Поведение водорода и гелия в нержавеющей стали при одновременной имплантации / О. П. Белянин [и др.] // Поверхность. Физика, химия, механика / Российская кадемия наук (РАН), Институт физики твердого тела (ИФТТ). — 1984. — № 6. — С. 136-140
Термический отжиг дефектов в арсениде галлия, облученном ионами серы / В. М. Ардышев [и др.] // Физика и техника полупроводников / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ). — 1984. — Т. 18, вып. 2. — С. 316-318
Динамика аннигиляции дефектов в полупроводниковых кристаллах под действием малых доз излучения / Ю. П. Черданцев [и др.] // Физика и техника полупроводников / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ). — 1984. — Т. 18, вып. 11. — С. 2061-2065
Кощеев, В. П. Влияние многократного рассеяния на движение каналированных частиц : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / В. П. Кощеев ; Томский политехнический институт (ТПИ), Научно-исследовательский институт ядерной физики (НИИ ЯФ) ; науч. рук. И. П. ЧерновТомск, 1983. — 73 л. : ил.
Мамонтов, А. П. Роль зарядового состояния при накоплении и отжиге глубоких центров в арсениде галлия, облученном протонами / А. П. Мамонтов, В. В. Пешев, И. П. Чернов // Физика и техника полупроводников / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ). — 1983. — Т. 17, вып. 7. — С. 1242-1245
Заводчиков, В. М. Особенности ядерного анализа многослойных структур : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / В. М. Заводчиков ; Томский политехнический институт (ТПИ), Научно-исследовательский институт ядерной физики (НИИ ЯФ) ; науч. рук. И. П. Чернов, А. А. ЯтисТомск : [Б. и.], 1982. — 197 л. : ил.
Овчаров, А. М. Автоматизированная система мгновенного ядерного анализа вещества : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / А. М. Овчаров ; Томский политехнический институт (ТПИ), Научно-исследовательский институт ядерной физики (НИИ ЯФ) ; науч. рук. И. П. ЧерновТомск : [Б. и.], 1982. — 164 л. : ил.
Мамонтов, А. П. Влияние электрического поля на накопление и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия // Физика и техника полупроводников / Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ). — 1982. — Т. 16, вып. 12. — С. 2126-2128
Cherdantsev, P. A. Chain annihilation of defects in semiconductor crystals / P. A. Cherdantsev, I. P. Chernov, A. P. Mamontov // Physica status solidi (a). — 1982. — Vol. 69, Iss. 2. — P. K215-K218
Чернов, И. П. Ядерные методы исследования полупроводников и сверхпроводников / И. П. Чернов, А. А. Ятис // Использование ускорителей в элементном анализе : [сборник статей] / АН УзССР, Ин-т ядер. физики ; [Отв. ред. Ю. Н. Таланин]. — 1980. — С. 170-179
Метод определения содержания водорода в поверхностных слоях материалов / В. А. Матусевич [и др.] // Использование ускорителей в элементном анализе : [сборник статей] / АН УзССР, Ин-т ядер. физики ; [Отв. ред. Ю. Н. Таланин]. — 1980. — С. 170-179
А. с. № 646706 RU , МПК H 01 L 21/26. Способ обработки полупроводниковых детекторов / К. П. Арефьев [и др.] ; Томский политехнический институт (ТПИ), Научно-исследовательский институт ядерной физики, электроники и автоматики (НИИ ЯФЭА)опубл. 30.04.80, Бюл. ОИПОТЗ № 16. — В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Разработка ядерно-физических методов анализа поверхностных слоев полупроводниковых материалов и приборов / И. П. Чернов [и др.] // Труды Пятого всесоюзного совещания по ускорителям заряженных частиц. Дубна, 5-7 октября 1976 : в 2 т. / Научный совет АН СССР по проблемам ускорения заряженных частиц ; отв. ред. А. А. Васильев. — 1978. — Т. 2. — С. 198-201
Определение местоположения легуих атомов в красталлах с помощью аномального рассеяния альфа-частиыц / И. П. Чернов [и др.] // Атомная энергия : теоретический и научно-технический журнал / Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом", ядерного общества России и Российской академии наук. — 1978. — Т. 44, вып. 1-6. — С. 515-516
Cherdantsev, P. A. Elastic scattering of 16O on 12C in the framework of two-center model / P. A. Cherdantsev, I. P. Chernov, G. A. Vershinin // Physics Letters B. — 1975. — Vol. 55, iss. 2 (3 Febr.). — P. 137-140
Кузнецов, Б. И. Обратное рассеяние α-частиц на легких ядрах : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Б. И. Кузнецов ; Томский политехнический институт (ТПИ), Научно-исследовательский институт ядерной физики, электроники и автоматики (НИИ ЯФЭА) ; науч. рук. И. П. ЧерновТомск, 1972. — 147 л. : ил.
Ятис, А. А. Влияние свойств атомных ядер на упругое рассеяние дейтронов : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / А. А. Ятис ; Томский политехнический институт (ТПИ), Научно-исследовательский институт ядерной физики, электроники и автоматики (НИИ ЯФЭА) ; науч. рук.: Л. С. Соколов , И. П. Чернов , Р. П. МещеряковТомск, 1968. — 156 л. : ил.
Верещагин, А. Н. Упругое рассеяние дейтронов на легких и средних ядрах : Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / А. Н. Верещагин ; Томский политехнический институт (ТПИ), Научно-исследовательский институт ядерной физики, электроники и автоматики (НИИ ЯФЭА) ; науч. рук.: П. А. Черданцев , И. П. ЧерновТомск, 1968. — 116 л. : ил.
Использование оптической модели ядра для анализа рассеяния дейтронов и L-частиц ядрами / О. Ф. Немец [и др.] // Известия Академии наук СССР. Серия физическая / Академия наук СССР. — 1967. — Т. 31, № 4. — С. 532-549
Исследование упругого рассеяния дейтронов с энергией 13,6 Мэв на тяжелых ядрах / И. Н. Коростова [и др.] // В фонде НТБ ТПУ отсутствует
