько, В. Ю. Яковлев // Тезисы докладов 6 Всесоюзной конференции по физике диэлектриков (Томск, 23-25 ноября,1988) . — Томск : 1988 . — С. 23 .
Суржиков, Владимир Петрович. Кинетика роста трещины при облучении кристалла KCl наносекундным электронным пучком / В. П. Суржиков, С. Б. Матлис, В. Ю. Яковлев // Физика твердого тела / Академия наук СССР . — 1987 . — Т. 29, № 1 . — с. 64-67 . — ISSN 0367-3294 .
Влияние плотности импульсного электронного пучка на накопление радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах / Ю. М. Анненков [и др.] // Физика твердого тела / Академия наук СССР . — 1987 . — Т. 29, № 3 . — с. 925-928 . — ISSN 0367-3294 .
Быстрые излучательные процессы в сильновозбужденных кристаллах CsBr и [BaF2] / И. П. Денисов [и др.] // Люминесценция молекул и кристаллов всессоюзное совещание: тезисы докладов: . — Таллин : 1987 . — С. 117 .
Кравченко, Виктор Алексеевич. Высокотемпературный механизм образования F-центров в кристалле CsBr / В. А. Кравченко, В. М. Лисицын, В. Ю. Яковлев // Шестая Всесоюзная конференция по радиационной физике и химии ионных кристаллов, Рига, 9-11 октября 1986 г. тезисы докладов: в 2 ч.: / Академия наук Латвийской ССР (АН ЛатССР), Институт физики (ИФ) . — 1986 . — Ч. 1 . — С. 89-90 .
Кравченко, Виктор Алексеевич. Образование F-центров и автолокализованных экситонов в кристале CsBr под действием импульсных электронных пучков / В. А. Кравченко, В. М. Лисицын, В. Ю. Яковлев // Физика твердого тела / Академия наук СССР . — 1986 . — Т. 28, № 11 . — С. 3473-3477 .
|
|
Расписание