Кравченко, В. А. Образование F-центров и автолокализованных экситонов в кристале CsBr под действием импульсных электронных пучков / В. А. Кравченко, В. М. Лисицын, В. Ю. Яковлев // Физика твердого тела / Академия наук СССР. — 1986. — Т. 28, № 11. — С. 3473-3477
Кравченко, В. А. Оптическое поглощение двухганоидных автолокализованных экситонов в CsBr / В. А. Кравченко, В. М. Лисицын, В. Ю. Яковлев // Оптика и спектроскопия : научный журнал / Академия наук СССР (АН СССР). — 1986. — Т. 60, вып. 3. — С. 662-664
Бочканов, П. В. Эволюция радиационных френкелевских пар дефектов в щелочно-галоидных кристаллах : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / П. В. Бочканов ; Томский политехнический институт ; науч. рук. В. М. ЛисицынТомск, 1985. — 176 л. : ил.
Bochkanov, P. V. Modeling of the evolution process of primary Frenkel pair defect formation in alkali halide crystals / P. V. Bochkanov, V. I. Korepanov, V. M. Lisitsyn // Soviet Physics Journal. — 1985. — Vol. 28, № 2. — P. 103-106
Исследование возможности создания катодолюминесцентного источника накачки ОКГ : отчет о НИР / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. Лисицын ; В. Ф. ШтанькоТомск, 1984. — 79 л. — Передано в Государственный архив Томской области
Куликов, В. Д. Распределение энергии импульсных электронных пучков в щелочно-галоидных кристаллах : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / В. Д. Куликов ; Томский политехнический институт ; науч. рук. В. М. ЛисицынТомск : [Б. и.], 1983. — 78 л. : ил.
Исследование возможности создания катодолюминесцентного источника накачки ОКГ : заключительный отчет о НИР / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. Лисицын ; В. Ф. ШтанькоТомск, 1981. — 79 л. — Передано в Государственный архив Томской области
Лисицын, В. М. Образование радиационных дефектов при распаде электронных возбуждений в кристаллах со сложной структурой решетки : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук / В. М. Лисицын ; Академия наук Латвийской ССР (АН ЛатССР), Институт физики (ИФ)Рига, 1980. — 38 с. : ил.
Исследование процессов старения люминофоров и газоразрядных источников света : промежуточный отчет о НИР / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководители В. М. Лисицын, В. Ф. ШтанькоТомск, 1979. — 24 л.
Lisitsyn, V. M. Temperature dependence of relaxation kinetics of primary structural defects in a KCl crystal after pulsed irradiation / V. M. Lisitsyn, G. N. Serikova // Soviet Physics Journal. — 1979. — Vol. 22, № 9. — P. 1014-1017
Lisitsyn, V. M. Temperature dependence of accumulation of radiation defects in ionic crystals / V. M. Lisitsyn // Soviet Physics Journal. — 1979. — Vol. 22, № 2. — P. 181-184
Гриценко, Б. П. Исследование образования первичных дефектов во фториде кальция и окислах магния и кремния методом импульсного радиолиза : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Б. П. Гриценко ; Томский политехнический институт ; науч. рук. Е. К. Завадовская ; под ред. В. М. ЛисицынТомск : [Б. и.], 1978. — 96 л. : ил.
Исследование процессов старения люминофоров и газоразрядных источников света : промежуточный отчет о НИР / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. Лисицын ; В. Ф. ШтанькоТомск, 1978. — 17 л.
Lisitsyn, V. M. Primary Pairing Energy of Radiation Defects in MGF2 Crystal / V. M. Lisitsyn, V. I. Korepanov // Soviet Physics Journal. — 1978. — Vol. 20, № 9. — P. 1244-1246
Исследование процессов старения люминофоров и газоразрядных источников света : отчет о НИР / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. ЛисицынТомск, 1977. — 36 л.
Изучение процессов старения люминофоров на основе ГФК путем моделирования условий работы в люминесцентной лампе : отчет о НИР / Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель В. М. Лисицын ; В. Ф. ШтанькоТомск, 1977. — 27 л.
Влияние примеси на образование собственных радиационных дефектов в кристаллах CaF2 / Е. К. Завадовская [и др.] // Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ] / Томский политехнический институт (ТПИ). — 1977. — Т. 247 : Радиационная физика ионных структур. — [С. 47-55]. — URL: http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/1977/v247/06_bw.pdf
Лисицын, В. М. Радиационное изменение электропроводности в кристаллах CaF2 / В. М. Лисицын, В. А. Федоров // Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ] / Томский политехнический институт (ТПИ). — 1977. — Т. 247 : Радиационная физика ионных структур. — [С. 56-63]. — URL: http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/1977/v247/07_bw.pdf
Воробьев, А. А. Радиационная устойчивость ионных кристаллических материалов / А. А. Воробьев, В. М. Лисицын // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1977. — № 8. — С. 85-90
Исследование зарядовых превращений редкоземельных ионов в CaF2 методом позитронной спектроскопии / К. П. Арефьев [и др.] // Физика твердого тела / Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. — 1977. — Т. 19, № 12. — С. 3593-3596
Расписание
