SEARCH:
Нет данных.
Сегодня
20 апреля 2024 / Saturday / Неделя четная
Time tableРасписание
  
    New Tab     
    New Tab     
    New Tab     
    New Tab     
    New Tab     
  New Tab  
Публикации на русском языке Орлова К.Н. Исследование уровня радиационной безопасности на территории города Юрги. Вестник Кузбасского государственного технического университета. 2011. № 6. С. 35-37. Рассмотрена мощность дозы гамма излучения и годовая доза облучения в различных районах города Юрги. Оп-ределено превышение максимально допустимой мощности дозы гамма-излучения в трех районах города, постройках из шлакоблоков и длительно эксплуатируемых зданиях. Орлова К.Н., Абраменко Н.С., Семенок А.А. Определение коэффициента поглощения и кратности ослабления облачности при прохождении гамма-излучения//Технологии техносферной безопасности. 2013. №6(52). С.11 Представлены исследования фонового значения мощности эквивалентной дозы гамма-излучения в различную погоду (ясную, облачную и пасмурную). Показано изменение мощности дозы гамма-излучения в зависимости от погоды и способность облачности экранировать гамма-излучение. Разработана методика расчёта коэффициента поглощения и кратности ослабления облачности. Костенко О.В. Орлова К.Н. Построение нейроалгоритма по определению суммарного облучения человека//Научно-технический вестник Поволжья. -2013. -№ 2. -С. 142-145. В работе показан пример построения нейроалгоритма для расчетов и программирования сложных природных систем, таких как суммарное облучение человека. Сконструированная схема нейросети и нейроалгоритм позволят реализовать программирование радиационных процессов с помощью нейросетевых технологий. Орлова К.Н. Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP. Приволжский научный вестник. 2012. № 10 (14). С.17-19. В работе представлены современные методы увеличения мощности излучения светодиодов на основе четверных гетероструктур AlGaInP. Основные способы включают в себя замену основной подложки, варьирование концентраций элементов входящих в состав активной области, рост распределенных брэгговских отражателей в устройствах, увеличение толщины световыводящего окна. Медведева (Костенко) О.В., Орлова К.Н., Большанин В.Ю. Нейросетевые технологии алгоритмизации по определению радиационного облучения в повседневной жизни человека//Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. -2014. -№ 10-2. -C. 17-20. В повседневной жизни человек многократно подвергается действию ионизирующего излучения. Источниками радиации является как естественный радиационный фон, обусловленный природной радиоактивностью Земли, космическим и солнечным излучением, так и искусственные излучатели (бытовые приборы, строительные материалы, топливо, медицинское оборудование, ТЭЦ и АЭС). Поэтому определение суммарного облучения человека в повседневной жизни будет складываться из множества факторов, будет являться строго определенным для конкретного человека, и несомненно, актуально. Нейросетевые технологии позволяют полностью разрешить данную задачу, следуя нейроалгоритму, представленному в данной работе. Гайдамак М.А., Орлова К.Н. Влияние электромагнитного излучения в быту на человека. В сборнике: Экология и безопасность в техносфере: Современные проблемы и пути решения. Сборник трудов Всероссийской научно-практической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов. Юргинский технологический институт (филиал) Национального исследовательского Томского политехнического университета. Томск, 2014. С. 376-378. Градобоев А. В., Орлова К. Н., Асанов И. А.//Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. -2013. -Вып. 2. -С. 64-66. Представлены результаты исследования радиационной стойкости гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами на примере светодиодов с длиной волны излучения 623 нм при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами 60Со в пассивном режиме питания. Установлено, что мощность излучения диодов при облучении уменьшается пропорционально дозе облучения и обратно пропорционально величине рабочего тока, при этом уровень ее снижения уменьшается по мере роста плотности рабочего тока, используемого при измерении. А.В. Градобоев, К.Н. Орлова, И.А. Асанов. Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами [Электронный ресурс]/А.В. Градобоев, К.Н. Орлова, И.А. Асанов//Журнал радиоэлектроники. -2013. -№ 4. -Режим доступа: http://jre.cplire.ru/jre/apr13/7/text.pdf. Представлены результаты исследования деградации параметров гетероструктур AlGaInP красного (630 нм) и желтого (590 нм) свечения на примере светодиодов при облучении гамма-квантами 60Со в пассивном режиме питания. Показано, что деградация светового потока обусловлена введением двух типов центров безизлучательной рекомбинации радиационного происхождения. Первый центр, предположительно, связан с радиационной перестройкой имеющейся дефектной структуры, а второй – имеет чисто радиационное происхождение. Установлено, что световой поток диодов при облучении уменьшается пропорционально дозе облучения и обратно пропорционально величине рабочего тока. А.В. Градобоев, К.Н. Орлова, И.А. Асанов. ИЗМЕНЕНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР ALGAINP КРАСНОГО И ЖЕЛТОГО ЦВЕТА СВЕЧЕНИЯ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ГАММА-КВАНТАМИ И БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ [Электронный ресурс]/А.В. Градобоев, К.Н. Орлова, И.