Импульсное электронно-лучевое перемешивание систем Au/Cu и Cu/Mo / Е. Ю. Боярко, В. М. Малютин, Ю. Ю. Крючков [и др.] // Тезисы докладов XIX Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 29-31 мая 1989 г.). — 1989. — С. 179
Ионное перемешивание и плавление в тонких металлических структурах под действием мощных ионных пучков / Е. Ю. Боярко, В. М. Малютин, Ю. Ю. Крючков [и др.] // Тезисы докладов XIX Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 29-31 мая 1989 г.). — 1989. — С. 180
Исследование каналирования 4 He+ в кристаллах и пленках со структурой граната / Е. Ю. Боярко, Ю. Ю. Крючков, В. М. Малютин, И. В. Евдокимов // Тезисы докладов XIX Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 29-31 мая 1989 г.). — 1989. — С. 32
Разработка ядерно-физических методов анализа поверхностных слоев полупроводниковых материалов и приборов / И. П. Чернов [и др.] // Труды Пятого всесоюзного совещания по ускорителям заряженных частиц. Дубна, 5-7 октября 1976 : в 2 т. / Научный совет АН СССР по проблемам ускорения заряженных частиц ; отв. ред. А. А. Васильев. — 1978. — Т. 2. — С. 198-201
Определение состава эпитаксильных пленок феррит-гранитов методом РОР / Е. Ю. Боярко, И. Е. Буркова, Ю. Ю. Крючков [и др.] // Письма в Журнал технической физики / Академия наук СССР (АН СССР). — 1989. — Т. 15, вып. 11. — с. 69-72
Определение состава ионно-имплантированных поверхностных слоев MgO методом резерфордовского и резонансного обратного рассеяния ионов / В. М. Заводчиков [и др.] // Письма в Журнал технической физики / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) ; Отделение общей физики и астрономии РАН. — 1996. — Т. 22, вып. 1. — С. 7-11
Термический отжиг дефектов в арсениде галлия, облученном ионами серы / В. М. Ардышев [и др.] // Физика и техника полупроводников / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ). — 1984. — Т. 18, вып. 2. — С. 316-318
Ардышев, М. В. Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs при радиационном отжиге = Effects of Predoping and Implantation Conditions on Diffusion of Silicon in Gallium Arsenide Subjected to Electron-Beam Annealing / М. В. Ардышев, В. М. Ардышев, Ю. Ю. Крючков // Физика и техника полупроводников. — 2004. — Т. 38, вып. 3. — [С. 265-269]. — URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=20333795
Ардышев, М. В. Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами = The accumulation of radiation defects in callium arsenide that has been subjected to pulsed and continuous ion implantation / М. В. Ардышев, В. М. Ардышев, Ю. Ю. Крючков // Физика и техника полупроводников. — 2005. — Т. 39, вып. 3. — [С. 313-315]. — URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=20334072
Оздиев, А. Х. Реализация алгоритма томографической реконструкции методом обратного проецирования при использовании веерного пучка / А. Х. Оздиев, Ю. Ю. Крючков // Дефектоскопия. — 2017. — № 5. — [С. 55-60]. — URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=29229290
Функция деканалирования заряженных частиц в кристаллах / Е. Ю. Боярко [и др.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1985. — Т. 28, № 2. — С. 128
Каналирование быстрых электронов в кристаллах с простой структурной решетки / А. Я. Бабудаев [и др.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1974. — № 11. — С. 48-52
Влияние магнитного поля на поглощение электронов в алюминии / П. М. Щанин [и др.] // Известия вузов. Физика / Российская Федерация, Министерство образования и науки ; ФГБОУ ВПО "Национальный исследовательский Томский государственный университет". — 1974. — № 1. — С. 141-142
Воробьев, С. А. Угловые распределения позитронов с энершиями 40, 80, 160 Мэв, рассеянных алюминиевыми фольгами / С. А. Воробьев, Ю. Ю. Крючков, Ю. А. Тимошников // Атомная энергия : теоретический и научно-технический журнал / Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом", ядерного общества России и Российской академии наук. — 1974. — Т. 37, вып. 1-6. — С. 165-166
Определение местоположения легуих атомов в красталлах с помощью аномального рассеяния альфа-частиыц / И. П. Чернов [и др.] // Атомная энергия : теоретический и научно-технический журнал / Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом", ядерного общества России и Российской академии наук. — 1978. — Т. 44, вып. 1-6. — С. 515-516
Пат. № 2367933 RU , МПК G 01 N 23/02 . Способ определения концентрации серы в нефти и нефтепродуктах / Т. Н. Стрежнева [и др.] ; Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университетВ фонде НТБ ТПУ отсутствует
Расписание
