Lisitsyn, V. M. Evolution of primary radiation defects in ionic crystals / V. M. Lisitsyn, V. I. Korepanov, V. Yu. Yakovlev // Russian Physics Journal : Scientific Journal. — 1996. — Vol. 39, iss. 1. — [P. 1009-1028]. — URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF02436146
Korepanov, V. I. Formation of near-defect excitons in alkali-halide crystals / V. I. Korepanov, V. M. Lisitsyn, L. A. Lisitsyna // Russian Physics Journal : Scientific Journal. — 1996. — Vol. 39, iss. 1. — [P. 1082-1092]. — URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF02436151
Система высшего образования Российской Федерации : основные термины и определения / Томский политехнический университет ; под ред. В. М. Лисицына ; сост. Э. И. Цимбалист, Б. Б. ВинокуровТомск : Изд-во ТПУ, 1995. — 28 с.
Караушев, В. Ф. Концепция образовательного процесса технического университета / В. Ф. Караушев, В. М. Лисицын, В. М. Сергеев // Организация учебного процесса и технология обучения в системе многоуровневой подготовки специалистов : тезисы докладов / под ред. Г. А. Сипайлова. — 1995. — С. 44-45
Лисицын, В. М. Итоговая аттестация в многоуровневой системе обучения в Томском политехническом университете / В. М. Лисицын, В. А. Бутенко // Организация учебного процесса и технология обучения в системе многоуровневой подготовки специалистов : тезисы докладов / под ред. Г. А. Сипайлова. — 1995. — С. 45
Бутенко, В. А. Итоговая аттестация на квалификацию инженера / В. А. Бутенко, В. М. Лисицын, А. В. Шмойлов // Организация учебного процесса и технология обучения в системе многоуровневой подготовки специалистов : тезисы докладов / под ред. Г. А. Сипайлова. — 1995. — С. 57-58
Энергия активации процесса пространственного разделения компонентов первичных пар дефектов Френкеля / В. М. Галкин [и др.] // Радиационные гетерогенные процессы : шестая международная конференция, 29 мая - 1 июня 1995 г. — 1995. — Ч. 1. — С. 64-65
Lisitsyna, L. A. Formation of elementary radiation defects in halide crystals with different types of crystal lattice / L. A. Lisitsyna, V. M. Lisitsyn, E. P. Chinkov // Russian Physics Journal : Scientific Journal. — 1995. — Vol. 38, iss. 1. — [P. 9-14]. — URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF00559506
Материалы для источников света и светотехнических изделий : межвузовский сборник научных трудов / Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева ; под ред. В. М. ЛисицынаСаранск : Изд-во Мордовского ун-та, 1990. — 100 с. : ил.
Жуков, В. К. О подходе ЭФФ к формированию программы подготовки специалистов в новых условиях / В. К. Жуков, В. М. Лисицын // Проблемы многоуровневой подготовки специалистов в техническом университете : тезисы докладов научно-методической конференции / Томский политехнический университет (ТПУ). — 1993. — С. 18
Сергеев, В. М. Образовательно-профессиональная модель бакалавра / В. М. Сергеев, В. М. Лисицын // Проблемы многоуровневой подготовки специалистов в техническом университете : тезисы докладов научно-методической конференции / Томский политехнический университет (ТПУ). — 1993. — С. 34
Радиационное воздействие на оптические свойства материалов : Отчет о НИР / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. Лисицын ; Л. В. СахноваТомск, 1990. — 32 л. — Передано в Государственный архив Томской области
Bochkanov, P. V. Spatial distribution of elements of charged Frenkel defect pairs in alkali-halide crystals / P. V. Bochkanov, V. I. Korepanov, V. M. Lisitsyn // Soviet Physics Journal. — 1989. — Vol. 32, № 3. — P. 171-174
Bochkanov, P. V. Relaxation kinetics of correlated neutral Frenkel pairs of defects in alkali-halide crystals / P. V. Bochkanov, V. I. Korepanov, V. M. Lisitsyn // Soviet Physics Journal. — 1989. — Vol. 32, № 3. — P.167-171
Разработка метода контроля качества полупроводниковых пластин : Заключительный отчет о НИР / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. Лисицын ; В. Ф. ШтанькоТомск, 1988. — 81 л.
Лисицын, В. М. Начальное взаимное распределение первичных пар радиационных дефектов / В. М. Лисицын // Диэлектрики в экстремальных условиях : материалы VI Всесоюзной конференции по физике диэлектриков, г. Томск, 23-25 ноября 1988 г. / Томский политехнический институт (ТПИ) ; Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина (ЛПИ) ; Московский институт электронного машиностроения (МИЭМ) ; отв. за вып. Д. И. Вайсбурд, В. Л. Ульянов. — 1988. — С. 25-26
Куликов, В. Д. Накопление заряда в диэлектриках при импульсном электронном облучении / В. Д. Куликов, В. М. Лисицын // Диэлектрики в экстремальных условиях : материалы VI Всесоюзной конференции по физике диэлектриков, г. Томск, 23-25 ноября 1988 г. / Томский политехнический институт (ТПИ) ; Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина (ЛПИ) ; Московский институт электронного машиностроения (МИЭМ) ; отв. за вып. Д. И. Вайсбурд, В. Л. Ульянов. — 1988. — С. 133-134
Кравченко, В. А. Люминисценция и образование центров окраски в галогенидах цезия под действием импульсных электронных пучков : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / В. А. Кравченко ; Томский политехнический институт ; науч. рук. В. М. ЛисицынТомск, 1986. — 178 л. : ил.
Кравченко, В. А. Высокотемпературный механизм образования F-центров в кристалле CsBr / В. А. Кравченко, В. М. Лисицын, В. Ю. Яковлев // Шестая Всесоюзная конференция по радиационной физике и химии ионных кристаллов, Рига, 9-11 октября 1986 г. : тезисы докладов / Академия наук Латвийской ССР (АН ЛатССР), Институт физики (ИФ). — 1986. — Ч. 1. — С. 89-90
Кравченко, В. А. Образование F-центров и автолокализованных экситонов в кристале CsBr под действием импульсных электронных пучков / В. А. Кравченко, В. М. Лисицын, В. Ю. Яковлев // Физика твердого тела / Академия наук СССР. — 1986. — Т. 28, № 11. — С. 3473-3477
Расписание