А. Асанов//Журнал радиоэлектроники. -2013. -№ 10. -Режим доступа: http://jre.cplire.ru/alt/oct13/9/text.pdf Представлены результаты исследования вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного (630 нм) и желтого (590 нм) свечения при облучении гамма-квантами 60Со дозой до 5∙10 6 Гр и быстрыми нейтронами флюенсом 2∙10 14н/см 2 в пассивном режиме питания. Показано, что в исследуемом диапазоне доз и флюенсов видимые изменения в вольт-амперных характеристиках (ВАХ) отсутствуют. При этом на ВАХ отчетливо обнаруживаются два этапа, которые согласно оценкам соответствуют областям средней и сильной инжекции. Подробное рассмотрение ВАХ светодиодов в полулогарифмическом масштабе позволяет ассоциировать данные области с двумя механизмами токообразования – инжекцией носителей заряда и инжекцией носителей заряда наряду с модуляцией сопротивления активной области гетероструктур AlGaInP. Градобоев А.В., Орлова К.Н., Асанов И.А. Облучение гамма-квантами Со60 светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP c множественными квантовыми ямами//Перспективные материалы. -2013. -№ 7. -C.49-54. Исследовано изменение параметров светодиодов (СД), изготовленных из различных гетероструктур AlGaInP (l1 = 590 нм и l2 = 630 нм), с множественными квантовыми ямами, при облучении гамма-квантами 60Со в пассивном режиме питания. По виду вольт-амперной (ВАХ)и ватт-амперной характеристик (ВтАХ) исходных диодов выделены области средней и высокой инжекции электронов. Наклон закономерности изменения мощности излучения и рабочего тока в области средней инжекции практически не зависят от ширины запрещенной зоны, в то время как в области высокой инжекции электронов наклон ВАХ и ВтАХ увеличивается с уменьшением ширины запрещенной зоны. С ростом экспозиционной дозы мощность излучения уменьшается прямо пропорционально дозе и обратно пропорционально величине рабочего тока, при котором проводится измерение мощности, а также увеличиваются различия между областями средней и высокой инжекции электронов. Представлена радиационная модель СД, согласно которой деградация мощности излучения при облучении гамма-квантами происходит в два этапа: на первом этапе происходит введение центров безизлучательной рекомбинации (или центров поглощения излучения), а на втором этапе происходит снижение мощности излучения. Градобоев А.В., Орлова К.Н., Арефьев К.П., Асанов И.А. ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР ALGAINP ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ГАММА-КВАНТАМИ В ОБЛАСТИ ПЕРЕСТРОЙКИ ДЕФЕКТНОЙ СТРУКТУРЫ // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56. № 11-3. С. 116-119. Представлены результаты исследования стойкости гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами к облучению гамма-квантами 60Со. Исследования были выполнены на светодиодах (λ = 630 нм). Облучение проводили в пассивном режиме питания, т.е. без наложения электрического поля, а уровень воздействия характеризовали поглощенной дозой. Установлено, что снижение мощности излучения при облучении гамма-квантами происходит в две стадии. На первой стадии снижение мощности излучения является следствием радиационно-стимулированной перестройки исходных структурных дефектов, а на второй стадии - вследствие введения радиационных дефектов. На границе между первой и второй стадиями наблюдаются релаксационные процессы - частичное восстановление мощности излучения на фоне ее общего снижения. Выявлены гетероструктуры, для которых наблюдается ярко выраженный эффект малых доз - восстановление мощности излучения вследствие радиационно-стимулированной релаксации механических напряжений без образования дополнительных структурных дефектов. Данные процесс предшествует первой стадии снижения мощности излучения при облучении гамма-квантами. Кроме того, выявлены гетероструктуры, для которых наблюдается два дополнительных релаксационных процесса на первой стадии. Установлены соотношения, позволяющие описать изменение мощности излучения на выявленных стадиях. Орлова К.Н., Шафранова Л.Н., Большанин В.Ю. ВЛИЯНИЕ СОЛНЕЧНОЙ АКТИВНОСТИ ПРИ СМЕНЕ МАГНИТНЫХ ПОЛЮСОВ НА МАГНИТНОЕ ПОЛЕ ЗЕМЛИ // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. 2014. № 11-5. С. 863. В данном сообщении показано влияние смены магнитных полюсов Солнца на геомагнитную активность Земли. Были выделены три пика соответствующих магнитным бурям разной мощности, причем последний из них значительно отличался по величине магнит- ной индукции. В результате сопоставления экспериментальных данных с индексами геомагнитной активности и величиной светового потока показано, что существенных изменений геомагнитной обстановки на Земле при смене магнитных полюсов Солнца не наблюдалось, но в последующие 10 дней наблюдалась сильная магнитная буря. Орлова К.Н., Градобоев А.В. РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ ГЕТЕРОСТРУКТУР ALGAINP (λ = 630 НМ) С МНОЖЕСТВЕННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57. № 2-2. С. 63-66. Представлены исследования стойкости гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) c множественными квантовыми ямами, широко применяемыми как на объектах атомной энергетики, так и в условиях космического пространства, к воздействию гамма-излучения 60Co. Изменение мощности излучения в результате облучения происходит в две стадии. На первой стадии происходит радиационно-стимулированная перестройка имеющейся дефектной структуры. Вторая стадия характеризуется созданием радиационных дефектов. На основе установленных соотношений возможно прогнозирование радиационной стойкости гетероструктур при облучении гамма-квантами на начальной стадии технологического производства. Орлова К.Н., Гайдамак М.А. КОЛИЧЕСТВЕННЫЙ АНАЛИЗ МАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ОТ ЭЛЕКТРОБЫТОВЫХ ПРИБОРОВ // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. 2015. № 5-3. С. 523-524. Выявлены зависимости индукции магнитного поля с увеличением расстояния от различных типов электробытовых приборов.

