По техническим причинам добавление новых публикаций временно недоступно.
Ардышев, М. В.. Ионный синтез пленок твердого раствора [Ga1-xInxAs] / М. В. Ардышев, В. Ф. Пичугин // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет . — 2004 . — Т. 47, № 2 . — С. 57-59 . — Библиогр.: 5 назв..
Модификация электрических свойств поверхности кристаллов ниобата лития ионной бомбардировкой / А. А. Булычева [и др.] // Пленки - 2004 материалы Международной научной конференции "Тонкие пленки и наноструктуры", Москва, 7-10 сент., 2004: . — 2004 . — Ч. 2 . — С. 40-43 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..
Действие ионного облучения на проводимость кристаллов ниобата лития легированных примесями MgO+Fe2O3 / А. А. Булычева [и др.] // Физико-химические процессы в неорганических материалах 9 Международная конференция и Школа молодых ученых, проводившаяся в рамках конференции, Кемерово, 22-25 сентября 2004 г.: . — 2004 . — Т. 1 : ФХП-9: доклады: посвящается 50-летию Кемеровского государственного университета . — С. 22-25 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..
Пичугин, Владимир Федорович. Теория и свойства кристаллов и неупорядоченных материалов : учебное пособие / В. Ф. Пичугин; Томский политехнический университет. — Томск: Изд-во ТПУ, 2003. — 273 с.: ил.. — Библиогр.: с. 270..
Ардышев, М. В.. Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига / М. В. Ардышев, В. М. Ардышев, В. Ф. Пичугин // Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах труды III Международной конференции , Томск, 29 июля - 3 августа 2002 г.: / Российская Академия естественных наук; Томский политехнический университет; Алтайский государственный технический университет; Бурятский научный центр . — Томск : Изд-во ТПУ , 2002 . — С. 16-18 . — Библиогр.: 8 назв..
Ардышев, М. В.. Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия / М. В. Ардышев, В. М. Ардышев, В. Ф. Пичугин // Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах труды III Международной конференции , Томск, 29 июля - 3 августа 2002 г.: / Российская Академия естественных наук; Томский политехнический университет; Алтайский государственный технический университет; Бурятский научный центр . — Томск : Изд-во ТПУ , 2002 . — С. 19-21 . — Библиогр.: 3 назв..
Крючков, Ю. Ю.. Разработка и применение методов спектроскопии обратного рассеяния быстрых ионов 4He для анализа состава и структуры ионно-облучённых слоёв диэлектриков / Ю. Ю. Крючков, В. Ф. Пичугин, В. В. Сохорева // Физика твердого тела материалы VII Международной конференции, Усть-Каменогорск, 5-7 июня 2002 г.: / Восточно-Казахстанский государственный технический университет им. Д. Серикбаева . — Усть-Каменогорск : Оскемен , 2002 . — С. 312-314 .
WebCT: физика (Undegraduate) / В. И. Ефремов [и др.] // Проблемы и практика инженерного образования Международная аккредитация образовательных программ труды V Международной научно-практической конференции, Томск, 24-26 мая 2002 г.: / Томский политехнический университет ; Организация Объединенных Наций по вопросам образования, науки и культуры (ЮНЕСКО) . — Томск : Изд-во ТПУ , 2002 . — С. 62-63 .
Стародубцев, Вячеслав Алексеевич. Концепции современного естествознания : учебное пособие [Электронный ресурс] / В. А. Стародубцев; Томский политехнический университет; науч. ред.: В. Ф. Пичугин. — 1 компьютерный файл (pdf; 7531 KB). — Томск: 2002. — Текстовые файлы. — Системные требования: Adobe Reader..
Назимова, Н. А.. Задачи и место курса "Концепции современного естествознания" в образовательном стандарте нового поколения / Н. А. Назимова, В. Ф. Пичугин // Образовательный стандарт нового поколения. Организационно-технологическое и материально-техническое обеспечение труды научно-практической конференции: / Томский политехнический университет; Образовательный стандарт нового покаления. Организационно-технологическое и материально-техническое обеспечение . — Томск : Изд-во ТПУ , 2001 . — С. 34-35 .
