По техническим причинам добавление новых публикаций временно недоступно.
Лисицын, Виктор Михайлович. Начальное взаимное распределение первичных пар радиационных дефектов / В. М. Лисицын // Диэлектрики в экстремальных условиях материалы VI Всесоюзной конференции по физике диэлектриков, г. Томск, 23-25 ноября 1988 г.: / Томский политехнический институт (ТПИ) ; Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина (ЛПИ) ; Московский институт электронного машиностроения (МИЭМ) ; отв. за вып. Д. И. Вайсбурд, В. Л. Ульянов . — Томск : Изд-во ТПИ , 1988 . — С. 25-26 . — Библиогр.: 1 назв..
Куликов, В. Д.. Накопление заряда в диэлектриках при импульсном электронном облучении / В. Д. Куликов, В. М. Лисицын // Диэлектрики в экстремальных условиях материалы VI Всесоюзной конференции по физике диэлектриков, г. Томск, 23-25 ноября 1988 г.: / Томский политехнический институт (ТПИ) ; Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина (ЛПИ) ; Московский институт электронного машиностроения (МИЭМ) ; отв. за вып. Д. И. Вайсбурд, В. Л. Ульянов . — Томск : Изд-во ТПИ , 1988 . — С. 133-134 . — Библиогр.: 3 назв..
Разработка метода контроля качества полупроводниковых пластин : Заключительный отчет о НИР : тема х/д 1-87/86 / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. Лисицын ; В. Ф. Штанько. — Томск: 1988. — 81 л.. — Библиогр.: с. 78-81..
Кравченко, Виктор Алексеевич. Высокотемпературный механизм образования F-центров в кристалле CsBr / В. А. Кравченко, В. М. Лисицын, В. Ю. Яковлев // Шестая Всесоюзная конференция по радиационной физике и химии ионных кристаллов, Рига, 9-11 октября 1986 г. тезисы докладов: в 2 ч.: / Академия наук Латвийской ССР (АН ЛатССР), Институт физики (ИФ) . — 1986 . — Ч. 1 . — С. 89-90 .
Кравченко, Виктор Алексеевич. Люминисценция и образование центров окраски в галогенидах цезия под действием импульсных электронных пучков : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : Спец. 01.04.05 / В. А. Кравченко; Томский политехнический институт ; науч. рук. В. М. Лисицын. — Томск: 1986. — 178 л.: ил.. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 155-178 (212 назв.)..
Кравченко, Виктор Алексеевич. Образование F-центров и автолокализованных экситонов в кристале CsBr под действием импульсных электронных пучков / В. А. Кравченко, В. М. Лисицын, В. Ю. Яковлев // Физика твердого тела / Академия наук СССР . — 1986 . — Т. 28, № 11 . — С. 3473-3477 .
Кравченко, Виктор Алексеевич. Оптическое поглощение двухганоидных автолокализованных экситонов в CsBr / В. А. Кравченко, В. М. Лисицын, В. Ю. Яковлев // Оптика и спектроскопия научный журнал: / Академия наук СССР (АН СССР) . — 1986 . — Т. 60, вып. 3 . — С. 662-664 . — ISSN 0030-4034 .
Бочканов, Петр Васильевич. Эволюция радиационных френкелевских пар дефектов в щелочно-галоидных кристаллах : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : Спец. 02.00.04 / П. В. Бочканов; Томский политехнический институт ; науч. рук. В. М. Лисицын. — Томск: 1985. — 176 л.: ил.. — Библиогр.: с. 172-176(49 назв.)..
Bochkanov, P. V.. Modeling of the evolution process of primary Frenkel pair defect formation in alkali halide crystals / P. V. Bochkanov, V. I. Korepanov, V. M. Lisitsyn // Soviet Physics Journal . — 1985 . — Vol. 28, № 2 . — P. 103-106 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..