Публикации на русском языке

Область радиационной стойкости и надежности

1. Градобоев А. В., Орлова К. Н., Асанов И. А.//Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. -2013. -Вып. 2. -С. 64-66.

Представлены результаты исследования радиационной стойкости гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами на примере светодиодов с длиной волны излучения 623 нм при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами 60Со в пассивном режиме питания. Установлено, что мощность излучения диодов при облучении уменьшается пропорционально дозе облучения и обратно пропорционально величине рабочего тока, при этом уровень ее снижения уменьшается по мере роста плотности рабочего тока, используемого при измерении.

2. А.В. Градобоев, К.Н. Орлова, И.А. Асанов. Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами [Электронный ресурс]/А.В. Градобоев, К.Н. Орлова, И.А. Асанов//Журнал радиоэлектроники. -2013. -№ 4. -Режим доступа: http://jre.cplire.ru/jre/apr13/7/text.pdf.

Представлены результаты исследования деградации параметров гетероструктур AlGaInP красного (630 нм) и желтого (590 нм) свечения на примере светодиодов при облучении гамма-квантами 60Со в пассивном режиме питания. Показано, что деградация светового потока обусловлена введением двух типов центров безызлучательной рекомбинации радиационного происхождения. Первый центр, предположительно, связан с радиационной перестройкой имеющейся дефектной структуры, а второй – имеет чисто радиационное происхождение. Установлено, что световой поток диодов при облучении уменьшается пропорционально дозе облучения и обратно пропорционально величине рабочего тока.