Вайсбурд, Давид Израйлевич. Влияние термического сопротивления контакта диэлектрик-металл на температурное поле в диэлектрике при облучении ионным пучком / Д. И. Вайсбурд, В. Ф. Пичугин, М. И. Чебодаев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет . — 2001 . — Т. 44, № 4 . — С. 39-43 .
Вайсбурд, Давид Израйлевич. Методика определения термического сопротивления контакта диэлектрик - подложка при интенсивных режимах облучения диэлектрика / Д. И. Вайсбурд, В. Ф. Пичугин, М. И. Чебодаев // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет . — 2001 . — Т. 44, № 12 . — С. 36-43 . — Библиогр.: 17 назв..
Пичугин, Владимир Федорович. Изменение электрических свойств полиимида ионной бомбардировкой / В. Ф. Пичугин // Взаимодействие ионов с поверхностью: ВИП - 2001 материалы 15-й Международной конференции, Звенигород, 27-31 авг., 2001: . — 2001 . — Т. 2 . — С. 171-174 . — Библиогр.: 7 назв. — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..
Vaisburd, D. I.. A technique for obtaining thermal resistance of the dielectric-substrate contact under high-intensity irradiation / D. I. Vaisburd, V. F. Pichugin, M. I. Chebodaev // Russian Physics Journal . — 2001 . — Vol. 44, iss. 12 . — [P. 1289-1299] . — Title screen. — [Ref.: p. 1299 (17 tit.)]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Vaisburd, D. I.. Effect of thermal resistance of the dielectric-metal contact on the temperature field in a dielectric exposed to ion beams / D. I. Vaisburd, V. F. Pichugin, M. I. Chebodaev // Russian Physics Journal . — 2001 . — Vol. 44, iss. 4 . — [P. 376-382] . — Title screen. — [Ref.: p. 381-382 (15 tit.)]. — Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса..
Пичугин, Владимир Федорович. Электронные процессы в неупорядоченных слоях, созданных в диэлектрических материалах ионным облучением : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук / В. Ф. Пичугин; Уральский государственный технический университет. — Екатеринбург: Б.и., 2000. — 43 с..
Назимова, Н. А.. К методике преподавания курса "Концепции современного естествознания / Н. А. Назимова, В. Ф. Пичугин // Проблемы и практика инженерного образования. Высшее техническое образование: Качество и интернационализация труды IV Международной научно-практической конференции, 14-17 марта 2000 г., г. Томск: / Томский политехнический университет . — Томск : Изд-во ТПУ , 2000 . — С. 99-100 .
Крючков, Юрий Юрьевич. Разработка и применение методов спектроскопии обратного рассеяния быстрых ионов 4Не для анализа состава и структуры ионно-облученных слоёв диэлектриков / Ю. Ю. Крючков, В. Ф. Пичугин, В. М. Малютин // Проблемы физико-технического образования и атомной промышленности международная юбилейная научно-практическая конференция, Томск, 5-8 июня 2000: сборник докладов: / Томский политехнический университет (ТПУ), Физико-технический факультет . — Томск : Изд-во ТПУ , 2000 . — С. 55-60 . — Библиогр.: 2 назв..
Разработка и применение методов спектроскопии обратного рассеяния быстрых ионов для анализа состава и структуры ионно-облученных слоев диэлектриков [Электронный ресурс] / Ю. Ю. Крючков, В. М. Малютин, В. Ф. Пичугин [и др.] // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ] / Томский политехнический университет (ТПУ) . — 2000 . — Т. 303, вып. 3 . — [С. 12-21] . — Заглавие с титульного листа. — Электронная версия печатной публикации. — [Библиогр.: 21 (5 назв.)]. — Adobe Reader..
Пичугин, Владимир Федорович. Резонанс в эффективности формирования проводящего состояния кристаллического кварца ионной бомбардировкой / В. Ф. Пичугин, Т. С. Франгульян // Письма в Журнал технической физики / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) ; Отделение общей физики и астрономии РАН . — 2000 . — Т. 26, вып. 19 . — С. 24-29 .
Расписание