Исследование возможности создания катодолюминесцентного источника накачки ОКГ; Определение условий возбуждения фосфоров с целью получения оптимальных параметров катодолюминесцентного источника накачки : отчет о НИР : тема ДС2 х/д 1-28/81 / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. Лисицын ; В. Ф. Штанько. — Томск: 1984. — 79 л.. — Библиогр.: с.74-79. — Передано в Государственный архив Томской области..
Куликов, Виктор Дмитриевич. Распределение энергии импульсных электронных пучков в щелочно-галоидных кристаллах : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : Спец. 01.04.07. / В. Д. Куликов; Томский политехнический институт ; науч. рук. В. М. Лисицын. — Томск: Б.и., 1983. — 78 л.: ил.. — Библиогр.: с. 73-78 (50 назв.)..
Исследование возможности создания катодолюминесцентного источника накачки ОКГ : заключительный отчет о НИР : тема : 1-28/81 / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. Лисицын ; В. Ф. Штанько. — Томск: 1981. — 79 л.. — Передано в Государственный архив Томской области..
Лисицын, Виктор Михайлович. Образование радиационных дефектов при распаде электронных возбуждений в кристаллах со сложной структурой решетки : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : спец. 01.04.07 / В. М. Лисицын; Академия наук Латвийской ССР (АН ЛатССР), Институт физики (ИФ). — Рига: 1980. — 38 с.: ил.. — Защита сост. 21.11.1980 г. — Работа выполнена в Томском политехническом университете. — Библиогр.: с. 32-37 (61 назв.)..
Исследование процессов старения люминофоров и газоразрядных источников света; Отработка методики ускоренного контроля радиационной стойкости люминофора : промежуточный отчет о НИР : тема: № 1-32/76 : проблема 014.06.01 / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. Лисицын , В.Ф. Штанько. — Томск: 1979. — 24 л.. — Библиогр.: с. 24..
Lisitsyn, Viktor Mikhailovich. Temperature dependence of relaxation kinetics of primary structural defects in a KCl crystal after pulsed irradiation / V. M. Lisitsyn, G. N. Serikova // Soviet Physics Journal . — 1979 . — Vol. 22, № 9 . — P. 1014-1017 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..
Исследование процессов старения люминофоров и газоразрядных источников света; Разработать метод ускоренного контроля радиационной стойкости люминофоров : промежуточный отчет о НИР : тема: № 1-32/76 : проблема 0.14.06.01. / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. Лисицын ; В. Ф. Штанько. — Томск: 1978. — 17 л.. — Библиогр.: с. 17..
Гриценко, Б. П.. Исследование образования первичных дефектов во фториде кальция и окислах магния и кремния методом импульсного радиолиза : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Б. П. Гриценко; Томский политехнический институт ; науч. рук. Е. К. Завадовская ; под ред. В. М. Лисицын. — Томск: Б.и., 1978. — 96 л.: ил.. — Библиогр.: с. 86-96 (178 назв.)..
Lisitsyn, Viktor Mikhailovich. Primary Pairing Energy of Radiation Defects in MGF2 Crystal / V. M. Lisitsyn, V. I. Korepanov // Soviet Physics Journal . — 1978 . — Vol. 20, № 9 . — P. 1244-1246 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует..
Влияние примеси на образование собственных радиационных дефектов в кристаллах CaF2 [Электронный ресурс] / Е. К. Завадовская [и др.] // Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ] / Томский политехнический институт (ТПИ) . — Изд-во Томского ун-та , 1977 . — Т. 247 : Радиационная физика ионных структур . — [С. 47-55] . — Заглавие с титульного листа. — Электронная версия печатной публикации. — [Библиогр.: с. 55 (11 назв.)]. — Adobe Reader..
Лисицын, Виктор Михайлович. Радиационное изменение электропроводности в кристаллах CaF2 [Электронный ресурс] / В. М. Лисицын, В. А. Федоров // Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ] / Томский политехнический институт (ТПИ) . — Изд-во Томского ун-та , 1977 . — Т. 247 : Радиационная физика ионных структур . — [С. 56-63] . — Заглавие с титульного листа. — Электронная версия печатной публикации. — [Библиогр.: с. 63 (23 назв.)]. — Adobe Reader..
Расписание