3. А.В. Градобоев, К.Н. Орлова, И.А. Асанов. ИЗМЕНЕНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР ALGAINP КРАСНОГО И ЖЕЛТОГО ЦВЕТА СВЕЧЕНИЯ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ГАММА-КВАНТАМИ И БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ [Электронный ресурс]/А.В. Градобоев, К.Н. Орлова, И.А. Асанов//Журнал радиоэлектроники. -2013. -№ 10. -Режим доступа: http://jre.cplire.ru/alt/oct13/9/text.pdf

Представлены результаты исследования вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного (630 нм) и желтого (590 нм) свечения при облучении гамма-квантами 60Со дозой до 5∙10 6 Гр и быстрыми нейтронами флюенсом 2∙10 14н/см 2 в пассивном режиме питания. Показано, что в исследуемом диапазоне доз и флюенсов видимые изменения в вольт-амперных характеристиках (ВАХ) отсутствуют. При этом на ВАХ отчетливо обнаруживаются два этапа, которые согласно оценкам соответствуют областям средней и сильной инжекции. Подробное рассмотрение ВАХ светодиодов в полулогарифмическом масштабе позволяет ассоциировать данные области с двумя механизмами токообразования – инжекцией носителей заряда и инжекцией носителей заряда наряду с модуляцией сопротивления активной области гетероструктур AlGaInP.

4. Градобоев А.В., Орлова К.Н., Асанов И.А. Облучение гамма-квантами Со60 светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP c множественными квантовыми ямами//Перспективные материалы. -2013. -№ 7. -C.49-54.

Представлена радиационная модель СД, согласно которой деградация мощности излучения при облучении гамма-квантами происходит в два этапа: на первом этапе происходит введение центров безызлучательной рекомбинации (или центров поглощения излучения), а на втором этапе происходит снижение мощности излучения.

5. Градобоев А.В., Орлова К.Н., Арефьев К.П., Асанов И.А. ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР ALGAINP ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ГАММА-КВАНТАМИ В ОБЛАСТИ ПЕРЕСТРОЙКИ ДЕФЕКТНОЙ СТРУКТУРЫ // Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56. № 11-3. С. 116-119.

Представлены результаты исследования стойкости гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами к облучению гамма-квантами 60Со. Исследования были выполнены на светодиодах (λ = 630 нм). Облучение проводили в пассивном режиме питания, т.е. без наложения электрического поля, а уровень воздействия характеризовали поглощенной дозой. Установлено, что снижение мощности излучения при облучении гамма-квантами происходит в две стадии. На первой стадии снижение мощности излучения является следствием радиационно-стимулированной перестройки исходных структурных дефектов, а на второй стадии - вследствие введения радиационных дефектов. На границе между первой и второй стадиями наблюдаются релаксационные процессы - частичное восстановление мощности излучения на фоне ее общего снижения. Выявлены гетероструктуры, для которых наблюдается ярко выраженный эффект малых доз - восстановление мощности излучения вследствие радиационно-стимулированной релаксации механических напряжений без образования дополнительных структурных дефектов. Данные процесс предшествует первой стадии снижения мощности излучения при облучении гамма-квантами. Кроме того, выявлены гетероструктуры, для которых наблюдается два дополнительных релаксационных процесса на первой стадии. Установлены соотношения, позволяющие описать изменение мощности излучения на выявленных стадиях.

6. Орлова К.Н., Градобоев А.В. РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ ГЕТЕРОСТРУКТУР ALGAINP (λ = 630 НМ) С МНОЖЕСТВЕННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57. № 2-2. С. 63-66.

Представлены исследования стойкости гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) c множественными квантовыми ямами, широко применяемыми как на объектах атомной энергетики, так и в условиях космического пространства, к воздействию гамма-излучения 60Co. Изменение мощности излучения в результате облучения происходит в две стадии. На первой стадии происходит радиационно-стимулированная перестройка имеющейся дефектной структуры. Вторая стадия характеризуется созданием радиационных дефектов. На основе установленных соотношений возможно прогнозирование радиационной стойкости гетероструктур при облучении гамма-квантами на начальной стадии технологического производства.

