РасписаниеРодился 24 декабря 1950 года в с. Новотроицк Тулунского района Иркутской области.
В 1973 году — окончил физический факультет Новосибирского государственного университета.
Работает в Сибирском отделении РАН с 1973 года, пройдя путь от стажера-исследователя до директора Института сильноточной электроники СО РАН (с 2006 года).Ведет преподавательскую деятельность на кафедре физики плазмы Томского государственного университета, а с 2005 года — Томского политехнического университета.
С 2006 — заведующий кафедрой сильноточной электроники ТПУ.
В 2015 г. кафедру объединили с кафедрой техники и электрофизики высоких напряжений и переименовали в кафедру высоковольтной электрофизики и сильноточной электроники, где Н.А. Ратахин стал заведующим.
После объединения кафедр – профессор Отделения материаловедения ТПУ.
В 2006 году — избран членом-корреспондентом РАН.
членом президиума СО РАН;
заместителем председателя Объединенного ученого совета по физическим наукам СО РАН.
Первая премия ОИЯИ (2001) за работу «Исследование реакций между легкими ядрами в области ультранизких энергий с использованием лайнерной плазмы»