SEARCH:

Рахматуллин Ильяс Аминович
Кандидат технических наук

Отделение электроэнергетики и электротехники, Доцент


Вн. телефон: 3451
написать сообщение
Расписание
Сегодня
07 декабря 2021 / Tuesday / Неделя нечетная
Time tableРасписание
  
    New Tab     

Синтез нанокристаллического SiCСпособ синтеза нанокристаллического карбида кремния, патент РФ № 2559510, С30В 29/36, заявка 2014114078/05 от 09.04.2014, опубл. 10.08.2015 бюл. № 22 Сивков А.А., Никитин Д.С., Пак А.Я., Рахматуллин И.А.

Способ динамического синтеза ультрадисперсного кристаллического ковалентного нитрида углерода C3N4 и устройство для его осуществления патент РФ № 2475449, С01В 21/082, заявка 2011120882/05 от 24.05.2011, опубл. 20.02.2013 бюл. № 5 Сивков А.А., Пак А.Я., Рахматуллин И.А.

2011 © Томский политехнический университет
При полном или частичном использовании текстовых и графических материалов с сайта ссылка на портал ТПУ обязательна