7. Орлова К.Н. Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP. Приволжский научный вестник. 2012. № 10 (14). С.17-19.

В работе представлены современные методы увеличения мощности излучения светодиодов на основе четверных гетероструктур AlGaInP. Основные способы включают в себя замену основной подложки, варьирование концентраций элементов входящих в состав активной области, рост распределенных брэгговских отражателей в устройствах, увеличение толщины световыводящего окна.

Область радиационной безопасности и экологии

1. Орлова К.Н. Исследование уровня радиационной безопасности на территории города Юрги. Вестник Кузбасского государственного технического университета. 2011. № 6. С. 35-37.

Рассмотрена мощность дозы гамма излучения и годовая доза облучения в различных районах города Юрги. Определено превышение максимально допустимой мощности дозы гамма-излучения в трех районах города, постройках из шлакоблоков и длительно эксплуатируемых зданиях.

2. Орлова К.Н., Абраменко Н.С., Семенок А.А. Определение коэффициента поглощения и кратности ослабления облачности при прохождении гамма-излучения//Технологии техносферной безопасности. 2013. №6(52). С.11

Представлены исследования фонового значения мощности эквивалентной дозы гамма-излучения в различную погоду (ясную, облачную и пасмурную). Показано изменение мощности дозы гамма-излучения в зависимости от погоды и способность облачности экранировать гамма-излучение. Разработана методика расчёта коэффициента поглощения и кратности ослабления облачности.

3. Костенко О.В. Орлова К.Н. Построение нейроалгоритма по определению суммарного облучения человека//Научно-технический вестник Поволжья. -2013. -№ 2. -С. 142-145.

В работе показан пример построения нейроалгоритма для расчетов и программирования сложных природных систем, таких как суммарное облучение человека. Сконструированная схема нейросети и нейроалгоритм позволят реализовать программирование радиационных процессов с помощью нейросетевых технологий.

4. Медведева (Костенко) О.В., Орлова К.Н., Большанин В.Ю. Нейросетевые технологии алгоритмизации по определению радиационного облучения в повседневной жизни человека//Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. -2014. -№ 10-2. -C. 17-20.

Определение суммарного облучения человека в повседневной жизни будет складываться из множества факторов, будет являться строго определенным для конкретного человека, и несомненно, актуально. Нейросетевые технологии позволяют полностью разрешить данную задачу, следуя нейроалгоритму, представленному в данной работе.

5. Гайдамак М.А., Орлова К.Н. Влияние электромагнитного излучения в быту на человека. В сборнике: Экология и безопасность в техносфере: Современные проблемы и пути решения. Сборник трудов Всероссийской научно-практической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов. Юргинский технологический институт (филиал) Национального исследовательского Томского политехнического университета. Томск, 2014. С. 376-378.

6. Орлова К.Н., Гайдамак М.А. КОЛИЧЕСТВЕННЫЙ АНАЛИЗ МАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ОТ ЭЛЕКТРОБЫТОВЫХ ПРИБОРОВ // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. 2015. № 5-3. С. 523-524.

Выявлены зависимости индукции магнитного поля с увеличением расстояния от различных типов электробытовых приборов.

7. Орлова К.Н., Шафранова Л.Н., Большанин В.Ю. ВЛИЯНИЕ СОЛНЕЧНОЙ АКТИВНОСТИ ПРИ СМЕНЕ МАГНИТНЫХ ПОЛЮСОВ НА МАГНИТНОЕ ПОЛЕ ЗЕМЛИ // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. 2014. № 11-5. С. 863.

В данном сообщении показано влияние смены магнитных полюсов Солнца на геомагнитную активность Земли. Были выделены три пика соответствующих магнитным бурям разной мощности, причем последний из них значительно отличался по величине магнит- ной индукции.

2011 © Томский политехнический университет
При полном или частичном использовании текстовых и графических материалов с сайта ссылка на портал ТПУ обязательна