Выделение водорода из кристаллов, стимулированное ионизирующим излучением / Ю. И. Тюрин [и др.] ; Томский политехнический институт (ТПИ)Томск, 1987. — 19 с. : ил. — Деп. в ВИНИТИ 19.08.87, N 6062-В87. — В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Упругие свойства металлокерамики на основе монокарбида вольфрама при низких температурах / А. А. Ботаки [и др.] ; ред. журн. "Известия вузов. Физика"Томск, 1987. — 15 с. : ил. — Деп. в ВИНИТИ 29.06.87, N 4770-В87 . — В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Исследование, разработка и внедрение прогрессивной техники и технологии бурения геологоразведочных скважин на Иртышском, Белоусовском, Быкырчикском, Лениногорском месторождениях ПГО "Востказгеология" с целью повышения производственности труда, улучшения качества работ : отчет о НИР (заключительный) / Томский политехнический институт (ТПИ) ; науч. рук. С. С. Сулакшин ; отв. исполн. С. Я. Рябчиков ; исполн. В. И. Брылин [и др.]Томск, 1986. — 242 л.
Исследование взаимного влияния примесей водорода и гелия при имплантации в нержавеющую сталь / О. П. Белянин [и др.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1986. — т. 29, № 10. — С. 124
Влияние облучения малыми дозами γ-квантов на структуру металлических сплавов на основе железа / А. М. Гагарин [и др.]Томск, 1986. — 19 с. : ил. — Ред. журн. "Известия вузов. Физика". — В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Заводчиков, В. М. Особенности ядерного анализа многослойных структур : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / В. М. Заводчиков ; Томский политехнический институт (ТПИ), Научно-исследовательский институт ядерной физики (НИИ ЯФ) ; науч. рук. А. А. Ятис ; И. П. ЧерновТомск, 1985. — 218 л. : ил.
Никитенков, Н. Н. Теоретические и экспериментальные исследования энергетических распределений вторичных ионов при распылении мишеней сложного состава ионами килоэлектронвольтных энергий : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Н. Н. Никитенков ; Томский политехнический институт ; науч. рук. И. П. ЧерновТомск, 1985. — 131 л. : ил.
Функция деканалирования заряженных частиц в кристаллах / Е. Ю. Боярко [и др.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1985. — Т. 28, № 2. — С. 128
Исследование воздействия малых доз γ-квантов на структуры GaAs+SiO2 методом резерфордовского обратного рассеяния каналированных ионов / Е. Ю. Боярко [и др.] // Известия вузов. Физика / Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет. — 1985. — т. 28, № 10. — С. 123
Мамонтов, А. П. Ионизационное ускорение преобразования центров окраски в области малых доз излучения // Журнал технической физики / Академия наук СССР (АН СССР). — 1985. — Т. 55, вып. 10. — С. 2056-2059
Поведение гелия и водорода в нержавеющей стали при последовательной имплантации / О. П. Белянин [и др.] ; ред. журн. "Известия вузов. Физика"Томск, 1985. — 19 с. — Деп. в ВИНИТИ N 4815-85, 03.07.85. — В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Кощеев, В. П. Влияние многократного рассеяния на движение каналированных частиц : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / В. П. Кощеев ; Томский политехнический институт (ТПИ), Научно-исследовательский институт ядерной физики (НИИ ЯФ) ; И. П. ЧерновТомск, 1984. — 89 л. : ил.
Боярко, Е. Ю. Каналирование быстрых ионов гелия в дефектных полупроводниковых кристаллах : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Е. Ю. Боярко ; Томский политехнический институт (ТПИ), Научно-исследовательский институт ядерной физики (НИИ ЯФ) ; науч. рук. И. П. ЧерновТомск, 1984. — 97 л. : ил.
Поведение водорода и гелия в нержавеющей стали при одновременной имплантации / О. П. Белянин [и др.] // Поверхность. Физика, химия, механика / Российская кадемия наук (РАН), Институт физики твердого тела (ИФТТ). — 1984. — № 6. — С. 136-140
Термический отжиг дефектов в арсениде галлия, облученном ионами серы / В. М. Ардышев [и др.] // Физика и техника полупроводников / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ). — 1984. — Т. 18, вып. 2. — С. 316-318
Динамика аннигиляции дефектов в полупроводниковых кристаллах под действием малых доз излучения / Ю. П. Черданцев [и др.] // Физика и техника полупроводников / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ). — 1984. — Т. 18, вып. 11. — С. 2061-2065
Кощеев, В. П. Влияние многократного рассеяния на движение каналированных частиц : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / В. П. Кощеев ; Томский политехнический институт (ТПИ), Научно-исследовательский институт ядерной физики (НИИ ЯФ) ; науч. рук. И. П. ЧерновТомск, 1983. — 73 л. : ил.
Мамонтов, А. П. Роль зарядового состояния при накоплении и отжиге глубоких центров в арсениде галлия, облученном протонами / А. П. Мамонтов, В. В. Пешев, И. П. Чернов // Физика и техника полупроводников / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ). — 1983. — Т. 17, вып. 7. — С. 1242-1245
Заводчиков, В. М. Особенности ядерного анализа многослойных структур : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / В. М. Заводчиков ; Томский политехнический институт (ТПИ), Научно-исследовательский институт ядерной физики (НИИ ЯФ) ; науч. рук. И. П. Чернов, А. А. ЯтисТомск : [Б. и.], 1982. — 197 л. : ил.
Овчаров, А. М. Автоматизированная система мгновенного ядерного анализа вещества : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / А. М. Овчаров ; Томский политехнический институт (ТПИ), Научно-исследовательский институт ядерной физики (НИИ ЯФ) ; науч. рук. И. П. ЧерновТомск : [Б. и.], 1982. — 164 л. : ил.
Расписание
